一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构的制作方法

本技术涉及直线型halbach阵列磁铁，具体涉及一种halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构。

背景技术：

1、halbacharray(海尔贝克磁铁阵列)是一种超强磁铁结构，是一种经过设计的近乎理想的磁体结构，目的是用最少的磁铁产生最强的磁场。1979年，美国科学家克劳斯·哈尔巴赫klaushalbach在实验电子加速实验时，制造出了这种特殊的永磁铁结构并逐渐完善，最终形成了海尔贝克磁铁阵列，如今，海尔贝克磁铁阵列被广泛用在3c电子产品、智慧家具等领域。

2、现有的直线型海尔贝克磁铁阵列，如图3所示，其由四个长宽高尺寸相同的单磁体沿直线方向排列而成，四个单磁体其充磁方向依次为“水平向左”、“竖直向下”、“水平向右”及“竖直向上”。现有的直线型halbach(海尔贝克)磁铁排列方式其磁通密度有限，若需提升其表面磁通密度，现有方式通常会更换钕铁硼磁钢的牌号，如此会增大磁组件的成本，不利于市场推广。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，以解决现有技术中存在的现有直线型海尔贝克磁铁阵列其表面磁通密度较低的技术问题；本实用新型提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果；详见下文阐述。

2、为实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案：

3、本实用新型提供的一种halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，其中：所述第一磁体的充磁方向为水平向左；所述第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体，所述第一左单磁体的充磁方向和所述第一右单磁体的充磁方向轴对称；所述第二磁体的充磁方向为水平向右；所述第二磁组包括充磁方向向上倾斜设置的第二左单磁体和第二右单磁体，所述第二左单磁体的充磁方向和所述第二右单磁体的充磁方向轴对称。

4、优选地，所述第一磁体的长宽高尺寸、所述第一磁组的长宽高尺寸、所述第二磁体的长宽高尺寸和所述第二磁组的长宽高尺寸相同。

5、优选地，所述第一左单磁体的长宽高尺寸和所述第一右单磁体的长宽高尺寸相同。

6、优选地，所述第二左单磁体的长宽高尺寸和所述第二右单磁体的长宽高尺寸相同。

7、优选地，所述第一左单磁体的充磁方向向左下方倾斜设置；所述第一左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为锐角。

8、优选地，所述第一左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。

9、优选地，所述第二左单磁体的充磁方向向右上方倾斜设置；所述第二左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为锐角。

10、优选地，所述第二左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。

11、优选地，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体均为钕铁硼磁体。

12、优选地，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体的牌号相同。

13、本实用新型提供的一种halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构至少具有以下有益效果：

14、所述halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组形成直线型海尔贝克磁铁阵列。

15、所述第一磁体的充磁方向为水平向左，所述第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体，所述第一左单磁体的充磁方向和第一右单磁体的充磁方向轴对称，所述第二磁体的充磁方向为水平向右，所述第二左单磁体的充磁方向与所述第二右单磁体的充磁方向轴对称，采用此结构的直线型海尔贝克磁铁阵列，勿需更换磁体牌号，勿需改变整体磁组件的体积，即可显著提高表面磁通密度

16、本实用新型可以在不更换钕铁硼磁钢牌号、不改变直线halbach磁组件总体积的前提下，将贴近磁组件表面的磁通密度提升600gs左右，其磁通密度提升效果显著。

技术特征：

1.一种halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，其中：

2.根据权利要求1所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体的长宽高尺寸、所述第一磁组的长宽高尺寸、所述第二磁体的长宽高尺寸和所述第二磁组的长宽高尺寸相同。

3.根据权利要求2所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的长宽高尺寸和所述第一右单磁体的长宽高尺寸相同。

4.根据权利要求2所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的长宽高尺寸和所述第二右单磁体的长宽高尺寸相同。

5.根据权利要求1所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的充磁方向向左下方倾斜设置；

6.根据权利要求5所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。

7.根据权利要求1所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的充磁方向向右上方倾斜设置；

8.根据权利要求7所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第二左单磁体的充磁方向与竖直方向的夹角为20°。

9.根据权利要求1所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体均为钕铁硼磁体。

10.根据权利要求1所述的halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，其特征在于，所述第一磁体、所述第一左单磁体、所述第一右单磁体、所述第二磁体、所述第二左单磁体和所述第二右单磁体的牌号相同。

技术总结
本技术提供了一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构，涉及海尔贝克磁铁阵列技术领域，所述Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组，第一磁体的充磁方向为水平向左，第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体，第一左单磁体和第一右单磁体的充磁方向轴对称，第二磁体的充磁方向为水平向右，第二磁组包括充磁方向向上倾斜设置的第二左单磁体和第二右单磁体，第二左单磁体和第二右单磁体的充磁方向轴对称；本技术为直线型海尔贝克磁铁阵列，可在不更换牌号，不加大磁体总体积的前提下，实现磁铁阵列表面磁通密度的显著提高。

技术研发人员：周保平,刘博文,李鑫,林云,周维娜
受保护的技术使用者：包头市英思特稀磁新材料股份有限公司
技术研发日：20221227
技术公布日：2024/1/12