半导体装置和布线基板的制作方法

本发明涉及半导体装置和布线基板。

背景技术：

1、近年来，基于半导体装置的工作的高速化和小型化等要求，开发了一种在半导体基板上的多层布线层中的最上层的布线的一部分即焊盘电极上形成被称作二次布线的布线的技术。为了降低布线电阻，二次布线由以铜为主体的材料构成，例如通过镀覆法形成。在二次布线的上表面的一部分例如形成有凸块电极、焊球或者引线键合等外部连接用端子。在采用了二次布线的半导体装置中，能够通过穿绕二次布线而在与焊盘电极不同的区域配置外部连接用端子。

2、在专利文献1中公开了一种被称作wlcsp(wafer level chip size package)的半导体装置。在专利文献1中，在与集成电路电连接的焊盘电极上形成有二次布线。在二次布线上形成有由焊锡构成的球电极，通过树脂膜对二次布线进行密封。

3、在专利文献2中公开了一种用于评估电迁移的半导体芯片。通过由钨构成的通孔和由铝构成的布线或者通过由铜构成的通孔和由铜构成的布线形成用于评估电迁移的多层布线图案。考虑了一种通过该多层布线图案的焦耳发热来加速电迁移，由此进行各布线的评估的测量系统。即，专利文献2的半导体芯片不具有集成电路，而仅具有用于评估电迁移的专用电路，所述集成电路具有作为实际产品的功能。

4、在专利文献3和专利文献4中公开了一种通过半导体元件构成的温度测量电路。半导体元件使用双极晶体管，主要由双极晶体管构成的差动电路构成用于测量因温度上升导致电阻值上升的电路。

5、现有技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：日本特开2003-188313号公报

8、专利文献2：日本专利第4148911号公报

9、专利文献3：日本特开2009-145070号公报

10、专利文献4：日本专利第5144559号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、近年来，在高性能的处理器、电源管理ic、dc-dc转换器或者电源ic等半导体装置中，半导体装置自身产生的热量受到关注。在实际使用这样的半导体装置时，如果能够测量从半导体装置自身产生的温度，则在温度管理或者控制方面是有益的，但是现有技术中存在以下问题。

3、例如在专利文献1中，半导体装置自身不具备用于测量温度的功能。因此，设想了通过在半导体装置装配热电偶等温度计来测量温度的方式。在这种情况下，存在只能测量半导体装置外侧的温度的问题。另外，产生需要确保用于装配温度计的区域的弊端。另外，在装配温度计的方式中，难以进行批量处理和自动化，因此还存在不适合大量生产的问题。

4、另外，专利文献2涉及一种具备用于评估电迁移的专用电路的评估芯片。因此，在实际使用作为产品出厂的半导体装置时不能够测量温度。另外，将这样的专用电路设置于半导体装置的内部会导致电路的复杂化或者芯片尺寸增大，因此不是现实的选择。

5、专利文献3和专利文献4也同样，将温度测量电路设置于半导体装置的内部会导致电路的复杂化或者芯片尺寸的增大。另外，由于通过双极晶体管构成电路，因此如果与半导体工艺不匹配，则难以应用这样的电路。

6、综合考虑以上因素，需求一种不必扩大半导体芯片的尺寸，并且也不必增大封装体的尺寸就能够实现在作为产品出厂的半导体装置设置温度测量用的电路的技术。即，需求一种在不妨碍促进半导体装置的微细化的前提下提高半导体装置的可靠性的技术。而且，如果不追加特殊的零件或者特殊的制造工序就能够实现上述需求，则能够实现抑制半导体装置的制造成本。

7、其他技术问题和新的特征将在本说明书的叙述和附图中变得清晰明了。

8、用于解决技术问题的方案

9、以下，对本申请公开的实施方式中的具有代表性的内容进行简要说明。

10、一实施方式中的半导体装置具备：基板，其在内部具有集成电路，并且在上表面具有与所述集成电路电连接的焊盘电极；绝缘膜，其以覆盖所述焊盘电极的方式形成于所述基板的上表面；开口部，其以到达所述焊盘电极的上表面的方式形成在所述绝缘膜中；第一二次布线，其形成在所述开口部的内部和所述绝缘膜上，并且与所述焊盘电极电连接；第一外部连接用端子，其形成在所述第一二次布线上，并且与所述第一二次布线电连接；第二二次布线，其形成在所述绝缘膜上，并且与所述第一二次布线、所述焊盘电极以及所述集成电路电绝缘；以及多个第二外部连接用端子，其形成在所述第二二次布线上，并且与所述第二二次布线电连接。其中，所述第二二次布线和所述多个第二外部连接用端子构成电阻值测量用的第一测量电路。

11、发明效果

12、根据一实施方式，能够在不妨碍促进半导体装置的微细化的前提下提高半导体装置的可靠性。

技术特征：

1.半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，

14.一种布线基板，其具有正面和背面，

15.根据权利要求14所述的布线基板，其中，

技术总结
基板(10)在内部具有集成电路，并且在上表面具有与上述集成电路电连接的焊盘电极(PD)。在基板(10)的上表面形成有绝缘膜(IF2)，在绝缘膜(IF2)中形成有开口部(OP)。二次布线(PW1)形成在开口部(OP)的内部和绝缘膜(IF2)上，并且与焊盘电极(PD)电连接。在二次布线(RW1)上形成有与二次布线(RW1)电连接的外部连接用端子(ET1)。另外，二次布线(RW2)形成在绝缘膜(IF2)上，并且与二次布线(RW1)、焊盘电极(PD)以及上述集成电路电绝缘。在二次布线(RW2)上形成有与二次布线(RW2)电连接的多个外部连接用端子(ET2)。二次布线(RW2)和外部连接用端子(ET2)构成电阻值测量用的测量电路(20)。

技术研发人员：胁坂伸治,福岛正人,广石尧之,三原一郎,小杉智之
受保护的技术使用者：青井电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17