金属氧化物金属(MOM)电容器中的线路后端(BEOL)高电阻(HI-R)导体层的制作方法

本公开总体上涉及电容器，并且更具体但不排他地涉及紧凑的、空间高效的金属氧化物金属(mom)电容器以及用于制造其的方法。

背景技术：

1、随着更小型电子器件能够为小型电子器件提供更多应用，现代电子器件正变得越来越普遍。电容器是现代电子器件中基础并且广泛使用的组件中的一种。

2、人们一直要求减少或小型化常规集成电路(ic)器件、封装等的尺寸和占用空间。ic封装可以包括封装上的多个组件(如电容器)。在现代ic不断减少的占用空间内设计和制造高密度电容器在技术上具有挑战性。

3、因此，需要优化或改进用于不断发展的和先进的技术节点的ic区域缩放。用于增加给定技术节点内的设计密度的方法和技术也是非常期望的。特别地，希望在先进技术节点中增加mom密度和/或降低金属利用率。

4、因此，需要能够克服常规方法的缺陷的系统、装置和方法，包括以下公开中提供的方法、系统和装置。

技术实现思路

1、以下是与本文中公开的装置和方法相关的一个或多个方面和/或示例的简化概述。因此，以下概述不应当被视为与所有预期方面和/或示例相关的广泛概述，也不应当被认为确定与所有预期的方面和/或示例相关的关键或重要元素、或者界定与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下概述的唯一目的是以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文中公开的装置和方法相关的示例，以在下面呈现的详细描述之前呈现。

2、至少一个方面包括一种包括金属氧化物金属(mom)电容器的装置，mom电容器包括：具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置的高电阻(hi-r)导体层。hi-r电阻器可以由hi-r导体层制成。

3、至少一个其他方面包括一种制造金属氧化物金属(mom)电容器的方法，该方法包括：形成具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性；以及形成高电阻(hi-r)导体层，该hi-r导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

4、基于附图和详细描述，与本文中公开的装置和方法相关的其他特征和优点对本领域技术人员来说将是很清楚的。

技术特征：

1.一种包括金属氧化物金属(mom)电容器的装置，所述mom电容器包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层被配置作为所述mom电容器的附加有源层。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层被配置作为所述mom电容器的屏蔽层。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层的几何性质用于控制至少部分hi-r性质。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层是连续层。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

10.根据权利要求1所述的装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述hi-r导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

12.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层设置在所述第一金属层下方。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述hi-r导体层设置在所述第一金属层上方。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

15.一种制造金属氧化物金属(mom)电容器的方法，包括：

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为平行于所述第一多个指状物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二金属层具有第二多个指状物，所述第二多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性并且被定向为垂直于所述第一多个指状物。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层被配置作为所述mom电容器的附加有源层。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层被配置作为所述mom电容器的屏蔽层。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层的几何性质用于控制至少部分hi-r性质。

22.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层是连续层。

23.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层具有多个开口，并且所述多个开口中的至少一些开口允许到所述第一金属层的互连。

24.根据权利要求15所述的方法，还包括：

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述hi-r导体层位于所述互连堆叠的下部区域、所述互连堆叠的中间区域或所述互连堆叠的上部区域中的至少一个中。

26.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层设置在所述第一金属层下方。

27.根据权利要求15所述的方法，其中所述hi-r导体层设置在所述第一金属层上方。

28.根据权利要求15所述的方法，其中所述mom电容器被并入选自由以下各项组成的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器和机动车辆中的设备。

技术总结
公开了一种金属氧化物金属(MOM)电容器及其制造方法。MOM电容器包括具有第一多个指状物的第一金属层，第一多个指状物中的每个指状物被配置为具有交替极性。高电阻(Hi‑R)导体层在平行于第一金属层的平面中与第一金属层相邻设置。

技术研发人员：J·J·朱,鲍军静,杨海宁
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15