阵列基板及显示装置的制作方法

本申请属于显示设备，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

1、目前，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)产品在像素设计存储电容线路时，公共电极与像素电极层重叠的区域为存储电容。存储电容的作用在于让充好电的电压能保持到下一次更新画面，以实现显示画面的保持。当存储电容不足或随时间变化逐步减弱时，像素电极层中的电压会不足，从而无法维持液晶或者电子浆料或者电子胶囊粒子的状态，出现显示异常。

技术实现思路

1、针对上述问题，本申请提供了一种阵列基板及显示装置，至少解决了在先技术中的tft设备易出现电容储存不足从而导致显示异常的问题。

2、本申请实施例提供一种阵列基板，包括扫描线、数据线和公共电极线，所述扫描线和所述数据线交叉以限定多个像素单元，所述像素单元内设有存储电容区；

3、所述阵列基板还包括衬底以及依次层叠设于所述衬底上的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和像素电极层；

4、所述公共电极线包括设于所述存储电容区内的下电极部，所述第二金属层包括设于所述存储电容区内的中电极部，所述像素电极层包括设于所述存储电容区内的上电极部，所述上电极部与所述中电极部电性连接；

5、其中，所述第一绝缘层设于所述下电极部与所述上电极部之间，且所述下电极部、所述第一绝缘层与所述上电极部形成第一存储电容；所述第二绝缘层设于所述下电极部与所述中电极部之间，且所述下电极部、所述第二绝缘层与所述中电极部形成第二存储电容。

6、在一实施例中，所述第一金属层形成所述扫描线与所述公共电极线；

7、所述第二金属层形成所述数据线与辅助金属线，所述辅助金属线沿所述公共电极线延伸并与所述公共电极线至少部分重叠以形成所述第二存储电容。

8、在一实施例中，所述阵列基板还包括设于所述像素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源漏极，所述栅极形成于所述衬底，所述源漏极形成于所述栅极背离所述衬底的一侧，所述栅极与所述源漏极之间设有所述第一绝缘层；

9、所述下电极部与所述栅极同层设置，所述中电极部与所述源漏极同层设置。

10、在一实施例中，所述阵列基板还包括第四绝缘层和反射层，所述第四绝缘层形成于所述像素电极层背离所述衬底的一侧，所述反射层形成于所述第四绝缘层背离所述衬底的一侧。

11、在一实施例中，所述像素电极层包括依次层叠设置的第一像素电极层、第三绝缘层和第二像素电极层，所述第一像素电极层形成于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧，所述第三绝缘层形成于所述第一像素电极层背离所述第二绝缘层的一侧，所述第二像素电极层形成于所述第三绝缘层背离第一像素电极层的一侧。

12、在一实施例中，所述第四绝缘层的材质为感光材料。

13、在一实施例中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的材质均为有机绝缘材料或无机绝缘材料。

14、在一实施例中，所述第二绝缘层内开设有通孔，所述中电极部与所述下电极部通过所述通孔电连接。

15、本申请实施例还提供一种显示装置，包括所述阵列基板。

16、在一实施例中，所述显示装置为全透特定视角扭曲向列显示装置、全透全视角平面转换显示装置、半透半反电控双折射显示装置、全反电控双折射显示装置、半透半反多畴垂直配向显示装置、全反多畴垂直配向显示装置、电子纸显示装置、电子墨水屏显示装置中的任一种。

17、本申请针对在先技术中的tft设备易出现电容储存不足从而导致显示异常的问题作出改进设计，使相邻的两组金属层与像素电极配合形成两个电容，在保留了原有的存储电容的基础上，增加了一层新的存储电容，以保证像素电极层电场的稳定，改善了因存储电容不足造成的显示异常的情况；

18、本申请结构简洁，通过相邻的三组金属层形成两个电容，增强了tft产品的存储电容，改善了因存储电容不足造成的显示异常的情况，实用性强。

技术特征：

1.一种阵列基板，包括扫描线、数据线和公共电极线，所述扫描线和所述数据线交叉以限定多个像素单元，其特征在于，所述像素单元内设有存储电容区；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层形成所述扫描线与所述公共电极线；

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述像素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极和源漏极，所述栅极形成于所述衬底，所述源漏极形成于所述栅极背离所述衬底的一侧，所述栅极与所述源漏极之间设有所述第一绝缘层；

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第四绝缘层和反射层，所述第四绝缘层形成于所述像素电极层背离所述衬底的一侧，所述反射层形成于所述第四绝缘层背离所述衬底的一侧。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括依次层叠设置的第一像素电极层、第三绝缘层和第二像素电极层，所述第一像素电极层形成于所述第二绝缘层背离所述第二金属层的一侧，所述第三绝缘层形成于所述第一像素电极层背离所述第二绝缘层的一侧，所述第二像素电极层形成于所述第三绝缘层背离第一像素电极层的一侧。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第四绝缘层的材质为感光材料。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层的材质均为有机绝缘材料或无机绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层内开设有通孔，所述中电极部与所述下电极部通过所述通孔电连接。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为全透特定视角扭曲向列显示装置、全透全视角平面转换显示装置、半透半反电控双折射显示装置、全反电控双折射显示装置、半透半反多畴垂直配向显示装置、全反多畴垂直配向显示装置、电子纸显示装置、电子墨水屏显示装置中的任一种。

技术总结
本申请适用于显示设备技术领域，提出一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括衬底以及设于衬底上的薄膜晶体管、像素电极层、公共电极线，衬底上还设有存储电容区以及设于存储电容区内的第一存储电容和第二存储电容；第一存储电容包括下电极部、第一绝缘层与中电极部；第二存储电容，第二存储电容包括下电极部、第一绝缘层、第二绝缘层和上电极部，且上电极部与中电极部电连接；下电极部、中电极部、上电极部于衬底上的投影至少部分重合；显示装置包括阵列基板；本申请结构简洁，通过相邻的三组金属层形成两个电容，增强了TFT产品的存储电容，改善了因存储电容不足造成的显示异常的情况。

技术研发人员：乔传兴,赵约瑟,袁进,王凯,蔡昌宇,李水龙
受保护的技术使用者：深圳莱宝高科技股份有限公司
技术研发日：20221215
技术公布日：2024/1/12