等离子体处理方法以及等离子体处理装置与流程

本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理装置。

背景技术：

1、作为控制自由基和离子的量和质的技术，存在专利文献1中记载的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2020-4710号公报

技术实现思路

1、本公开提供能够降低高频反射影响的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置中对基板进行等离子体处理。所述等离子体处理装置具备：腔室；以及基板支持部，设置于所述腔室内且构成为支持所述基板，所述等离子体处理方法包含：在所述基板支持部上配置基板的工序；向所述腔室内供给用于处理所述基板的处理气体的工序；通过第一高频信号以及第二高频信号在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体的工序；以及向所述基板支持部供给偏置信号的工序，生成所述等离子体的工序包含基于所述偏置信号供给至所述基板支持部的时序使所述第二高频信号与所述第一高频信号叠加的工序。

3、在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置具备：腔室；基板支持部，设置于所述腔室内且构成为支持所述基板；以及控制部，所述控制部执行如下控制：在所述基板支持部上配置基板，向所述腔室内供给用于处理所述基板的处理气体，通过第一高频信号以及第二高频信号在所述腔室内生成所述处理气体的等离子体，向所述基板支持部供给偏置信号，基于所述偏置信号供给至所述基板支持部的时序使所述第二高频信号与所述第一高频信号叠加。

4、发明效果

5、根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供能够降低高频反射影响的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置中对基板进行等离子体处理，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

9.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

10.根据权利要求7～9中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

11.根据权利要求5～7中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

12.根据权利要求7～9中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

13.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，

14.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，

15.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，

16.根据权利要求13～15中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

17.根据权利要求13～15中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

18.根据权利要求13～15中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

19.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

20.根据权利要求19所述的等离子体处理方法，其中，

21.根据权利要求19所述的等离子体处理方法，其中，

22.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

23.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

24.一种等离子体处理装置，具备：

技术总结
本公开涉及的等离子体处理方法包含在基板支持部上配置基板的工序、向腔室内供给用于处理基板的处理气体的工序、通过第一高频信号以及第二高频信号在腔室内生成处理气体的等离子体的工序以及在基板支持部上施加偏置信号的工序，生成等离子体的工序包含基于偏置信号施加于基板支持部的时序使第二高频信号与第一高频信号叠加的工序。

技术研发人员：玉虫元
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/2/25