自对准的堆建方法与流程

背景技术：

1、半导体器件的微加工包括多个步骤，例如膜沉积、图案形成和图案转移。通过旋涂、气相沉积和其他沉积工艺将材料和膜沉积在衬底上。图案形成通常通过将称为光致抗蚀剂的光敏膜暴露于光化辐射图案并随后使光致抗蚀剂显影以形成浮雕图案来进行。然后，浮雕图案充当蚀刻掩模，当对衬底应用一种或多种蚀刻工艺时，该蚀刻掩模覆盖衬底的不被蚀刻的部分。在第一次蚀刻之后，工艺可以继续进行材料沉积、蚀刻、退火、光刻等附加额外步骤，重复各个步骤直到制造出晶体管或集成电路。

2、半导体加工中有多个步骤，其中关键特征必须与下面的层精确对准。传统上，可以通过对准不同的掩模层、校正它们的位置、然后将这些层蚀刻到位来对准不同的工艺。

技术实现思路

1、
技术实现要素：
被提供以介绍内容的选择，这些内容将在下面的具体实施方式中被进一步描述。发明内容并不旨在识别所要求保护的主题的关键或基本特征，也不旨在用于辅助限制所要求保护的主题的范围。

2、一方面，本文公开的实施例涉及一种微加工方法，包括：提供具有现有图案的衬底，其中所述现有图案包括形成在基层内的特征，使得衬底的顶表面具有未被覆盖的特征并且基层未被覆盖；在衬底上沉积选择性附着剂，其中选择性附着剂包括溶解度转变剂(solubility-shifting agent，也称为溶解度偏移剂)；在衬底上沉积第一抗蚀剂；活化溶解度转变剂，使得第一抗蚀剂的部分变得不溶于第一显影剂；使用第一显影剂对第一抗蚀剂进行显影，从而形成包括开口的浮雕图案，其中开口暴露现有层的特征；以及执行选择性生长工艺，在特征上和浮雕图案的开口内生长选择性沉积材料，以提供自对准选择性沉积特征。

3、所要求保护的主题的其他方面和优点将从以下描述和所附权利要求中变得显而易见。

技术特征：

1.一种微加工方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性附着剂对所述特征的表面的粘附多于对所述第一层的表面的粘附。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成在所述第一层内的所述特征形成大阵列。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述选择性附着剂包含膦酸、膦酸酯、膦、磺酸、亚磺酸、羧酸、三唑、硫醇或其组合。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸产生剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸产生剂不含氟。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸产生剂选自由以下组成的组：锑酸三苯基锍盐、全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4h-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物及其组合。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述酸不含氟。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述酸选自由以下组成的组：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在将所述第一抗蚀剂沉积在所述衬底上之前，预处理所述衬底。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述特征包含选自由硅、多晶硅、铜、钴、钨及其组合组成的组的金属或类金属。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基层包含电介质。

14.一种微加工方法，所述方法包括：

技术总结
一种微加工方法，包括：提供具有现有图案的衬底，其中现有图案包括形成在基层内的特征，使得衬底的顶表面具有未被覆盖的特征并且基层未被覆盖；在衬底上沉积选择性附着剂，其中选择性附着剂包含溶解度转变剂；在衬底上沉积第一抗蚀剂；活化溶解度转变剂，使得第一抗蚀剂的部分变得不溶于第一显影剂；使用第一显影剂对第一抗蚀剂进行显影，从而形成包括开口的浮雕图案，其中该开口暴露现有层的特征；和执行选择性生长工艺，在特征上和浮雕图案的开口内生长选择性沉积材料，以提供自对准选择性沉积特征。

技术研发人员：布伦南·彼得森,菲利普·D·胡斯塔德
受保护的技术使用者：杰米纳蒂奥公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/29