半导体封装框架及半导体封装结构的制作方法

本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种半导体封装框架及半导体封装结构。

背景技术：

1、框架结构是半导体封装的基础材料，是集成电路的芯片载体，需借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到和外部导线连接的桥梁作用，主要功能是起到电路连接、散热、机械支撑等作用。

2、现有的大功率器件框架结构如图1-3所示，该框架结构主要分为基岛和引脚两部分，两者的厚度不相同，基岛部分铜片较厚，主要为了内部芯片的散热，引脚部分的厚度较薄，用于与引线和外部连接。目前基岛和引脚主要是采用分开加工，然后再将两者通过铆接的方式进行衔接在一起。此框架结构的制造工序较为繁琐，铆接工艺公差较大，不利于后续的封装，且在塑封后，铆接处在后期的可靠性测试后也容易出现分层等异常现象。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种半导体封装框架及半导体封装结构。

2、为了实现以上目的，本实用新型的技术方案为：

3、一种半导体封装框架，该半导体封装框架由一个金属片加工而形成有中间的第一区域以及所述第一区域外围的第二区域，所述第一区域设有基岛，所述第二区域设有边框部及通过所述边框部练级连接的引脚和连接部，所述连接部包括相接的第一连接部和第二连接部，所述引脚和所述第一连接部分别沿所述边框部的内侧边缘的不同位置向所述基岛和第二连接部延伸，所述第二连接部设于所述基岛的侧边，所述引脚与所述基岛间隔设置，所述边框部的内侧边缘设有切割线，沿所述切割线切割使所述引脚与基岛断开连接。

4、作为优选，所述第二连接部靠近所述引脚一侧设有凹槽，所述引脚一端朝向所述凹槽延伸，且在第一方向的投影上，所述引脚部分位于所述凹槽内，所述第一方向为所述金属片的俯视方向。

5、作为优选，所述引脚伸入所述凹槽的长度为0.7～1.5mm。

6、作为优选，所述引脚与所述凹槽底面之间的间隙为0.05～0.5mm。

7、作为优选，所述连接部设有冲压区，在所述冲压区上冲压后所述第一连接部和第二连接部上下错位，并使所述基岛和引脚位于不同的平面。

8、作为优选，所述引脚靠近所述基岛上用于安装芯片的一侧表面。

9、作为优选，所述引脚设于所述边框部上其中两个相对的内侧边缘，所述第一连接部设于所述边框部上另外两个相对的内侧边缘。

10、作为优选，所述第二区域为所述金属片上经过磨削加工的部分，所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度，所述第二区域经过蚀刻或模切后得到所述引脚、连接部和边框部。

11、作为优选，所述基岛的厚度为0.7～2mm。

12、一种半导体封装结构，包括芯片、塑封层以及上述的半导体封装框架，所述芯片贴装于所述基岛上，所述芯片与所述引脚之间通过引线连接，所述塑封层包覆住所述基岛、芯片、引线以及部分引脚，并裸露出另一部分引脚。

13、相比于现有技术，本实用新型的有益效果为：

14、(1)本申请的实用新型提出的半导体封装框架的基岛和引脚采用一体成型的方式制成，由一个金属片切割形成，制作工序简单，方便后续的封装，可靠性高，避免出现分层等现象。

15、(2)本申请的实用新型的半导体封装框架从金属片的俯视看，引脚部分伸入凹槽内，使得塑封后的半导体封装结构更加牢固。

16、(3)本申请的实用新型的半导体封装框架的制作工艺去除铆接工艺，能够提高框架的精密度以及后续封装的气密性。

17、附图说明

18、图1为现有技术的框架结构的俯视图；

19、图2为现有技术的框架结构的侧视图一；

20、图3为现有技术的框架结构的侧视图二；

21、图4为本发明的实施例的金属片经磨削加工、蚀刻或模切后的俯视图；

22、图5为图4中金属片经过冲压的a-a剖面图；

23、图6为本发明的实施例的金属片的示意图；

24、图7为本发明的实施例的金属片经过磨削加工后的示意图；

25、图8为图7的剖面图；

26、图9为本发明的实施例一的半导体封装结构的示意图；

27、图10为图4中金属片未经过冲压的a-a剖面图；

28、图11为本发明的实施例二的半导体封装结构的示意图；

技术特征：

1.一种半导体封装框架，其特征在于：该半导体封装框架由一个金属片加工而形成有中间的第一区域以及所述第一区域外围的第二区域，所述第一区域设有基岛，所述第二区域设有边框部及通过所述边框部连接的引脚和连接部，所述连接部包括相接的第一连接部和第二连接部，所述引脚和所述第一连接部分别沿所述边框部的内侧边缘的不同位置向所述基岛和第二连接部延伸，所述第二连接部设于所述基岛的侧边，所述引脚与所述基岛间隔设置，所述边框部的内侧边缘设有切割线，沿所述切割线切割使所述引脚与基岛断开连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于：所述第二连接部靠近所述引脚一侧设有凹槽，所述引脚一端朝向所述凹槽延伸，且在第一方向的投影上，所述引脚部分位于所述凹槽内，所述第一方向为所述金属片的俯视方向。

3.根据权利要求2所述的半导体封装框架，其特征在于：所述引脚伸入所述凹槽的长度为0.7～1.5mm。

4.根据权利要求2所述的半导体封装框架，其特征在于：所述引脚与所述凹槽底面之间的间隙为0.05～0.5mm。

5.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于：所述连接部设有冲压区，在所述冲压区上冲压后所述第一连接部和第二连接部上下错位，使所述基岛和引脚位于不同的平面。

6.根据权利要求5所述的半导体封装框架，其特征在于：所述引脚靠近所述基岛上用于安装芯片的一侧表面。

7.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于：所述引脚设于所述边框部上其中两个相对的内侧边缘，所述第一连接部设于所述边框部上另外两个相对的内侧边缘。

8.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于：所述第二区域为所述金属片上经过磨削加工的部分，所述第二区域的厚度小于所述第一区域的厚度，所述第二区域经过蚀刻或模切后得到所述引脚、连接部和边框部。

9.根据权利要求1所述的半导体封装框架，其特征在于：所述基岛的厚度为0.7～2mm。

10.一种半导体封装结构，其特征在于：包括芯片、塑封层以及权利要求1-9中任一项所述的半导体封装框架，所述芯片贴装于所述基岛上，所述芯片与所述引脚之间通过引线连接，所述塑封层包覆住所述基岛、芯片、引线以及部分引脚，并裸露出另一部分引脚。

技术总结
本技术公开了一种半导体封装框架及半导体封装结构，由一个金属片加工而成的第一区域和第二区域，第一区域设有基岛，第二区域设有引脚、连接部和边框部，连接部包括相接的第一连接部和第二连接部，引脚和第一连接部分别沿边框部的内侧边缘的不同位置向基岛和第二连接部延伸，第二连接部设于基岛的侧边，引脚与基岛间隔设置，边框部的内侧边缘设有切割线，沿切割线切割使引脚与基岛断开连接。该半导体封装结构包括芯片、塑封层以及上述的半导体封装框架，芯片贴装于基岛上，芯片与引脚之间通过引线连接，塑封层包覆住基岛、芯片、引线以及部分引脚，并裸露出另一部分引脚。该封装框架可简化制作工艺，提高框架的精密度及后续封装的气密性。

技术研发人员：李岩,张新儿,种兆永
受保护的技术使用者：泉州市三安集成电路有限公司
技术研发日：20221129
技术公布日：2024/1/12