用于蚀刻控制的具有孔口的可移动盘片的制作方法

本公开总体上涉及衬底处理系统，更具体而言涉及衬底处理系统中的用于蚀刻控制的具有孔口的可移动盘片。

背景技术：

1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

2、衬底处理工具通常包括多个站，在所述的站中对像是半导体芯片的衬底进行沉积、蚀刻及其他处理。可在衬底上执行的处理示例包括但不限于化学气相沉积(cvd)处理、化学增强等离子体气相沉积(cepvd)处理、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理、溅镀式物理气相沉积(pvd)处理、原子层沉积(ald)，以及等离子体增强ald(peald)。可在衬底上执行的其他处理示例包括但不限于蚀刻(例如，化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应离子蚀刻等)，以及清洁处理。

3、在处理期间，衬底被配置在衬底支撑件(例如，站中的基座)上。在沉积期间，将包括一或更多种前体的气体混合物引进站中，并可任选地点燃等离子体以将化学反应活化。在蚀刻期间，将包括蚀刻气体的气体混合物引进站中，并可任选地点燃等离子体以将化学反应活化。受计算机控制的机械手通常是依照处理衬底的顺序而将衬底从其中一站传输到另一站。

技术实现思路

1、一种处理室包括网格和第一盘片。所述网格包括配置在所述处理室中的多个孔洞。所述网格将所述处理室划分成第一室和第二室，其中等离子体在所述第一室中产生，而基座被配置在所述第二室中以支撑衬底。所述第一盘片被配置在所述第二室中。当所述衬底被支撑在所述基座上时，所述第一盘片能够在所述网格与所述衬底之间移动。

2、在另一特征中，所述第一盘片能够平行于所述网格移动。

3、在另一特征中，所述第一盘片阻挡来自所述等离子体的离子到达所述衬底。

4、在另一特征中，所述第一盘片包括至少一个或更多个孔口。

5、在另一特征中，所述第一盘片包括可调整孔口。

6、在另一特征中，所述第一盘片包括可调整孔口和固定尺寸的第二孔口。

7、在另一特征中，所述第一盘片由类金刚石碳(c)、钽(ta)、钼(mo)、铝(al)、氧化铝(al2o3)、铬(cr)、铍(be)、碳化钽(tac)和锆钛酸铅(pzt)陶瓷所组成的群组中选择的材料制成。

8、在另一特征中，所述第一盘片的直径小于所述衬底。

9、在另一特征中，所述处理室还包括被设置在所述第二室中的第二盘片，所述第二盘片能够平行于所述网格并在所述网格与所述衬底之间移动。

10、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片共平面。

11、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片具有相同的几何特征。

12、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片具有不同的几何特征。

13、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括一个或更多个孔口。

14、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括可调整孔口。

15、在另一特征中，所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括可调整孔口；以及所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括固定尺寸的第二孔口。

16、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室；致动器，其用于移动所述第一盘片；以及控制器，其用于控制所述致动器。

17、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室；电压源，其用于供应电压至所述网格；致动器，其用于移动所述第一盘片；以及控制器，其用于控制被供应至所述网格的所述电压，以及控制所述致动器。

18、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室，其中所述第一盘片包括可调整孔口；致动器，其用于移动所述第一盘片，以及调整所述可调整孔口；以及控制器，其用于控制所述致动器。

19、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室；第一致动器和第二致动器，其用于分别移动所述第一盘片和所述第二盘片；以及控制器，其用于控制所述第一致动器和所述第二致动器。

20、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括可调整孔口；第一致动器和第二致动器，其用于分别移动所述第一盘片和所述第二盘片，以及用于调整所述可调整孔口；以及控制器，其用于控制所述第一致动器和所述第二致动器。

21、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室；第一致动器，其用于移动所述第一盘片；第二致动器，其用于转动所述基座；以及控制器，其用于控制所述第一致动器和所述第二致动器。

22、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室，其中所述第一盘片包括可调整孔口；第一致动器，其用于移动所述第一盘片以及调整所述可调整孔口；第二致动器，其用于转动所述基座；以及控制器，其用于控制所述第一致动器和所述第二致动器。

23、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室；第一致动器和第二致动器，其用于分别移动所述第一盘片和所述第二盘片；第三致动器，其用于执行使所述基座转动和使所述基座倾斜中的至少一者；以及控制器，其用于控制所述第一致动器、所述第二致动器以及所述第三致动器。

24、在另一特征中，一种系统包括：所述处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括可调整孔口；第一致动器和第二致动器，其用于分别移动所述第一盘片和所述第二盘片，以及用于调整所述可调整孔口；第三致动器，其用于执行使所述基座转动和使所述基座倾斜中的至少一者；以及控制器，其用于控制所述第一致动器、所述第二致动器以及所述第三致动器。

25、根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

技术特征：

1.一种处理室，其包括：

2.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片能够平行于所述网格移动。

3.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片阻挡来自所述等离子体的离子到达所述衬底。

4.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片包括至少一个或更多个孔口。

5.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片包括可调整孔口。

6.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片包括可调整孔口和固定尺寸的孔口。

7.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片由类金刚石碳(c)、钽(ta)、钼(mo)、铝(al)、氧化铝(al2o3)、铬(cr)、铍(be)、碳化钽(tac)和锆钛酸铅(pzt)陶瓷所组成的群组中选择的材料制成。

8.根据权利要求1所述的处理室，其中所述第一盘片的直径小于所述衬底。

9.根据权利要求1所述的处理室，其还包括被设置在所述第二室中的第二盘片，所述第二盘片能够平行于所述网格并在所述网格与所述衬底之间移动。

10.根据权利要求9所述的处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片共平面。

11.根据权利要求9所述的处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片具有相同的几何特征。

12.根据权利要求9所述的处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片具有不同的几何特征。

13.根据权利要求9所述的处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括一个或更多个孔口。

14.根据权利要求9所述的处理室，其中所述第一盘片和所述第二盘片中的至少一者包括可调整孔口。

15.根据权利要求9所述的处理室，其中：

16.一种系统，其包括：

17.一种系统，其包括：

18.一种系统，其包括：

19.一种系统，其包括：

20.一种系统，其包括：

21.一种系统，其包括：

22.一种系统，其包括：

23.一种系统，其包括：

24.一种系统，其包括：

技术总结
一种处理室包括网格和第一盘片。该网格包括被配置在处理室中的多个孔洞。该网格将该处理室划分成第一室和第二室，其中等离子体在该第一室中产生，而基座在该第二室中配置以支撑衬底。第一盘片配置在该第二室中。当该衬底被支撑在该基座上时，该第一盘片能够在该网格与该衬底之间移动。

技术研发人员：林志民,黄硕刚,尹秀敏,常志阳,常志明,成世元
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15