太阳能电池的制作方法

本技术涉及光伏领域，尤其涉及一种太阳能电池。

背景技术：

1、perc电池(passivated emitter and rear cell，钝化发射极和后部接触太阳能电池)技术是目前市场上p型硅基电池的主流，目前量产的perc电池效率水平可以达到23.0％以上，但再往上提升电池效率难度较大，主要受限于界面以及金属电极下方的钝化。

2、目前，p型perc电池通常采用选择性发射极(selective emitter，se)技术，即在硅片上与金属电极接触的部位进行重掺杂，在硅片不与金属电极接触的部位进行轻掺杂；这样的结构可降低发射极复合，提高光线的短波响应，同时减少前金属电极与硅的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。

3、但是，发明人发现：即使在金属电极下方实现重磷掺杂，但金属电极下方的复合仍比较高，且重掺杂对光具有吸收作用，成为限制电池效率提升的主要因素之一。

4、有鉴于此，有必要提供一种改进太阳能电池，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型旨在解决上述技术问题之一，提供一种改进的太阳能电池。

2、为实现上述实用新型目的之一，本实用新型采用如下技术方案：

3、一种太阳能电池，包括p型硅片，所述硅片的正面具有金属化区域、非金属化区域；所述太阳能电池还包括：依次设置于所述金属化区域正面的隧穿氧化层、n型掺杂多晶硅层、正面金属电极；依次设置于所述非金属化区域正面的轻掺杂发射极、正面钝化层、正面减反层；依次设置于所述硅片背面的背面钝化层、背面减反层、背面金属电极。

4、进一步地，所述正面金属电极包括主栅和副栅，所述金属化区域为与所述副栅对应的区域，或所述金属化区域包括与所述副栅对应的区域、与所述主栅对应的区域。

5、进一步地，所述隧穿氧化层的厚度介于0.5nm～2.5nm之间，所述隧穿氧化层为氧化硅层、氮氧化硅层中的一种或者两种形成的叠层膜结构。

6、进一步地，所述n型掺杂多晶硅层的厚度介于20nm～300nm之间。

7、进一步地，所述正面钝化层的厚度为60nm～100nm，所述正面钝化层为氮化硅层。

8、进一步地，所述正面减反层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种叠层膜。

9、进一步地，所述正面钝化层与所述正面减反层的厚度之和为60nm～130nm。

10、进一步地，所述背面钝化层的厚度为3nm～20nm，所述背面钝化层为氧化铝钝化层。

11、进一步地，所述背面减反层的厚度介于60nm～130nm，所述背面减反层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种叠层膜。

12、进一步地，所述背面金属电极与硅片接触，所述背面金属电极为铝电极。

13、本实用新型的有益效果是：本实用新型的太阳能电池，打破以往p型perc电池的se传统结构，不在所述金属化区域形成重掺杂，极大的减少正面对光的吸收，而是在正面的金属化区域引入隧穿钝化结构(n+poly-finger结构)，可以有效降低金属电极下方的复合，大幅提高电池的开路电压(voc)和填充因子(ff)，从而提高电池效率。

技术特征：

1.一种太阳能电池，包括p型硅片，所述硅片的正面具有金属化区域、非金属化区域；其特征在于，所述太阳能电池还包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面金属电极包括主栅和副栅，所述金属化区域为与所述副栅对应的区域，或所述金属化区域包括与所述副栅对应的区域、与所述主栅对应的区域。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度介于0.5nm～2.5nm之间，所述隧穿氧化层为氧化硅层、氮氧化硅层中的一种或者两种形成的叠层膜结构。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述n型掺杂多晶硅层的厚度介于20nm～300nm之间。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化层的厚度为60nm～100nm，所述正面钝化层为氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面减反层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种叠层膜。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述正面钝化层与所述正面减反层的厚度之和为60nm～130nm。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面钝化层的厚度为3nm～20nm，所述背面钝化层为氧化铝钝化层。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面减反层的厚度介于60nm～130nm，所述背面减反层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种或多种叠层膜。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面金属电极与硅片接触，所述背面金属电极为铝电极。

技术总结
本技术提供一种太阳能电池,包括P型硅片，所述硅片的正面具有金属化区域、非金属化区域；所述太阳能电池还包括：依次设置于所述金属化区域正面的隧穿氧化层、N型掺杂多晶硅层、正面金属电极；依次设置于所述非金属化区域正面的轻掺杂发射极、正面钝化层、正面减反层；依次设置于所述硅片背面的背面钝化层、背面减反层、背面金属电极。本技术打破以往P型PERC电池的SE传统结构，不在所述金属化区域形成重掺杂，极大的减少正面对光的吸收，而是在正面的金属化区域引入隧穿钝化结构，可以有效降低金属电极下方的复合，大幅提高电池的开路电压和填充因子，从而提高电池效率。

技术研发人员：叶晓亚,邓伟伟,王栩生
受保护的技术使用者：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
技术研发日：20221219
技术公布日：2024/1/13