一种新型半导体器件的制作方法

1.本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体为一种新型半导体器件。


背景技术：

2.现有to-3p(是指目前封装行业一种分立器件标准封装形式的简称)功率半导体器件封装结构采用异形引线框架结构，直接在引线框架pad位上进行固晶，pad位与产品底部采用同一引线框架载体，无绝缘层进行隔离。
3.例如，中国专利公告号cn212625549u中公开了一种半导体器件，包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚，所述引线框架底部密封热压合有具有导热性的绝缘密封装置，所述绝缘密封装置将密封后的引线框架内腔产生的热量热传递导出，所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将密封后的引线框架内腔产生的热量直接散热出，所述导热绝缘铜基树脂热片包括至少一个导热绝缘层和铜片，所述导热绝缘铜基树脂热片包括从上到下依次层叠的第一高导热绝缘层、第二高导热绝缘层和铜片，且铜片贴合引线框架底部连接，所述芯片和引线框架之间点焊有锡丝，所述二极管frd和引线框架之间点焊有锡丝。
4.由上述现有专利文件公开的方案可知，上述半导体器件在通过引脚焊接在电路板上后，由于引脚本身较长，造成焊接后的半导体器件本体高度较高，如果在后期对电路板维护时，检修员会第一时间碰撞到电路板上较高的半导体器件，容易造成半导体器件晃动，从而造成引脚焊接部位松动，降低了半导体器件整体焊接在电路板后的防晃稳定性；另外，由于半导体器件采用塑料壳体，其耐穿刺性较低。
5.上述问题，急需改进。


技术实现要素：

6.本实用新型的目的在于提供一种新型半导体器件，以解决现有技术中半导体器件整体焊接在电路板后的防晃稳定性较低、半导体器件的塑料壳体的耐穿刺性较低的问题。
7.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种新型半导体器件，包括半导体器件，所述半导体器件由塑料外壳和引脚组成，所述塑料外壳的背端设有高导热绝缘层，所述塑料外壳上开设有螺钉孔，所述螺钉孔贯通塑料外壳和高导热绝缘层。
8.优选的，所述塑料外壳上设有防晃架，所述防晃架的下端设有第一连接条和第二连接条，所述第一连接条和第二连接条的底端面高于引脚的底端面。
9.优选的，所述防晃架的侧截面为折弯状结构，所述防晃架为对称的四个。
10.优选的，所述防晃架为塑钢支架结构，所述防晃架上开设有减重口。
11.优选的，所述第一连接条和第二连接条整体形成长方形框体状结构。
12.优选的，所述第一连接条和第二连接条的底端面均设置有阻尼防滑层。
13.优选的，所述塑料外壳的外壁面设有耐穿刺层。
14.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
15.1.本实用新型通过在半导体器件的塑料壳体上对称设置四个防晃架结构，并在防晃架的下端设置第一连接条和第二连接条结构，同时在连接条的底部设置阻尼防滑层结构，提高了半导体器件整体焊接在电路板后的防晃稳定性。
16.2.本实用新型通过在半导体器件的塑料壳体的外壁面上设置耐穿刺层结构，提高了半导体器件的塑料壳体的耐穿刺性。
附图说明
17.图1为本实用新型的整体结构的第一视角立体图；
18.图2为本实用新型的整体结构的第二视角立体图；
19.图3为本实用新型的整体结构的仰视立体图；
20.图4为本实用新型的整体结构的侧视图。
21.图中：1半导体器件、2塑料壳体、21螺钉孔、22高导热绝缘层、3耐穿刺层、4引脚、5防晃架、51减重口、6第一连接条、7第二连接条、8阻尼防滑层。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.实施例1
24.请参阅图1至图4，图示中的一种新型半导体器件，包括半导体器件1，半导体器件1由塑料外壳2和引脚4组成，塑料外壳2的背端设有高导热绝缘层22，塑料外壳2上开设有螺钉孔21，螺钉孔21贯通塑料外壳2和高导热绝缘层22。
25.塑料外壳2上设有防晃架5，防晃架5的下端设有第一连接条6和第二连接条7，第一连接条6和第二连接条7的底端面高于引脚4的底端面，可保证引脚4焊接在电路板上。
26.防晃架5的侧截面为折弯状结构，防晃架5为对称的四个，提高了对半导体器件1的整体制成稳定性。
27.防晃架5为塑钢支架结构，防晃架5上开设有减重口51，减重口51进一步降低了防晃架5的重量，结合很轻的防晃架5，提高了半导体器件1的整体轻量化。
28.第一连接条6和第二连接条7采用塑钢制成，绝缘质轻，且强度高，不形变。
29.第一连接条6和第二连接条7整体形成长方形框体状结构，实现底部的阻尼防滑层8整体稳定的与电路板的表面紧密挤压接触。
30.第一连接条6和第二连接条7的底端面均设置有阻尼防滑层8，当将半导体器件1通过引脚4焊接到电路板上后，阻尼防滑层8会与电路板的表面紧密挤压接触，提高阻尼防滑效果。
31.阻尼防滑层8为硫化橡胶垫层，本体具有阻尼摩擦弹性，且耐磨耐蚀绝缘。
32.塑料外壳2的外壁面设有耐穿刺层3，耐穿刺层3本体为涤纶软垫，内部设有钢丝绞层，整体提高了半导体器件1的塑料壳体2的耐穿刺性。
33.本实施方案中使用时：当将半导体器件1通过引脚4焊接到电路板上后，此时防晃架5通过第一连接条6和第二连接条7底部的阻尼防滑层8会与电路板的表面紧密挤压接触，提高了半导体器件1整体焊接在电路板后的防晃稳定性。
34.另外，在半导体器件1的塑料壳体2的外壁面上设置耐穿刺层3结构，耐穿刺层3本体为涤纶软垫，内部设有钢丝绞层，整体提高了半导体器件1的塑料壳体2的耐穿刺性。
35.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
36.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种新型半导体器件，其特征在于，包括：半导体器件(1)，所述半导体器件(1)由塑料外壳(2)和引脚(4)组成，所述塑料外壳(2)的背端设有高导热绝缘层(22)，所述塑料外壳(2)上开设有螺钉孔(21)，所述螺钉孔(21)贯通塑料外壳(2)和高导热绝缘层(22)。2.根据权利要求1所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述塑料外壳(2)上设有防晃架(5)，所述防晃架(5)的下端设有第一连接条(6)和第二连接条(7)，所述第一连接条(6)和第二连接条(7)的底端面高于引脚(4)的底端面。3.根据权利要求2所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述防晃架(5)的侧截面为折弯状结构，所述防晃架(5)为对称的四个。4.根据权利要求2所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述防晃架(5)为塑钢支架结构，所述防晃架(5)上开设有减重口(51)。5.根据权利要求2所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述第一连接条(6)和第二连接条(7)整体形成长方形框体状结构。6.根据权利要求2所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述第一连接条(6)和第二连接条(7)的底端面均设置有阻尼防滑层(8)。7.根据权利要求1所述的一种新型半导体器件，其特征在于：所述塑料外壳(2)的外壁面设有耐穿刺层(3)。

技术总结
本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体为一种新型半导体器件，包括半导体器件，半导体器件由塑料外壳和引脚组成，塑料外壳的背端设有高导热绝缘层，塑料外壳上开设有螺钉孔，螺钉孔贯通塑料外壳和高导热绝缘层，塑料外壳上设有防晃架，防晃架的下端设有第一连接条和第二连接条。通过在半导体器件的塑料壳体上对称设置四个防晃架结构，并在防晃架的下端设置第一连接条和第二连接条结构，同时在连接条的底部设置阻尼防滑层结构，提高了半导体器件整体焊接在电路板后的防晃稳定性，通过在半导体器件的塑料壳体的外壁面上设置耐穿刺层结构，提高了半导体器件的塑料壳体的耐穿刺性。提高了半导体器件的塑料壳体的耐穿刺性。提高了半导体器件的塑料壳体的耐穿刺性。


技术研发人员：刘志强 龙立 王来营 陈军 石英学
受保护的技术使用者：瑞森半导体科技（广东）有限公司
技术研发日：2022.10.09
技术公布日：2023/1/6