滤波器装置及高频前端电路的制作方法

文档序号:37231735发布日期:2024-03-05 15:43阅读:35来源:国知局
滤波器装置及高频前端电路的制作方法

本公开涉及滤波器装置及高频前端电路,更特别涉及用于提高具备谐振器的滤波器装置的特性的技术。


背景技术:

1、在国际公开第2009/060696号(专利文献1)中公开了一种芯片型滤波器部件,其以围绕谐振器电极的方式配置接地电极,并且具备与谐振器电极耦合的输入输出电极。在专利文献1所公开的芯片型滤波器部件中,设置于芯片本体的内部的电极部的电极长度被设定为与低于谐振器电极的谐振频率的频率相当的波长的1/2的长度。

2、通过如上述那样构成芯片型滤波器部件,能够降低在通频带附近产生的、由波导模式引起的不必要的杂散。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:国际公开第2009/060696号


技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、近年来,伴随着通信标准的增加等,无线通信所使用的频带增加,有时会使用以非常狭窄的间隔相邻的频带。因此,通常寻求在专利文献1所公开的那样的滤波器装置中,能够适当地调整信号的通频带,并且在所期望的通频带中使信号以低损耗通过且在所期望的通频带之外的非通频带中使信号高效地衰减。

3、本公开就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于,在具备谐振器的滤波器装置中,能够适当地调整信号的通频带且提高非通频带中的衰减特性。

4、用于解决课题的手段

5、本公开所涉及的滤波器装置具备:输入端子;输出端子;彼此相对的第一接地电极和第二接地电极;以及与输入端子和输出端子的其中一个端子连接的第一谐振器。第一谐振器具备第一中间接地电极、第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部。第一中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间,与第一接地电极和第二接地电极连接。第一谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极和上述的一个端子连接。第二谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极连接。第三谐振部设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极连接。

6、本公开所涉及的滤波器装置具备:输入端子;输出端子;彼此相对的第一接地电极和第二接地电极;与输入端子连接的第一谐振器;与输出端子连接的第二谐振器;以及至少一个中间谐振器,通过电感性耦合与第一谐振器和第二谐振器中的至少其中之一耦合。第一谐振器具备第一中间接地电极、第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部。第一中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间,与第一接地电极和第二接地电极连接。第一谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极和输入端子连接。第二谐振部设置于第一接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极连接。第三谐振部设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间,与第一中间接地电极连接。第二谐振器具备第二中间接地电极、第四谐振部、第五谐振部和第六谐振部。第二中间接地电极设置于第一接地电极和第二接地电极之间,与第一接地电极和第二接地电极连接。第四谐振部设置于第一接地电极和第二中间接地电极之间,与第二中间接地电极和输出端子连接。第五谐振部设置于第一接地电极和第二中间接地电极之间,与第二中间接地电极连接。第六谐振部设置于第二接地电极和第二中间接地电极之间,与第二中间接地电极连接。

7、发明的效果

8、根据本公开所涉及的滤波器装置,通过调整设置于第二接地电极和第一中间接地电极之间的第三谐振部的位置,能够通过第一谐振部、第二谐振部和第三谐振部中的谐振而使滤波器装置的通过特性产生衰减极点。由此,能够适当地调整信号的通频带且能够提高非通频带中的衰减特性。



技术特征:

1.一种滤波器装置,其具备:

2.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,

3.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,

4.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,

5.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,

6.根据权利要求1至5中任一项所述的滤波器装置,其中,

7.根据权利要求1至6中任一项所述的滤波器装置,其中,

8.根据权利要求7所述的滤波器装置,其中,

9.根据权利要求7或8所述的滤波器装置,其中,

10.根据权利要求9所述的滤波器装置,其中,

11.根据权利要求1至10中任一项所述的滤波器装置,其中,

12.根据权利要求1至11中任一项所述的滤波器装置,其中,

13.一种滤波器装置,其具备:

14.一种高频前端电路,其具备权利要求1至13中任一项所述的滤波器装置。


技术总结
滤波器装置具备输入端子(T1)、输出端子(T2)、彼此相对的接地电极(G1)和接地电极(G2)、与输入端子(T1)和输出端子(T2)的其中一个端子连接的谐振器(RT10)。谐振器(RT10)具备接地电极(G3)、谐振部(RT11)、谐振部(RT12)、谐振部(RT13)。接地电极(G3)设置于接地电极(G1)和接地电极(G2)之间,与接地电极(G1)和接地电极(G2)连接。谐振部(RT11)设置于接地电极(G1)和接地电极(G3)之间,与接地电极(G3)和一个端子连接。谐振部(RT12)设置于接地电极(G1)和接地电极(G3)之间,与接地电极(G3)连接。谐振部(RT13)设置于接地电极(G2)和接地电极(G3)之间,与接地电极(G3)连接。

技术研发人员:菊田诚之
受保护的技术使用者:株式会社村田制作所
技术研发日:
技术公布日:2024/3/4
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