半导体封装结构的制作方法

本申请的实施例涉及半导体封装结构。

背景技术：

1、随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，系统级封装(system-in-package，sip)是系统整合化构装，也就是将电子组件整合于单一构装体内，其内包含无源器件、内存及电子连接器、电感元件等内埋式组件，也包含不同的制作工艺及材料，参见图1，目前的电感元件10的磁场会辐射到电感元件10之外，对电感元件10周围造成影响。

技术实现思路

1、针对相关技术中的的问题，本实用新型提出一种半导体封装结构，以至少实现减少电感元件的磁场对外界的影响。

2、根据本实用新型实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括：中介半导体衬底，包括电感结构，以及围绕电感结构的电磁屏蔽结构。

3、在一些实施例中，中介半导体衬底包括贯穿中介半导体衬底的复数个导电柱，复数个导电柱具有配置为电感结构的至少一部分的第一部分。

4、在一些实施例中，复数个导电柱具有配置为电磁屏蔽结构的至少一部分的第二部分，复数个导电柱的第二部分围绕复数个导电柱的第一部分设置。

5、在一些实施例中，中介半导体衬底还包括位于复数个导电柱的第一部分的两相反端部上的第一线路，第一线路和复数个导电柱的第一部分组成电感结构。

6、在一些实施例中，中介半导体衬底还包括位于复数个导电柱的第二部分的两相反端部上的第二线路，第二线路和复数个导电柱的第二部分组成电磁屏蔽结构。

7、在一些实施例中，第一线路和第二线路设置在中介半导体衬底的同一层中。

8、在一些实施例中，中介半导体衬底还包括第一磁性材料，电感结构围绕第一磁性材料。

9、在一些实施例中，还包括分别叠置在中介半导体衬底的两相反侧的第一半导体衬底和第二半导体衬底，复数个导电柱还具有电连接第一半导体衬底和第二半导体衬底的第三部分。

10、在一些实施例中，中介半导体衬底还包括位于电感结构和电磁屏蔽结构之间的第二磁性材料，第二磁性材料用于阻止第一磁性材料的磁场到达电磁屏蔽结构。

11、在一些实施例中，中介半导体衬底包括：电感导电柱，内埋于中介半导体衬底中；第一线路，位于电感导电柱的两相反端部上并且内埋于中介半导体衬底中，电感导电柱和第一线路组成电感结构；屏蔽导电柱，贯穿中介半导体衬底，并且位于电感导电柱周围；第二线路，位于屏蔽导电柱的两相反端部上并且位于中介半导体衬底的表面上，屏蔽导电柱和第二线路组成电磁屏蔽结构；导电通孔，穿过第二线路并且连接至第一线路。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底包括介电层以及贯穿所述介电层的复数个导电柱，所述复数个导电柱具有配置为所述电感结构的至少一部分的第一部分。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述复数个导电柱具有配置为所述电磁屏蔽结构的至少一部分的第二部分，所述复数个导电柱的第二部分围绕所述复数个导电柱的第一部分设置。

4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底还包括位于所述复数个导电柱的第一部分的两相反端部上的第一线路，所述第一线路和所述复数个导电柱的第一部分组成所述电感结构。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底还包括位于所述复数个导电柱的第二部分的两相反端部上的第二线路，所述第二线路和所述复数个导电柱的第二部分组成所述电磁屏蔽结构。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一线路和所述第二线路设置在所述中介半导体衬底的同一层中。

7.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底还包括位于所述介电层中的第一磁性材料，所述电感结构围绕所述第一磁性材料。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括分别叠置在所述中介半导体衬底的两相反侧的第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述复数个导电柱还具有电连接所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底的第三部分。

9.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底还包括位于所述电感结构和所述电磁屏蔽结构之间的第二磁性材料，所述第二磁性材料用于阻止所述第一磁性材料的磁场到达所述电磁屏蔽结构。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述中介半导体衬底包括：

技术总结
根据本技术实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，包括：中介半导体衬底，包括电感结构，以及围绕电感结构的电磁屏蔽结构。本技术提出一种半导体封装结构，以至少实现减少电感元件的磁场对外界的影响。

技术研发人员：粘为裕,刘志明,李哲廷
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20221214
技术公布日：2024/1/13