本发明涉及具备半导体基板的电容器、电感器等电子部件。
背景技术:
1、专利文献1示出薄膜电容器等无源元件形成在半导体基板上的半导体装置。通过在这样的具备无源元件的半导体基板形成端子电极而得到表面安装型的电子部件。
2、在具备半导体基板的普通的表面安装型的电子部件中,半导体基板本身不具有电气功能,半导体基板用作用于保持整体的形状的基材。
3、专利文献1:日本特许第5458514号公报
4、在专利文献1记载的半导体装置中,若由于半导体基板的导电性而在无源元件(功能部)流动有高频电流,则由该高频电流产生的磁场施加于半导体基板,由此在半导体基板上流动有涡电流。作为其结果,由于该涡电流使高频信号的损耗增加。
技术实现思路
1、因此,本发明的目的在于提供通过抑制在半导体基板流动的涡电流而抑制高频信号的损耗的电子部件。
2、(a)作为本公开的一个例子的电子部件的特征在于,具备:半导体基板;绝缘体层,其形成在上述半导体基板上;导电体层,其隔着上述绝缘体层而与上述半导体基板相向地形成;以及非导电体层,其隔着上述绝缘体层而与上述半导体基板相向地形成,通过上述导电体层或者通过上述导电体层和上述非导电体层的局部构成无源元件,在上述绝缘体层形成有贯通该绝缘体层而使上述导电体层与上述半导体基板导通的导通路径。
3、(b)作为本公开的一个例子的电子部件的特征在于,具备:半导体基板;非导电体层,其形成在上述半导体基板上;以及导电体层,其隔着上述非导电体层而与上述半导体基板相向地形成,通过上述非导电体层、夹着该非导电体层的上述半导体基板和上述导电体层构成电容器。
4、根据本发明,得到抑制在半导体基板流动的涡电流且抑制高频信号的损耗的电子部件。
1.一种电子部件,其特征在于,具备:
2.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的电子部件,其特征在于,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电子部件,其特征在于,
7.一种电子部件,其特征在于,具备:
8.根据权利要求2、5或7所述的电子部件,其特征在于,