集成电路装置的制作方法

本技术涉及一种集成电路装置及其制造方法。

背景技术：

1、半导体装置用于各种电子应用中，例如个人计算机、行动电话、数位相机及其他电子装备。半导体装置是藉由以下方式制作：在衬底之上依序沉积绝缘材料层或介电材料层、导电材料层及半导体材料层，且使用光刻将各种材料层图案化以在所述各种材料层上形成电路组件及元件。随着半导体行业已进一步至奈米技术工艺节点以追求更高的装置密度、更高的效能及更低的成本，制作及设计问题所带来的挑战已促成了三维设计的开发。

2、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历了迅速成长。ic材料及设计的技术进步已产生了一代又一代的ic，其中每一代具有较前一代更小且更复杂的电路。然而，半导体行业向奈米技术工艺节点的进步已促成了三维设计的开发，所述三维设计包括例如金属氧化物硅场效晶体管(metal-oxide-silicon field effect transistor，mos-fet)、场效晶体管(fet)、鳍型场效晶体管(fin field effecttransistor，finfet)、栅极全环绕(gate-all around，gaa)装置及嵌入式存储器结构。随着装置大小减小，制造流程变得更困难。因此，简化处理及/或去除一些工艺的ic装置制造方法往往藉由缩短处理时间及/或提高装置良率来改良制造流程。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种集成电路(ic)装置，设置有自对齐位线结构。通过设置自对齐位线结构，可简化随着装置大小减小而变得更困难的制造流程。具体而言，通过设置自对齐位线结构，能够减少或消除单独的位线接触件形成顺序以及在单独的位线接触件的形成顺序期间实行的沉积、图案化及刻蚀操作的使用，而在位线结构上设置整合的接触表面。不仅如此，还使得ic装置可具有更佳的效能及可靠性。此外，使用自对齐位线结构亦有助于提高生产良率且降低制造成本。

2、本实用新型的一种技术方案提供一种集成电路装置，包括：第一位线结构，包括第一位线水平部分及第一位线垂直部分；第一接触件，电性连接至所述第一位线垂直部分的上表面；以及第一金属图案，形成于所述第一接触件上方且与所述第一接触件电性接触。

3、本实用新型的另一种技术方案提供一种制造集成电路的方法，包括：沉积具有第一厚度的第一介电层；对所述第一介电层进行图案化及刻蚀以形成第一凹部，所述第一凹部具有侧壁深度、凹部宽度及凹部长度；在所述第一凹部中沉积具有第二厚度的第一导电层，所述第一凹部的残余部分形成第二凹部；在所述第二凹部中沉积第二介电层；以及将所述集成电路平坦化以形成平坦表面，其中所述第一导电层的残余部分在所述第一凹部内形成第一导电结构，其中所述第一导电结构包括水平部分及垂直部分，且此外其中所述垂直部分的第一接触表面暴露于所述平坦表面上。

4、本实用新型的又一种技术方案提供一种集成电路装置，包括：第一位线结构，包括第一位线水平部分及第一位线垂直部分；第一接触件，电性连接至所述第一位线水平部分的下表面；以及第一金属图案，形成于所述第一接触件下方且与所述第一接触件电性接触。

技术特征：

1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，更包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，更包括：

4.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，更包括：

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一位线结构包括：

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，

9.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其特征在于，更包括：

11.根据权利要求10所述的集成电路装置，其特征在于，更包括：

技术总结
本技术提供一种一种集成电路装置，包括第一位线结构。第一位线结构具有水平部分及垂直部分，其中垂直部分的上表面暴露出来以与接触件进行电性接触，接触件继而与金属图案电性接触，能够经由金属图案向第一位线结构施加操作电压。

技术研发人员：江宏礼,王哲夫,陈自强,张孟凡
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20221117
技术公布日：2024/1/15