裸片的贯穿沟槽隔离的制作方法

本说明书涉及裸片。更具体地说，本说明书涉及具有贯穿沟槽用于裸片区域间隔离的裸片。

背景技术：

1、在电子技术中，晶片(也称为切片)是用于制造集成电路(ic)的半导体薄切片，如晶体硅(c-si)。晶片用作晶片中和晶片上构建的微电子装置的衬底。晶片经历许多微制造工艺，例如掺杂、离子注入、蚀刻、各种材料的薄膜沉积和光刻图案化。最后，包含微电路的各个裸片通过晶片切割分离并封装为集成电路。

2、聚对二甲苯是一种包含氢(h)和碳(c)原子的有机聚合物。聚对二甲苯是疏水性的，对大多数化学物质都有耐受性。聚对二甲苯涂层通常涂覆到电子电路和其它设备上，作为电绝缘件、防潮层，或用来防腐蚀和化学侵蚀。聚对二甲苯涂层是在单体对二甲苯的气氛中通过化学气相沉积涂覆的。

技术实现思路

1、第一实例涉及一种包含具有保护性外涂层和衬底的裸片的装置，所述衬底具有间隔开的第一区域和第二区域。所述装置还包含位于所述保护性外涂层和所述裸片之间的隔离电介质。金属前电介质(pmd)阻挡层位于所述隔离电介质和所述衬底之间，所述pmd阻挡层具有接触所述衬底的所述第一区域的第一区域和接触所述衬底的所述第二区域的第二区域，所述pmd阻挡层的所述第一区域和所述第二区域间隔开。填充有聚合物电介质的贯穿沟槽在所述衬底的所述第一区域和所述第二区域之间及所述pmd阻挡层的所述第一区域和所述第二区域之间延伸，以接触所述隔离电介质。

2、第二实例涉及一种用于形成装置的方法。所述方法包含在晶片上沉积经图案化抗蚀剂涂层。金属化堆叠位于所述晶片的第一表面上，所述金属化堆叠包括金属前电介质(pmd)阻挡层和隔离电介质。所述方法还包含在所述晶片中蚀刻贯穿沟槽，并去除所述抗蚀剂涂层，使得所述贯穿沟槽伸入所述金属化堆叠的所述隔离电介质中。所述方法进一步包含在所述晶片的第二表面上沉积聚合物电介质以填充所述贯穿沟槽，并从所述晶片分割裸片，使得所述裸片包含贯穿沟槽。

技术特征：

1.一种装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述贯穿沟槽的靠近所述隔离电介质的一端包括圆角。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述贯穿沟槽伸入所述隔离电介质中。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述聚合物电介质具有第一热膨胀系数，并且所述pmd阻挡层由具有第二热膨胀系数的材料形成，所述第一热膨胀系数大于所述第二热膨胀系数。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述pmd阻挡层由氮化硅形成，且所述聚合物电介质是聚对二甲苯。

6.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括注入在所述隔离电介质中的金属贴片。

7.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括跨所述保护性外涂层延伸的金属层。

8.根据权利要求2所述的装置，其中所述贯穿沟槽的所述端是第一端，所述贯穿沟槽进一步包括位于所述贯穿沟槽的远离所述第一端的第二端处的凹口。

9.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括嵌入在所述聚合物电介质中的空隙。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述聚合物电介质包括二氧化硅和聚对二甲苯的涂层，其中所述空隙嵌入在所述聚对二甲苯内。

11.根据权利要求2所述的装置，其进一步包括：

12.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括第一接点和第二接点，所述第一接点位于所述贯穿沟槽的靠近所述隔离电介质的一端的第一拐角上，所述第二接点位于所述贯穿沟槽的靠近所述隔离电介质的所述端的第二拐角上。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一接点和所述第二接点包括钨、铝或铜中的至少一种。

14.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括位于所述贯穿沟槽中的深沟槽，其中所述聚合物电介质在所述贯穿沟槽中的所述深沟槽之间延伸。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述裸片进一步包括与所述第一区域和所述第二区域间隔开的第三区域，并且所述沟槽穿过所述裸片上所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域通过所述沟槽分离的位置。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述位置处的所述沟槽是曲形连接和y形连接中的一个。

17.一种用于形成装置的方法，所述方法包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中空隙在所述贯穿沟槽中形成。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述金属化堆叠包含所述贯穿沟槽的拐角的接点。

20.根据权利要求17所述的方法，其中所述金属化堆叠包含注入在所述隔离电介质中的金属贴片。

技术总结
一种装置包含具有保护性外涂层(128)和衬底(104)的裸片(100)，所述衬底(104)包括间隔开的第一区域(108)和第二区域(112)。所述装置还包含位于所述保护性外涂层(128)和所述裸片(100)之间的隔离电介质(124)。金属前电介质(PMD)阻挡层(120)位于所述隔离电介质(124)和所述衬底(104)之间，所述PMD阻挡层(120)具有接触所述衬底(108)的所述第一区域的第一区域(136)和接触所述衬底的所述第二区域(112)的第二区域，所述PMD阻挡层(120)的所述第一区域(136)和所述第二区域是间隔开的。填充有聚合物电介质(134)的贯穿沟槽(132)在所述衬底(104)的所述第一区域(108)和所述第二区域(112)之间及所述PMD(120)的所述第一区域(120)和所述第二区域(140)之间延伸，以接触所述隔离电介质(124)。

技术研发人员：S·萨默菲尔德,B·S·库克,S·迈尔
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16