一种晶舟结构的制作方法

本技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶舟结构。

背景技术：

1、在传统的半导体器件的制造过程中，通常在半导体晶圆上形成内存器后，会对半导体晶圆进行一道氧化制作工艺，以在半导体晶圆上形成一层氧化层，并借此所形成的氧化层保护半导体晶圆上的内存器件。炉管制程是一种高温制程，在扩散炉内对晶圆表面进行氧化、沉积以及掺杂等方式制备绝缘层、介质层等薄膜，或是通过合金化和退火等工艺改变晶圆材质的化学状态和物理状态。

2、晶舟作为在扩散炉内承载晶圆的部件，现有技术中，晶舟同一水平面的若干个承载结构正面支撑晶圆背面的边缘，然而在炉管腔体内的高温环境下，晶圆易发生热形变现象，由于晶舟只承载晶圆边缘，导致晶圆中心在无向上支撑力作用的情况下向下凹陷，晶圆边缘区域产生翘曲，进一步的，晶圆翘曲部分容易与高于当前水平面的相邻承载结构的背面或者侧面接触，发生摩擦或者剐蹭，造成晶圆表面遭受一定程度的破坏，进而影响晶圆良率。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种晶舟结构，以解决晶圆在高温条件下发生热形变中心区域向下凹陷、边缘区域向上卷曲并与晶舟发生摩擦剐蹭进而破坏晶圆结构的问题。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶舟结构，用于承载晶圆，所述晶舟结构包括自下而上依次间隔设置的多个承载单元，每个所述承载单元包括至少两个承载结构，至少两个所述承载结构呈圆周均匀分布形成一承载面；各所述承载结构沿所属的所述承载面的径向延伸，具有相对的第一端和第二端，属于同一所述承载单元的所述承载结构的所述第一端固定，所述第二端相互靠近。

3、优选地，在所述晶舟结构中，所述承载面的半径为r，所述承载结构的长度为l，其中，2/3r≤l≤r。

4、优选地，在所述晶舟结构中，各所述承载结构具有凹陷部，所述凹陷部朝靠近下方的所述承载单元的方向凹陷。

5、优选地，在所述晶舟结构中，所述承载结构包括承载件，所述承载件沿所属的所述承载面的径向延伸，且所述承载件的中部区域向靠近下方的所述承载单元的方向凹陷形成所述凹陷部。

6、优选地，在所述晶舟结构中，所述凹陷部的宽度至少为所述承载件长度的2/3。

7、优选地，在所述晶舟结构中，所述承载结构还包括至少两个承载体，至少两个所述承载体分设于所述承载件上，且位于所述凹陷部两侧。

8、优选地，在所述晶舟结构中，各所述承载单元为一体成型结构。

9、优选地，在所述晶舟结构中，所述晶舟结构包括支撑结构，所述支撑结构包括一对上下间隔且平行设置的支撑环和至少两个支撑柱，至少两个所述支撑柱沿所述支撑环的周向均匀间隔分布，属于同一所述承载单元的至少两个所述承载结构的所述第一端设于不同的所述支撑柱，且设于同一高度。

10、优选地，在所述晶舟结构中，属于同一所述承载单元的所述承载结构的数量与所述支撑柱的数量相等，且一一对应连接。

11、优选地，在所述晶舟结构中，所述支撑结构包括三个所述支撑柱。

12、综上所述，本实用新型提供一种晶舟结构，用于承载晶圆，所述晶舟结构包括自下而上依次设置的多个承载单元，每个所述承载单元包括至少两个承载结构，至少两个所述承载结构呈圆周均匀分布形成一承载面；各所述承载结构沿所属的所述承载面的径向延伸，具有相对的第一端和第二端，属于同一所述承载单元的所述承载结构的所述第一端固定，所述第二端相互靠近。

13、利用本实用新型提供的一种晶舟结构承载所述晶圆，不仅能够承载到所述晶圆边缘，由于所述承载结构具有的所述第二端沿其所在的所述承载面的径向延伸靠近，故而所述晶舟结构也能承载到所述晶圆的中心部分，所述晶圆在高温氧化过程中，其中心由于受到支撑力的作用，避免中心区域向下凹陷，所述晶圆边缘区域同样受向上支撑力的作用，阻止边缘区域热力形变的向上弯曲而与相邻所述晶舟结构域发生剐蹭，使所述晶圆在高温状态下维持平稳状态，同时改善所述晶圆成膜中心与边缘不均匀的问题，进一步提高晶圆良率。

技术特征：

1.一种晶舟结构，用于承载晶圆，其特征在于，所述晶舟结构包括：自下而上依次间隔设置的多个承载单元，每个所述承载单元包括至少两个承载结构，至少两个所述承载结构呈圆周均匀分布形成一承载面；各所述承载结构沿所属的所述承载面的径向延伸，具有相对的第一端和第二端，属于同一所述承载单元的所述承载结构的所述第一端固定，所述第二端相互靠近。

2.如权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于，所述承载面的半径为r，所述承载结构的长度为l，其中，2/3r≤l≤r。

3.如权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于，各所述承载结构具有凹陷部，所述凹陷部朝靠近下方的所述承载单元的方向凹陷。

4.如权利要求3所述的晶舟结构，其特征在于，所述承载结构包括承载件，所述承载件沿所属的所述承载面的径向延伸，且所述承载件的部分向靠近下方的所述承载单元的方向凹陷形成所述凹陷部。

5.如权利要求4所述的晶舟结构，其特征在于，所述凹陷部的宽度至少为所述承载件长度的2/3。

6.如权利要求4所述的晶舟结构，其特征在于，所述承载结构还包括至少两个承载体，至少两个所述承载体分设于所述承载件上，且位于所述凹陷部两侧。

7.如权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于，各所述承载单元为一体成型结构。

8.如权利要求1所述的晶舟结构，其特征在于，所述晶舟结构还包括支撑结构，所述支撑结构包括一对上下间隔且平行设置的支撑环和至少两个支撑柱，至少两个所述支撑柱沿所述支撑环的周向均匀间隔分布，属于同一所述承载单元的至少两个所述承载结构的所述第一端设于不同的所述支撑柱，且设于同一高度。

9.如权利要求8所述的晶舟结构，其特征在于，属于同一所述承载单元的所述承载结构的数量与所述支撑柱的数量相等，且一一对应连接。

10.如权利要求8或9所述的晶舟结构，其特征在于，所述支撑结构包括三个所述支撑柱。

技术总结
本技术提供一种晶舟结构，用于承载晶圆，所述晶舟结构包括自下而上依次设置的多个承载单元，每个所述承载单元包括至少两个承载结构，至少两个所述承载结构呈圆周均匀分布形成一承载面；各所述承载结构沿所属的所述承载面的径向延伸，具有相对的第一端和第二端，属于同一所述承载单元的所述承载结构的所述第一端固定，所述第二端相互靠近。利用本所述晶舟结构承载所述晶圆，不仅能够承载到所述晶圆边缘，也能承载到所述晶圆的中心部分，所述晶圆在高温氧化过程中，其中心由于受到支撑力的作用，避免中心区域向下凹陷，所述晶圆边缘区域同样受向上支撑力的作用，阻止边缘区域热力形变的向下弯曲，进一步提高晶圆良率。

技术研发人员：邱锦华,施剑华
受保护的技术使用者：粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：20221115
技术公布日：2024/1/11