一种防碰撞逆导型IGBT芯片的制作方法

本技术涉及逆导型igbt芯片相关领域，具体为一种防碰撞逆导型igbt芯片。

背景技术：

1、绝缘栅双极型晶体管芯片，无逆向导通能力，所以在实际应用时，通常需要反并联相应规格的快速恢复二极管以做续流保护，一般会将igbt与frd封装成一个模块，这样会造成封装成本、模块面积以及芯片散热等方面的问题。因此为改进这一缺陷、降低成本、提高芯片功率密度，通常将igbt和frd通过工艺集成到一个芯片上，形成逆导型igbt。

2、例如公告号为cn112201688a的中国授权专利（逆导型igbt芯片）：包括第一导电类型衬底；若干间隔设置于所述衬底下方且与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区位于以芯片中心为中心的第一预设范围外；在所述第一预设范围外且于第二预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第一预设阈值；在所述第二预设范围外且于第三预设范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第二预设阈值；在所述第三预设范围外且于所述芯片边缘范围内，所述短路区的总面积与所述集电区的面积的比值为第三预设阈值；

3、上述现有技术在进行使用时虽然具备可消除初次电压折回现象的优点，但其在对逆导型igbt芯片进行使用时，往往会因为芯片本身抗冲击性能较为低下而导致整个逆导型igbt芯片在受到冲击时，逆导型igbt芯片会产生折弯的现象，进而极易影响到整个逆导型igbt芯片的使用寿命，因此市场急需研制一种防碰撞逆导型igbt芯片来帮助人们解决现有的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种防碰撞逆导型igbt芯片，以解决上述背景技术中提出的无法解决现有逆导型igbt芯片的抗碰撞性能较为低下的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种防碰撞逆导型igbt芯片，包括芯片主体，所述芯片主体的两侧均设置有挡垫板，所述挡垫板设置为弹性结构，所述挡垫板与芯片主体设置为粘贴连接，所述挡垫板的前后端均设置有固定杆，所述固定杆设置有多个，所述固定杆与芯片主体设置为固定连接，所述固定杆的外侧设置有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的数量与固定杆的数量设置为一致，所述缓冲弹簧的一侧设置有挡板，所述挡板设置为矩形板状，所述挡板设置有两个，所述挡板与固定杆设置为贴合，所述缓冲弹簧分别与挡板和芯片主体设置为固定连接，所述挡板上设置有缓冲板，所述缓冲板与挡板设置为粘贴连接，所述缓冲板设置为弹性结构。

3、优选的，所述芯片主体的后端设置有连接卡，所述连接卡设置为“凸”状，所述连接卡与芯片主体设置为固定连接，所述连接卡的内部设置有卡合块，所述卡合块设置有多个，所述卡合块与连接卡设置为贴合。

4、优选的，所述卡合块上设置有面挡片，所述面挡片的数量与卡合块的数量设置为一致，所述面挡片与卡合块设置为固定连接，所述面挡片的前端设置有限位卡，所述限位卡设置有两个，所述限位卡与面挡片设置为贴合。

5、优选的，所述芯片主体的前端设置有支脚，所述支脚设置有多个，所述支脚与芯片主体设置为固定连接，所述卡合块的后端设置有防脱块，所述防脱块的数量与卡合块的数量设置为一致，所述防脱块与卡合块设置为一体状。

6、优选的，所述芯片主体包括衬底，所述衬底的上端设置有漂移层，所述衬底的下端设置有集电区，所述集电区设置有多个，相邻两个所述集电区之间设置有短路区。

7、优选的，所述漂移层包括元胞区，所述元胞区的两侧均设置有终端区。

8、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

9、1、该实用新型通过缓冲弹簧、挡板、缓冲板与挡垫板的设置，使用者在对该逆导型igbt芯片进行使用时，使用者可以通过挡板的设置，来提高整个逆导型igbt芯片抗碰撞性能，同时也可以通过缓冲弹簧的设置，来实现对施加在挡板上的压力进行缓解，再通过缓冲板与挡垫板的设置，来进一步的缓解施加在挡板上的压力，进而可以在一定程度上解决现有逆导型igbt芯片的抗碰撞性能较为低下的问题；

10、2、该实用新型通过面挡片、卡合块、限位卡与连接卡的设置，使用者在对该逆导型igbt芯片进行使用时，使用者可以通过面挡片的设置，来实现对逆导型igbt芯片的上下端保护，同时也可以通过卡合块的设置，来连接面挡片与连接卡，再通过限位卡的设置，来防止面挡片产生脱离的现象，从而可以在一定程度上缓解使用者的使用压力，进而可以大幅度的提高整个逆导型igbt芯片的使用安全性。

技术特征：

1.一种防碰撞逆导型igbt芯片，包括芯片主体（1），其特征在于：所述芯片主体（1）的两侧均设置有挡垫板（12），所述挡垫板（12）设置为弹性结构，所述挡垫板（12）与芯片主体（1）设置为粘贴连接，所述挡垫板（12）的前后端均设置有固定杆（8），所述固定杆（8）设置有多个，所述固定杆（8）与芯片主体（1）设置为固定连接，所述固定杆（8）的外侧设置有缓冲弹簧（9），所述缓冲弹簧（9）的数量与固定杆（8）的数量设置为一致，所述缓冲弹簧（9）的一侧设置有挡板（10），所述挡板（10）设置为矩形板状，所述挡板（10）设置有两个，所述挡板（10）与固定杆（8）设置为贴合，所述缓冲弹簧（9）分别与挡板（10）和芯片主体（1）设置为固定连接，所述挡板（10）上设置有缓冲板（11），所述缓冲板（11）与挡板（10）设置为粘贴连接，所述缓冲板（11）设置为弹性结构。

2.根据权利要求1所述的一种防碰撞逆导型igbt芯片，其特征在于：所述芯片主体（1）的后端设置有连接卡（13），所述连接卡（13）设置为“凸”状，所述连接卡（13）与芯片主体（1）设置为固定连接，所述连接卡（13）的内部设置有卡合块（17），所述卡合块（17）设置有多个，所述卡合块（17）与连接卡（13）设置为贴合。

3.根据权利要求2所述的一种防碰撞逆导型igbt芯片，其特征在于：所述卡合块（17）上设置有面挡片（14），所述面挡片（14）的数量与卡合块（17）的数量设置为一致，所述面挡片（14）与卡合块（17）设置为固定连接，所述面挡片（14）的前端设置有限位卡（15），所述限位卡（15）设置有两个，所述限位卡（15）与面挡片（14）设置为贴合。

4.根据权利要求2所述的一种防碰撞逆导型igbt芯片，其特征在于：所述芯片主体（1）的前端设置有支脚（16），所述支脚（16）设置有多个，所述支脚（16）与芯片主体（1）设置为固定连接，所述卡合块（17）的后端设置有防脱块（18），所述防脱块（18）的数量与卡合块（17）的数量设置为一致，所述防脱块（18）与卡合块（17）设置为一体状。

5.根据权利要求1所述的一种防碰撞逆导型igbt芯片，其特征在于：所述芯片主体（1）包括衬底（5），所述衬底（5）的上端设置有漂移层（2），所述衬底（5）的下端设置有集电区（6），所述集电区（6）设置有多个，相邻两个所述集电区（6）之间设置有短路区（7）。

6.根据权利要求5所述的一种防碰撞逆导型igbt芯片，其特征在于：所述漂移层（2）包括元胞区（3），所述元胞区（3）的两侧均设置有终端区（4）。

技术总结
本技术公开了一种防碰撞逆导型IGBT芯片，涉及逆导型IGBT芯片相关领域，为解决现有技术中的无法解决现有逆导型IGBT芯片的抗碰撞性能较为低下的问题。所述芯片主体的两侧均设置有挡垫板，所述挡垫板设置为弹性结构，所述挡垫板与芯片主体设置为粘贴连接，所述挡垫板的前后端均设置有固定杆，所述固定杆设置有多个，所述固定杆与芯片主体设置为固定连接，所述固定杆的外侧设置有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的数量与固定杆的数量设置为一致，所述缓冲弹簧的一侧设置有挡板，所述挡板设置为矩形板状，所述挡板设置有两个，所述挡板与固定杆设置为贴合，所述缓冲弹簧分别与挡板和芯片主体设置为固定连接，所述挡板上设置有缓冲板。

技术研发人员：陈钊,陈俊标
受保护的技术使用者：宜兴杰芯半导体有限公司
技术研发日：20221018
技术公布日：2024/1/13