本技术涉及芯片封装,尤其涉及一种芯片的封装结构。
背景技术:
1、现在的芯片设计趋向于小型、精密化,而越是精密和小型化,芯片的散热空间就越小,散热设计难度也就越大。目前,存在一种具有散热衬底的芯片(例如采用tqfp、qfp等封装工艺封装的芯片),其芯片散热主要采用笨重的散热片,配合pcb设计及贴片工艺来实现,但由于此类具有散热衬底的芯片的封装工艺容易导致芯片衬底与pcb出现高度差,特别是针对高度差大于0.1mm的芯片,封装焊接时,容易出现焊盘短路的风险,降低产品的电气性能。
2、综上,现有含散热衬底的芯片的封装技术存在焊盘容易短路,产品的电气性能不稳定等技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题,本实用新型提供如下方案。
2、一方面,本实用新型提供一种芯片的封装结构,包括:
3、smt漏板,用于贴装pcb板;所述pcb板包括多个过孔,所述多个过孔上方贴装芯片,所述smt漏板包括多个网孔,所述smt漏板与所述pcb板贴装时,所述多个网孔的位置与所述多个过孔对应;所述多个网孔的数量根据所述芯片的衬底的形状和面积设置以使得所述多个过孔均匀覆盖所述芯片的衬底;
4、散热锡膏,填充满所述多个网孔,连接所述芯片的衬底与所述pcb板,将芯片的热量传导至所述pcb板;
5、堵塞锡膏,填充满所述多个过孔,与所述散热锡膏连接,将所述散热锡膏传导的热量从所述多个过孔引出。
6、进一步地,所述多个网孔包括第一网孔、第二网孔、第三网孔以及第四网孔;所述第一网孔与所述第二网孔并排设置,所述第三网孔与所述第四网孔并排设置;所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔排列成两行两列。
7、进一步地,所述第一网孔为方形网孔,所述方形网孔的长宽相等或不等。
8、进一步地,所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔为方形网孔。
9、进一步地,所述方形网孔的长为2㎜,宽为2㎜,网孔深度为0.1㎜。
10、进一步地,所述第一网孔为圆形网孔,所述圆形网孔的直径为2㎜,网孔深度为0.1㎜。
11、进一步地,所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔为圆形网孔。
12、进一步地,所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔中任意一个网孔的形状为方形网孔,其他为圆形网孔。
13、进一步地,所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔中任意两个网孔的形状为方形网孔,其他为圆形网孔。
14、进一步地,所述堵塞锡膏和所述散热锡膏的总锡量为1.825mm3。
15、与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:
16、本实用新型提出的芯片的封装结构,通过设置smt漏板、散热锡膏以及堵塞锡膏,smt漏板用于贴装pcb板,pcb板包括多个过孔,多个过孔上方贴装芯片,smt漏板包括多个网孔,smt漏板与pcb板贴装时,多个网孔的位置与多个过孔对应,多个网孔的数量根据芯片的衬底的形状和面积设置以使得多个过孔均匀覆盖芯片的衬底,散热锡膏填充满多个网孔,连接芯片的衬底与pcb板,将芯片的热量传导至pcb板,堵塞锡膏填充满多个过孔,与散热锡膏连接,将散热锡膏传导的热量从多个过孔引出,从而充分利用堵塞锡膏、散热锡膏以及pcb板的过孔对芯片进行散热,同时防止散热锡膏在高温时融化通过过孔流至焊盘造成焊盘短路,提升产品电气性能的稳定性。
1.一种芯片的封装结构,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述多个网孔包括第一网孔、第二网孔、第三网孔以及第四网孔;所述第一网孔与所述第二网孔并排设置,所述第三网孔与所述第四网孔并排设置;所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔排列成两行两列。
3.如权利要求2所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第一网孔为方形网孔,所述方形网孔的长宽相等或不等。
4.如权利要求3所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔为方形网孔。
5.如权利要求4所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述方形网孔的长为2㎜,宽为2㎜,网孔深度为0.1㎜。
6.如权利要求2所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第一网孔为圆形网孔,所述圆形网孔的直径为2㎜,网孔深度为0.1㎜。
7.如权利要求6所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔为圆形网孔。
8.如权利要求2所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔中任意一个网孔的形状为方形网孔,其他为圆形网孔。
9.如权利要求2所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述第一网孔、所述第二网孔、所述第三网孔以及所述第四网孔中任意两个网孔的形状为方形网孔,其他为圆形网孔。
10.如权利要求1-9任一项所述的芯片的封装结构,其特征在于,所述堵塞锡膏和所述散热锡膏的总锡量为1.825mm3。