嵌入式玻璃芯贴片的制作方法

实施例涉及集成电路(ic)的封装。一些实施例涉及使用包括玻璃芯的ic封装的ic的互连。

背景技术：

1、电子系统通常包括互连并封装为子组件的集成电路(ic)。期望将多种类型的ic管芯集成到单个电子封装中，以在封装中创建有效的系统。存在对这种封装的形状因子的小型化的需求，但也存在对提高用于高性能的集成水平的需求。这些需求正在推动半导体工业中的复杂封装方法。管芯分割实现了小形状因子的小型化，并且可以提供高性能而没有其他方法所见的产量问题，但是需要精细的管芯到管芯互连。

2、嵌入式多管芯互连桥(emib)实现了用于单个封装上的异构管芯之间的非常高密度互连的更低成本和更简单的封装方法。在emib中，代替具有穿硅过孔(tsv)的昂贵的硅中介层，在封装中嵌入小硅桥接芯片，从而实现仅在需要的情况下的非常高密度的管芯到管芯连接。标准倒装芯片组件用于稳健的电力输送，并将高速信号直接从芯片连接到封装衬底。

3、用于电子封装的未来几代管芯分割可能需要几个桥接器，这些桥接器可以以比当前由emib封装提供的细得多的凸块间距(25微米或更低)连接管芯。emib方法遭受高累积凸块厚度变化(btv)，并且随着待嵌入的桥接器的数量增加，嵌入ic管芯的成本将增加，并且emib组件的产量将降低。

技术实现思路

技术特征：

1.一种电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述玻璃芯贴片包括穿玻璃过孔(tgv)。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述第一再分布层包括电连接到所述ic管芯的一个或多个焊盘并且电连接到所述tgv中的一个或多个的管芯到管芯桥接器件。

4.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述包封层包括穿层过孔，其中，第一穿层过孔连接到tgv的第一端，并且第二穿层过孔连接到所述tgv的第二端。

5.根据权利要求1所述的电子器件，包括：

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述玻璃芯贴片包括硅酸盐玻璃。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述包封材料包括模制材料或电介质材料中的至少一种。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的电子器件，其中，所述包封材料包括环氧树脂。

9.一种形成电子系统的方法，所述方法包括：

10.根据权利要求9所述的方法，包括在所述包封材料中形成连接到所述一个或多个tgv的一个或多个过孔，其中，所述包封材料覆盖所述玻璃芯贴片中的每一者的顶表面、底表面和侧壁。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，包封所述玻璃芯贴片包括：

12.根据权利要求9所述的方法，包括将至少一个ic管芯附接到相应的再分布层，其中，所述相应的再分布层提供所述ic管芯的至少一个焊盘与所述玻璃芯贴片的至少一个tgv之间的电连续性。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述玻璃芯分离成多个玻璃芯贴片包括将所述玻璃芯分离成不同尺寸的玻璃芯贴片。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述玻璃芯贴片附接到相应的再分布层包括将所述玻璃芯贴片的第一侧附接到第一级互连再分布层，并且将所述玻璃芯贴片的第二侧连接到第二级互连再分布层或中级互连再分布层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，包封所述玻璃芯贴片包括用电介质材料、模制材料或环氧树脂中的至少一种包封所述玻璃芯贴片。

16.根据权利要求9-15中任一项所述的方法，其中，将所述玻璃芯贴片附接到相应的再分布层包括使用块体处理来添加所述再分布层。

17.一种封装电子系统，包括：

18.根据权利要求17所述的封装电子系统，其中，所述包封材料覆盖所述玻璃芯贴片的顶侧、底侧和侧壁。

19.根据权利要求17所述的封装电子系统，其中，所述第一级互连层包括与所述多个ic管芯中的至少两个ic管芯电接触并且与所述玻璃芯贴片的至少一个tgv电接触的管芯到管芯桥连接器。

20.根据权利要求17-19中任一项所述的封装电子系统，包括第二级互连层，其中，所述第一级互连层被布置为接触所述玻璃芯贴片层的第一侧，并且所述第二互连层被布置为接触所述玻璃芯贴片层的第二侧。

技术总结
一种电子器件，包括：模制层，所述模制层包括具有触点焊盘的多个集成电路(IC)管芯；玻璃芯贴片，所述玻璃芯贴片嵌入包封材料中，所述包封材料围绕所述玻璃芯贴片的顶部、底部和侧面；以及第一再分布层，所述第一再分布层布置在第一模制层与所述玻璃芯贴片之间。第一再分布层包括将IC管芯的一个或多个触点焊盘电连接到玻璃芯贴片的导电互连。

技术研发人员：J·D·埃克顿,L·R·阿拉纳,B·C·马林,S·V·R·皮耶塔姆巴拉姆,段刚
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6