一种高绝缘性热敏电阻的制作方法

文档序号:34493146发布日期:2023-06-17 23:00阅读:30来源:国知局
一种高绝缘性热敏电阻的制作方法

本技术涉及热敏电阻,具体为一种高绝缘性热敏电阻。


背景技术:

1、热敏电阻是指为了处理温度变化,而利用半导体的电阻率变化的原理制作的半导体元件,热敏电阻随着时间变化小,除了温度因素外,对电和磁等其他因素的反应不敏感,因此,热敏电阻广泛应用于家电产品的温度传感器、办公自动化设备温度传感器、汽车及工业设备的检测温度和控制温度的温控传感器等几乎大部分家电和工业设备。热敏电阻包括正温度系数热敏电阻和负温度系数热敏电阻,负温度系数(ntc)热敏电阻应满足电阻随着温度的升高而降低的电气特性,随着使用环境的变化和使用时间的推移应在规定的范围内出现特性变化。公开号为cn206619455u的中国实用新型专利,提出了一种高绝缘性负温度系数热敏电阻,包括陶瓷外壳和位于陶瓷外壳内部的陶瓷小体,陶瓷小体下方设有引接线,陶瓷外壳正面开口形成空隙部,下方设有引接线出口,引接线穿过所述引接线出口;陶瓷外壳的底部两侧设有导向凸起,导向凸起之间设有间隔部,陶瓷外壳的空隙部与陶瓷小体之间填充有树脂附着部;此技术方案中陶瓷小体与陶瓷外壳之间浇注有树脂,树脂的导热性能差,会阻挡陶瓷小体的散热,热量存在陶瓷小体的外侧,降低此热敏电阻的稳定性,使用不便。

2、为此,本实用新型提供一种高绝缘性热敏电阻。


技术实现思路

1、针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种高绝缘性热敏电阻,以解决上述背景技术中提出的问题,本实用新型通过固定杆和陶瓷壳体能够将陶瓷小体产生的热量导出,从而提高陶瓷小体的稳定性,使用方便。

2、为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种高绝缘性热敏电阻,包括陶瓷壳体,所述陶瓷壳体的一侧开设有安装槽,所述安装槽的内部设置有陶瓷小体,所述安装槽的底部横向开设有横槽,所述陶瓷小体的底部固定设置有引针,所述安装槽的底部的两侧对称开设有缺口,所述引针的数量为两个。

3、进一步的,所述安装槽与陶瓷小体之间注有密封树脂。

4、进一步的,所述安装槽的内壁上对应位置处固定安装有固定杆,所述固定杆的一端与陶瓷小体的外壁接触。

5、进一步的,所述固定杆固定设置在密封树脂的内部,所述固定杆的另一端与陶瓷壳体固定相连。

6、进一步的,所述横槽的中间位置竖向固定安装有竖杆,所述竖杆的数量为四个。

7、进一步的,所述引针的一侧对应位置处固定设置有横板,所述横板固定安装在横槽的内部。

8、进一步的,所述横槽和缺口的内部注有密封树脂。

9、进一步的,所述缺口的底端的外侧开设有弧形槽,所述引针固定安装在缺口的内部。

10、本实用新型的有益效果:本实用新型一种高绝缘性热敏电阻在安装槽的内部和陶瓷小体之间浇注密封树脂,固定杆设置在密封树脂的内部,通过固定杆和陶瓷壳体对陶瓷小体进行散热,能够提高其散热能力和该热敏电阻的稳定性,通过固定杆也能够提高密封树脂的稳固性,通过横槽、横板、弧形槽和内部的密封树脂能够对引针与缺口之间进行密封固定,提高该热敏电阻绝缘性。



技术特征:

1.一种高绝缘性热敏电阻,包括陶瓷壳体(1),其特征在于,所述陶瓷壳体(1)的一侧开设有安装槽(2),所述安装槽(2)的内部设置有陶瓷小体(5),所述安装槽(2)的底部横向开设有横槽(4),所述陶瓷小体(5)的底部固定设置有引针(6),所述安装槽(2)的底部的两侧对称开设有缺口(8),所述引针(6)的数量为两个,所述安装槽(2)与陶瓷小体(5)之间注有密封树脂(3),所述安装槽(2)的内壁上对应位置处固定安装有固定杆(7),所述固定杆(7)的一端与陶瓷小体(5)的外壁接触,所述固定杆(7)固定设置在密封树脂(3)的内部,所述固定杆(7)的另一端与陶瓷壳体(1)固定相连,所述引针(6)的一侧对应位置处固定设置有横板(10),所述横板(10)固定安装在横槽(4)的内部,所述横槽(4)和缺口(8)的内部注有密封树脂(3),所述缺口(8)的底端的外侧开设有弧形槽(9),所述引针(6)固定安装在缺口(8)的内部。

2.根据权利要求1所述的一种高绝缘性热敏电阻,其特征在于:所述横槽(4)的中间位置竖向固定安装有竖杆,所述竖杆的数量为四个。


技术总结
本技术提供一种高绝缘性热敏电阻,包括陶瓷壳体,所述陶瓷壳体的一侧开设有安装槽,所述安装槽的内部设置有陶瓷小体,所述安装槽的底部横向开设有横槽,在安装槽的内部和陶瓷小体之间浇注密封树脂,固定杆设置在密封树脂的内部,通过固定杆和陶瓷壳体对陶瓷小体进行散热,能够提高其散热能力和该热敏电阻的稳定性,通过固定杆也能够提高密封树脂的稳固性,通过横槽、横板、弧形槽和内部的密封树脂能够对引针与缺口之间进行密封固定,提高该热敏电阻绝缘性。

技术研发人员:刘倩,朱金鸿,李本文,李莉
受保护的技术使用者:山东中厦电子科技有限公司
技术研发日:20221229
技术公布日:2024/1/12
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