电解电容器及其制造方法与流程

本发明涉及一种电解电容器及其制造方法。

背景技术：

1、电解电容器具备电容器元件，电容器元件包含阳极体、覆盖阳极体的电介质层、以及覆盖电介质层的固体电解质层。固体电解质层包含导电性高分子，作为导电性高分子，例如使用聚吡咯(例如，专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2008-118060号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、就电解电容器而言，要求esr(等效串联电阻)的降低。

3、用于解决问题的方案

4、本发明的一个方面涉及一种电解电容器，其具备：阳极体、覆盖所述阳极体的电介质层、覆盖所述衍生物层的第1固体电解质层、以及覆盖所述第1固体电解质层的第2固体电解质层，所述第1固体电解质层包含以聚噻吩为基本骨架的第1导电性高分子，所述第2固体电解质层包含以聚吡咯为基本骨架的第2导电性高分子，所述第1固体电解质层的电导率为2s/cm以下。

5、本发明的另一个方面涉及一种电解电容器的制造方法，其包括：第1工序，准备形成有电介质层的阳极体；第2工序，在所述电介质层上形成包含以聚噻吩为基本骨架的第1导电性高分子的第1固体电解质层；以及第3工序，在所述第1固体电解质层上，使以聚吡咯为基本骨架的第2导电性高分子的前体电解聚合，形成包含所述第2导电性高分子的第2固体电解质层，所述第1固体电解质层的电导率为2s/cm以下。

6、发明的效果

7、根据本发明，能够降低电解电容器的esr。

8、虽然在所附权利要求书中描述了本发明的新特征，但是通过以下涉及结构和内容这两者、且结合本发明的其它目的和特征并参照附图的详细描述，可以更好地理解本发明。

技术特征：

1.一种电解电容器，其具备：

2.根据权利要求1所述的电解电容器，其中，所述第1固体电解质层的电导率为0.1s/cm以上且0.5s/cm以下。

3.根据权利要求1或2所述的电解电容器，其中，所述第1固体电解质层的厚度为10nm以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电解电容器，其中，所述第2固体电解质层的厚度为50nm以上且100nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电解电容器，其中，所述第2固体电解质层的电导率比所述第1固体电解质层高。

6.根据权利要求5所述的电解电容器，其中，所述第2固体电解质层的电导率为30s/cm以上且300s/cm以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电解电容器，其中，所述第1固体电解质层包含具有2s/cm以下的电导率的、自掺杂型的所述第1导电性高分子。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的电解电容器，其中，所述第2固体电解质层包含非自掺杂型的所述第2导电性高分子。

9.一种电解电容器的制造方法，其包括：

10.根据权利要求9所述的电解电容器的制造方法，其中，

技术总结
电解电容器具备：阳极体、覆盖阳极体的电介质层、覆盖衍生物层的第1固体电解质层、以及覆盖第1固体电解质层的第2固体电解质层。第1固体电解质层包含以聚噻吩为基本骨架的第1导电性高分子，第2固体电解质层包含以聚吡咯为基本骨架的第2导电性高分子。第1固体电解质层的电导率为2S/cm以下。

技术研发人员：近藤慎司,山崎和哉,川崎隆志,横山幸司,石本仁,长崎纯久,宫地祐治
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15