一种用于真空灭弧室的触头结构及其真空灭弧室的制作方法

本技术属于真空灭弧室，具体涉及一种用于真空灭弧室的触头结构及其真空灭弧室。

背景技术：

1、真空灭弧室是真空断路器中的重要组成部分，为了提高高压真空灭弧室的短路开断能力，通常在在灭弧室中引入磁场来控制真空电弧，主要分为纵向磁场和横向磁场。但在传统的横磁触头结构中，在触头间隙中心区域的磁场强度较弱，磁吹力达不到灭弧要求，而纵向磁场触头能在燃弧期间控制电弧的形态，抑制电弧聚集和阳极斑点的产生，减轻触头表面的烧蚀，在较高电压等级下其开断性能要优于横向磁场触头。

2、传统纵磁触头系统，动静触头均为纵向磁场触头，适合于普通的大开距电弧开断，在电流快速转移式的短间隙电弧开断时，纵向磁场存在冗余。同时，传统杯状纵磁触头系统机械强度低，运动部件质量大，触头分离速度低，开断能力不足，不适合用于大容量真空灭弧室。

3、因此，如何提高提升真空灭弧室的通流能力和开断性能，已经成为真空灭弧室研究中急需解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种用于真空灭弧室的触头结构及其真空灭弧室，提高真空灭弧室的通流能力和开断性能。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，包括静触头座、动触头、动导电杆以及静导电杆，所述静触头座的侧壁上设置有至少4个纵向槽，所述纵向槽靠近动触头一侧为敞口设置，所述静触头座上设置有触头片，所述触头片与所述动触头互相分离或接触。

4、本实用新型进一步设置，所述静触头座、静导电杆以及所述触头片同轴心设置。

5、本实用新型进一步设置，所述动触头、动导电杆以及触头片同轴心设置。

6、本实用新型进一步设置，所述静触头座为圆柱形结构，所述纵向槽沿其圆周方向均匀分布。

7、本实用新型进一步设置，所述纵向槽于所述静触头座上形成有挡面，所述挡面上开设有开孔，所述开孔内设置有磁铁。

8、本实用新型进一步设置，所述触头片的横截面积小于所述静触头座的横截面积，其中所述触头片不遮挡所述纵向槽的敞口。

9、本实用新型进一步设置，所述动触头的上端面设置有引弧槽，所述引弧槽呈辐射分布。

10、本实用新型还提供了一种真空灭弧室，其特征在于，包括上述的触头结构。

11、本实用新型的有益效果：本实用新型中通过采用纵向槽的方式实现电弧的纵向调控，同时增设磁铁，使得电弧在触动片的中心产生后，通过磁铁能够快速的进入到纵向槽内从而防止电弧集聚；此外在动触头的中心也设置相应的引弧槽，引弧槽自中心向四周辐射，从而将电弧引出，实现快速灭弧，提高分断能力。

技术特征：

1.一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，包括静触头座、动触头、动导电杆以及静导电杆，所述静触头座的侧壁上设置有至少4个纵向槽，所述纵向槽靠近动触头一侧为敞口设置，所述静触头座上设置有触头片，所述触头片与所述动触头互相分离或接触。

2.如权利要求1所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述静触头座、静导电杆以及所述触头片同轴心设置。

3.如权利要求2所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述动触头、动导电杆以及触头片同轴心设置。

4.如权利要求3所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述静触头座为圆柱形结构，所述纵向槽沿其圆周方向均匀分布。

5.如权利要求4所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述纵向槽于所述静触头座上形成有挡面，所述挡面上开设有开孔，所述开孔内设置有磁铁。

6.如权利要求5所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述触头片的横截面积小于所述静触头座的横截面积，其中所述触头片不遮挡所述纵向槽的敞口。

7.如权利要求6所述的一种用于真空灭弧室的触头结构，其特征在于，所述动触头的上端面设置有引弧槽，所述引弧槽呈辐射分布。

8.一种真空灭弧室，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的触头结构。

技术总结
本技术为一种用于真空灭弧室的触头结构及其真空灭弧室，其特征在于，包括静触头座、动触头、动导电杆以及静导电杆，所述静触头座的侧壁上设置有至少4个纵向槽，所述纵向槽靠近动触头一侧为敞口设置，所述静触头座上设置有触头片，所述触头片与所述动触头互相分离或接触。本技术中通过采用纵向槽的方式实现电弧的纵向调控，同时增设磁铁，使得电弧在触动片的中心产生后，通过磁铁能够快速的进入到纵向槽内从而防止电弧集聚；此外在动触头的中心也设置相应的引弧槽，引弧槽自中心向四周辐射，从而将电弧引出，实现快速灭弧，提高分断能力。

技术研发人员：张天培
受保护的技术使用者：华光电子股份有限公司
技术研发日：20221220
技术公布日：2024/1/12