发光元件的制作方法

本发明的实施方式涉及发光元件。

背景技术：

1、例如，专利文献1中公开了一种发光元件，该发光元件包含具有隧道结层的氮化物半导体层。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：(日本)特开2017－157667号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的技术问题

2、在这样的发光元件中，期望降低正向电压。本发明的实施方式的目的在于提供一种能够降低正向电压的发光元件。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明一个实施方式的发光元件具有：半导体层叠体，具有第一发光部、第二发光部以及隧道结层，所述第一发光部由包含第一n侧半导体层、第一p侧半导体层以及在所述第一n侧半导体层与所述第一p侧半导体层之间设置的第一活性层在内的氮化物半导体构成，所述第二发光部位于第一发光部上，并且由包含第二n侧半导体层、第二p侧半导体层以及在所述第二n侧半导体层与所述第二p侧半导体层之间设置的第二活性层在内的氮化物半导体构成，所述隧道结层设置在所述第一p侧半导体层与所述第二n侧半导体层之间；n侧电极，其与所述第一n侧半导体层电连接；p侧电极，其与所述第二p侧半导体层电连接；所述第一n侧半导体层包含第一n型杂质浓度的第一层叠部，所述第一层叠部具有由第一层和晶格常数与所述第一层不同的第二层交替层叠而成的多层构造，所述第二n侧半导体层包含第二n型杂质浓度的第二层叠部，所述第二层叠部具有由第三层和晶格常数与所述第三层不同的第四层交替层叠而成的多层构造，所述第二n型杂质浓度比所述第一n型杂质浓度高。

5、有益的效果

6、根据本发明一个实施方式的发光元件，能够提供能够降低正向电压的发光元件。

技术特征：

1.一种发光元件，具有：

2.根据权利要求1所述的发光元件，

3.根据权利要求1或2所述的发光元件，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件，

技术总结
一种发光元件，具有半导体层叠体，该半导体层叠体具有第一发光部、第二发光部以及隧道结层，所述第一发光部由包含第一n侧半导体层、第一p侧半导体层以及第一活性层在内的氮化物半导体构成，所述第二发光部位于第一发光部上，并且由包含第二n侧半导体层、第二p侧半导体层以及第二活性层在内的氮化物半导体构成，所述隧道结层设置在所述第一p侧半导体层与所述第二n侧半导体层之间，所述第一n侧半导体层包含第一n型杂质浓度的第一层叠部，所述第一层叠部具有由第一层和第二层交替层叠而成的多层构造，所述第二n侧半导体层包含第二n型杂质浓度的第二层叠部，所述第二层叠部具有由第三层和晶格常数与所述第三层不同的第四层交替层叠而成的多层构造，所述第二n型杂质浓度比所述第一n型杂质浓度高。

技术研发人员：船越良太,岸野利彦
受保护的技术使用者：日亚化学工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16