本技术属于半导体器件芯片制造设备,尤其涉及一种离子注入机的冷却系统。
背景技术:
1、离子注入技术广泛应用于现代半导体器件芯片制造。离子注入具有可掺杂多种元素、剂量控制精准、不受表面固溶度限制等诸多优点,成为芯片制造不可或缺的加工工步。离子注入机是颇为复杂的设备,它含有高电压、高真空、高强度可控磁场电场、高精准可控特气流量以及高精度机械转动机构和传动系统,其中对一些发热部件还得有冷却系统给予散热方能保证设备正常工作。
2、传统的冷却系统采用的制冷剂是氟利昂f113,随着国际社会对生态环境要求的提高,这种氟利昂已被禁止生产,离子注入机要继续使用,必须找到制冷剂的替代品。
技术实现思路
1、本申请实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种离子注入机的冷却系统,用于解决离子注入机冷却的问题。
2、本申请实施例解决上述技术问题的技术方案如下:一种离子注入机的冷却系统,其包括:
3、循环回路,连接于所述离子注入机的待冷却部件两端,所述循环回路包括次串接的水箱、水泵及热交换器,所述循环回路中循环介质为纯水;
4、第一过滤器,串接于所述循环回路中,以过滤固体颗粒。
5、相较于现有技术,以上技术方案具有如下有益效果:
6、通过水泵将水箱中纯水循环至离子注入机的待冷却部件处进行冷却,热交换器对循环介质进行换热冷却,便于循环冷却使用,纯水的电导率在常温下能够达到18mωcm,避免离子注入机在使用过程中的打火现象,第一过滤器过滤循环介质中的固体颗粒杂质。
7、进一步地,还包括第二过滤器,串接于所述第一过滤器与所述热交换器之间,所述第二过滤器中填充有抛光树脂颗粒,用于过滤所述循环介质中导电离子。
8、进一步地,还包括连接于所述循环回路中的电阻率表,以将所述循环介质的电阻率控制在不低于10mωcm。
9、进一步地,所述循环回路中还连接有压力表,所述压力表设置于所述离子注入机的入口,以将所述循环介质的压力控制在不低于1.0kg/cm2。
10、进一步地,还包括第一温度计,所述第一温度连接于所述离子注入机入口端的所述循环回路中,用于检测进入所述离子注入机的液温。
11、进一步地,还包括第二温度计,所述第二温度计连接于所述离子注入机出口端的所述循环回路中,用于检测流出所述离子注入机的液温,以将所述循环介质的温差控制在不大于25℃。
12、进一步地,所述第一过滤器中配置有pp熔喷滤芯。
13、进一步地,所述水泵的流量不小于10l/min,所述水泵的出水压力不小于3kg/cm2。
14、进一步地,所述水箱中安装有液位计。
1.一种离子注入机的冷却系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的冷却系统,其特征在于,还包括第二过滤器,串接于所述第一过滤器与所述热交换器之间,所述第二过滤器中填充有抛光树脂颗粒,用于过滤所述循环介质中导电离子。
3.根据权利要求2所述的冷却系统,其特征在于,还包括连接于所述循环回路中的电阻率表,以将所述循环介质的电阻率控制在不低于10mωcm。
4.根据权利要求3所述的冷却系统,其特征在于,所述循环回路中还连接有压力表,所述压力表设置于所述离子注入机的入口,以将所述循环介质的压力控制在不低于1.0kg/cm2。
5.根据权利要求4所述的冷却系统,其特征在于,还包括第一温度计,所述第一温度连接于所述离子注入机入口端的所述循环回路中,用于检测进入所述离子注入机的液温。
6.根据权利要求5所述的冷却系统,其特征在于,还包括第二温度计,所述第二温度计连接于所述离子注入机出口端的所述循环回路中,用于检测流出所述离子注入机的液温,以将所述循环介质的温差控制在不大于25℃。
7.根据权利要求6所述的冷却系统,其特征在于,所述第一过滤器中配置有pp熔喷滤芯。
8.根据权利要求6所述的冷却系统,其特征在于,所述水泵的流量不小于10l/min,所述水泵的出水压力不小于3kg/cm2。
9.根据权利要求6所述的冷却系统,其特征在于,所述水箱中安装有液位计。