摄像装置和电子设备的制作方法

本发明涉及摄像装置和电子设备。

背景技术：

1、近年来，摄像装置已采用使用一对相位差检测像素来检测相位差作为自动聚焦功能的方法。作为这样的示例，可以提到下面专利文献1公开的摄像元件。在专利文献1公开的技术中，在光接收面上分别设置对被摄体的图像进行摄像的有效像素和检测上述相位差的相位差检测像素。

2、引用文献列表

3、专利文献

4、专利文献1：jp 2000-292685 a

技术实现思路

1、技术问题

2、然而，在专利文献1公开的技术中，当获取被摄体的被摄图像时，难以将由相位差检测像素获得的信息作为与来自摄像像素的信息相同的信息来利用。因此，在上述技术中，使用来自相位差检测像素周围的有效像素的信息对与相位差检测像素相对应的像素的图像执行插值，并且生成被摄图像。即，在专利文献1公开的技术中，由于设置了相位差检测像素来执行相位差检测，因此难以避免由于与对应于相位差检测像素的被摄图像有关的信息的丢失而导致的被摄图像的劣化。

3、因此，本发明提出了能够在提高相位差检测的精度的同时避免被摄图像的劣化的摄像装置和电子设备。

4、技术问题的解决方案

5、根据本发明，提供了一种摄像装置，其包括：半导体基板；和多个摄像元件，所述多个摄像元件在所述半导体基板上沿第一方向和第二方向以矩阵形式布置，并且对入射光进行光电转换。在所述摄像装置中，所述多个摄像元件中的各者包括：多个像素，所述多个像素设置为在所述半导体基板的预定单位区域中彼此相邻，并且包括含有第一导电型的杂质的光电转换部；分隔部，所述分隔部对所述多个像素进行分隔；两个第一元件分隔壁，所述两个第一元件分隔壁设置为沿着所述预定单位区域的在所述第二方向上延伸的两个第一侧表面穿透所述半导体基板的至少一部分；片上透镜，所述片上透镜设置在所述半导体基板的光接收面上方以被所述多个像素共用；以及第一扩散区域，所述第一扩散区域在所述第一元件分隔壁和所述分隔部周围设置在所述半导体基板中，并且所述第一扩散区域包含具有与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质。

6、此外，根据本发明，提供了一种包括摄像装置的电子设备。所述摄像装置包括半导体基板和多个摄像元件，所述多个摄像元素在所述半导体基板上沿第一方向和第二方向以矩阵形式布置并且对入射光进行光电转换。在所述摄像装置中，所述多个摄像元件中的各者包括：多个像素，所述多个像素设置为在所述半导体基板的预定单位区域中彼此相邻，并且包括含有第一导电型的杂质的光电转换部；分隔部，所述分隔部对所述多个像素进行分隔；两个第一元件分隔壁，所述两个第一元件分隔壁设置为沿着在所述第二方向上延伸的所述预定单位区域的两个第一侧表面穿透所述半导体基板的至少一部分；片上透镜，所述片上透镜设置在所述半导体基板的光接收面上方以被所述多个像素共用；以及第一扩散区域，所述第一扩散区域在所述第一元件分隔壁和所述分隔部周围设置在所述半导体基板中，并且所述第一扩散区域包含具有与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的杂质。

技术特征：

1.一种摄像装置，包括：

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述摄像元件还包括第二扩散区域，所述第二扩散区域在所述预定单位区域的在所述第一方向上延伸的两个第二侧表面附近设置于所述半导体基板内，并且包含所述第二导电型的杂质。

3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述第二扩散区域的至少一部分包含比所述第一扩散区域的浓度更高的所述第二导电型的杂质。

4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述摄像元件还包括沿着所述第二侧表面设置在所述第一元件分隔壁与所述分隔部之间的第二元件分隔壁。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，当从所述光接收面的上方观看时，所述第三元件分隔壁的宽度比所述第一元件分隔壁的宽度小。

7.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，所述第三元件分隔壁设置为在所述半导体基板的厚度方向上从与所述光接收面相对的表面贯穿所述半导体基板。

8.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述第一元件分隔壁设置为在所述半导体基板的厚度方向上从与所述光接收面相对的表面贯穿所述半导体基板。

9.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，

10.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述分隔部包括第一像素分隔壁，所述第一像素分隔壁在所述第二方向上延伸以分隔所述多个像素，并且所述第一像素分隔壁被设置为贯穿所述半导体基板。

11.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，

12.根据权利要求11所述的摄像装置，其中，

13.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，

14.根据权利要求13所述的摄像装置，其中，当从所述表面的上方观察时，所述传输栅极电极设置为与所述第一元件分隔壁相邻，并且沿着所述第一元件分隔壁延伸。

15.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，当从所述表面的上方观察时，所述传输栅极电极设置在所述第一元件分隔壁与形成所述第一交叉点的所述第三元件分隔壁相交的第二交叉点附近。

16.根据权利要求13所述的摄像装置，其中，所述传输栅极电极包括埋入在所述半导体基板中的一个或多个埋入电极部。

17.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，当从所述光接收面的上方观察时，所述第一像素分隔壁设置为在所述第二方向上比所述第一元件分隔壁更短。

18.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述分隔部包括第二像素分离壁，所述第二像素分隔壁在所述第二方向上延伸以分隔所述多个像素，并且设置为在所述半导体基板的厚度方向上从与所述光接收面相对的表面到所述半导体基板的中部贯通所述半导体基板。

19.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述分隔部包括包含所述第二导电型的杂质的第四扩散区域。

20.一种电子设备包括：

技术总结
提供了一种摄像装置，包括半导体基板和多个摄像元件(100)，所述多个摄像单元(100)在所述半导体基板上沿第一方向和第二方向以矩阵形式布置，并且对入射光进行光电转换。所述多个摄像元件中的各者包括：多个像素，所述多个像素设置为在所述半导体基板的预定单位区域中彼此相邻，并且包括第一导电型的杂质；分隔部(304)，其对所述多个像素进行分隔；两个第一元件分隔壁(310)，设置为沿着所述预定单位区域的在所述第二方向上延伸的两个第一侧表面贯穿所述半导体基板的至少一部分；以及第一扩散区域(306)，其在所述第一元件分隔壁与所述分离部的周围设置于所述半导体基板内，并且包含第二导电型的杂质。

技术研发人员：佐竹遥介,新井智幸,高桥直広,财津光一郎,松本晃,西田庆次,西田水辉
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17