一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件及互连芯片的制作方法

本技术涉及电子器件，具体涉及一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件及互连芯片。

背景技术：

1、功率器件在开关瞬态过程中，会产生快速变化的电压和电流，高频电压和电流通过系统的寄生参数形成传导干扰并影响敏感源，更高频电压和电流信号则通过空间电磁场以辐射干扰形式影响敏感源。功率变换系统的电磁兼容问题与干扰源、耦合路径和敏感源有关。基于此，有两种思路抑制系统的电磁干扰：一是降低噪声源频谱和噪声平衡；二是切断干扰源与敏感源的耦合路径。常用降低噪声源频谱的方法有软开关技术、主电路拓扑优化、脉宽调制和门极驱动技术，噪声平衡技术有反相绕组法。常用的切断干扰源与敏感源的耦合路径的方法有电磁干扰滤波器、印制电路板布局优化和屏蔽技术。其中，软开关技术和脉宽调制属于控制策略优化技术，这两种成熟的技术已经被应用到产品的开发和设计中，印制电路板布局优化技术会增加产品研发的成本，电磁干扰滤波器是目前采用最多的电磁干扰抑制技术，但是它的使用增加了产品的体积和质量。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件及互连芯片，以克服上述现有技术中的不足。

2、本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，包括导电体和铁氧化体环；导电体侧壁裹覆有铁氧化体环，导电体上下两端分别设置键合面。

3、本实用新型的有益效果是：该连接件可用于抑制芯片键合引线上的高频干扰和尖峰干扰，具有吸收静电放电脉冲干扰的能力，同时通过结构设计优化，便于芯片间的键合。

4、在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

5、进一步，导电体侧壁设置有环形槽，铁氧化体环嵌设于环形槽内。

6、进一步，导电体的材质为良导体。

7、进一步，良导体为铝或铜。

8、进一步，铁氧化体环的厚度与环形槽的深度一致。

9、一种互连芯片，包括两个芯片本体和两个抗电磁干扰的芯片互连用连接件，两个导电体下方的键合面通过导电胶分别连接于两个芯片本体上，两个导电体上方的键合面之间通过键合引线连接。

技术特征：

1.一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，其特征在于，包括导电体(1)和铁氧化体环(2)；所述导电体(1)侧壁裹覆有所述铁氧化体环(2)，所述导电体(1)上下两端分别设置键合面(11)。

2.根据权利要求1所述的一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，其特征在于，所述导电体(1)侧壁设置有环形槽(12)，所述铁氧化体环(2)嵌设于所述环形槽(12)内。

3.根据权利要求1或2任一所述的一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，其特征在于，所述导电体(1)的材质为良导体。

4.根据权利要求3所述的一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，其特征在于，所述良导体为铝或铜。

5.根据权利要求2所述的一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，其特征在于，所述铁氧化体环(2)的厚度与所述环形槽(12)的深度一致。

6.一种互连芯片，其特征在于，包括两个芯片本体(3)和两个如权利要求1至5任一所述一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，两个导电体(1)下方的键合面(11)通过导电胶分别连接于两个芯片本体(3)上，两个导电体(1)上方的键合面(11)之间通过键合引线(4)连接。

技术总结
本技术涉及一种抗电磁干扰的芯片互连用连接件，包括导电体和铁氧化体环；导电体侧壁裹覆有铁氧化体环，导电体上下两端分别设置键合面。本技术的有益效果是：该连接件可用于抑制芯片键合引线上的高频干扰和尖峰干扰，具有吸收静电放电脉冲干扰的能力，同时通过结构设计优化，便于芯片间的键合。

技术研发人员：高旭
受保护的技术使用者：武汉派思半导体有限公司
技术研发日：20221129
技术公布日：2024/1/13