固态成像装置和电子设备的制作方法

本技术(根据本公开的技术)涉及固态成像装置和电子设备，并且具体地，涉及包括电荷保持部的固态成像装置和电子设备。

背景技术：

1、传统上，诸如浮动扩散的电荷保持部已用作临时保持由诸如光电二极管的光电转换部进行光电转换的信号电荷的存储器。然而，在浮动扩散中暂时保持信号电荷的情况下，由于杂散光，寄生光感应(pls)可能成为问题。更具体地，当杂散光进入浮动扩散时，也在浮动扩散内部执行光电转换而产生信号电荷，并且错误地检测信号电荷。因此，在以下专利文献1中，将浮动扩散的位置与像素的光学中心分离，以便与现有技术相比更好地抑制杂散光。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利申请公开号2017-168566

技术实现思路

1、本发明要解决的问题

2、本技术的目的是提供能够进一步抑制pls的固态成像装置和电子设备。

3、问题的解决方案

4、根据本技术的一个方面，提供了一种固态成像装置，包括：第一半导体衬底，包括第一半导体层和第一布线层，第一半导体层设置有执行光电转换的多个光电转换部，第一布线层设置在第一半导体层的与光入射表面相对的表面侧上；第二半导体衬底，包括第二半导体层和第二布线层，第二半导体层设置有电荷保持部，电荷保持部保持光电转换部中产生的信号电荷，第二布线层设置在第二半导体层的一个表面侧上，并且第二布线层与第一半导体衬底重叠并接合，使得第二布线层位于第一布线层与第二半导体层之间；以及遮光层，设置在第一布线层或第二布线层中的至少一者的在厚度方向上面向电荷保持部的位置处。

5、根据本技术的另一方面，提供包括固态成像装置和光学系统的电子设备，光学系统在固态成像装置上形成来自对象的成像光的图像。

6、根据本技术的另一方面，提供了一种固态成像装置，包括：第一半导体层，包括第一区域和第二区域，第一区域包括第一半导体材料，并且第二区域包括第二半导体材料，第二半导体材料的量子效率低于第一半导体材料的量子效率，量子效率指示光子被转换为电子的概率，并且第一半导体层包括执行光电转换的光电转换部和保持由光电转换部产生的信号电荷的电荷保持部，其中，光电转换部设置在包括第一区域和第二区域的区域中的至少第一区域中，并且电荷保持部设置在第二区域中。

7、根据本技术的另一方面，提供包括固态成像装置和光学系统的电子设备，光学系统在固态成像装置上形成来自对象的成像光的图像。

技术特征：

1.一种固态成像装置，包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中，

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

5.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

6.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

8.根据权利要求7所述的固态成像装置，其中，

9.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

10.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，

11.一种电子设备，包括：

12.一种固态成像装置，包括：

13.根据权利要求12所述的固态成像装置，其中，

14.根据权利要求13所述的固态成像装置，其中，

15.根据权利要求13所述的固态成像装置，其中，

16.根据权利要求13所述的固态成像装置，其中，

17.根据权利要求12所述的固态成像装置，其中，

18.根据权利要求12所述的固态成像装置，其中，

19.根据权利要求12所述的固态成像装置，其中，

20.一种电子设备，包括：

技术总结
本发明进一步抑制PLS。一种固态成像装置包括：第一半导体衬底，具有设置有用于执行光电转换的多个光电转换部的第一半导体层和设置在与光入射表面相对的第一半导体层的表面侧上的第一布线层；第二半导体衬底，具有第二半导体层和第二布线层，第二半导体层设置有电荷保持部，电荷保持部用于保持光电转换部中产生的信号电荷，第二布线层设置在第二半导体层的一个表面上，并且第二半导体层与第一半导体衬底重叠并接合至第一半导体衬底，使得第二布线层位于第一布线层与所述第二半导体层之间；以及遮光层，设置在第一布线层和第二布线层中的至少一个中，以便位于在厚度方向上相对于电荷保持部的位置处。

技术研发人员：村濑拓郎
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15