本公开的实施例大体而言涉及一种基板处理设备,并且更具体地涉及一种用于基板的湿式清洁腔室。
背景技术:
1、微电子器件通常形成在半导体晶片或其他类型的基板或工件上。在典型的制造工艺中,在晶片上形成一个或多个薄层以产生微电子器件和/或以在器件之间提供导线。在微电子器件的形成期间,可能需要在处理步骤之间或之后清洁基板或工件。然而,本发明人已经观察到,常规的湿式清洁腔室没有提供足够的飞溅缓解,降低了湿式清洁腔室的效率和有效性。
2、因此,本发明人已经提供了用于清洁基板的改进的湿式清洁腔室。
技术实现思路
1、本文提供了湿式清洁腔室的实施例。在一些实施例中,一种湿式清洁腔室包括:盖板;基板支撑件,所述基板支撑件可旋转并被配置为支撑基板;转子,所述转子绕所述基板支撑件设置并被配置为与所述基板支撑件一起旋转,其中所述转子包括上部流体收集区域,所述上部流体收集区域被设置在所述基板支撑件的径向外侧的适当位置处,以在处理期间收集离开所述基板支撑件的流体,并且其中所述上部流体收集区域包括沿着所述上部流体收集区域的底部的径向向外周边的多个排放开口;静止壳体,所述静止壳体绕所述转子并具有设置在所述转子的所述排放口下方的下部流体收集区域;以及一个或多个流体输送臂,所述一个或多个流体输送臂耦接至所述盖板并被配置为将流体输送至所述基板。
2、在一些实施例中,一种湿式清洁腔室包括:基板支撑件,所述基板支撑件可旋转并被配置为在支撑平面中支撑基板;转子,所述转子绕所述基板支撑件设置并被配置为与所述基板支撑件一起旋转,其中所述转子包括上部流体收集区域,所述上部流体收集区域被设置在所述基板支撑件的径向外侧的适当位置处,以在处理期间收集离开所述基板支撑件的流体,并且其中所述上部流体收集区域包括沿着所述上部流体收集区域的底部的径向向外周边的多个排放开口;以及静止壳体,所述静止壳体绕所述转子并具有设置在所述转子的所述排放口下方的下部流体收集区域。
3、在一些实施例中,一种多腔室处理工具包括:工厂接口,所述工厂接口具有一个或多个装载端口;转移腔室,所述转移腔室耦接至所述工厂接口;以及湿式清洁腔室,所述湿式清洁腔室耦接至所述转移腔室,所述湿式清洁腔室包括:基板支撑件,所述基板支撑件可旋转并被配置为在支撑平面中支撑基板;转子,所述转子绕所述基板支撑件设置并被配置为与所述基板支撑件一起旋转,其中所述转子包括上部流体收集区域,所述上部流体收集区域被设置在所述基板支撑件的径向外侧的适当位置处,以在处理期间收集离开所述基板支撑件的流体,并且其中所述上部流体收集区域包括多个排放开口;以及静止壳体,所述静止壳体围绕所述转子并具有设置在所述转子的所述排放口下方的下部流体收集区域。
4、下面描述本公开的其他及进一步的实施例。
1.一种湿式清洁腔室,包括:
2.如权利要求1所述的湿式清洁腔室,进一步包括一个或多个流体输送臂,所述一个或多个流体输送臂耦接至所述盖板并被配置为将流体输送至所述基板。
3.如权利要求2所述的湿式清洁腔室,其中所述一个或多个流体输送臂包括被配置为输送第一流体的第一臂和被配置为输送第二流体的第二臂,其中所述一个或多个流体输送臂被配置用于相对于所述盖板旋转和垂直移动。
4.如权利要求1所述的湿式清洁腔室,其中所述转子包括:
5.如权利要求4所述的湿式清洁腔室,其中所述转子包括从所述环形基底板向上延伸的第一环形唇缘,并且其中所述基板支撑件包括外部环形唇缘,所述外部环形唇缘从所述基板支撑件的主体向下延伸并围绕所述第一环形唇缘。
6.如权利要求4所述的湿式清洁腔室,其中所述转子包括第二环形唇缘,所述第二环形唇缘从所述环形基底板向下延伸并且围绕所述静止壳体的内唇缘。
7.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,进一步包括气体净化管线,所述气体净化管线延伸至在所述基板支撑件与所述转子之间的区域。
8.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,其中所述转子中的所述多个排放开口包括约30个至约90个开口。
9.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,其中所述上部流体收集区域部分地由所述转子的外壁限定,所述外壁具有以第一角度向上且径向向内延伸的第一壁和以大于所述第一角度的第二角度从所述第一壁向上且径向向内延伸的第二壁。
10.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,其中所述基板支撑件包括一个或多个基板固持件,所述一个或多个基板固持件包括一个或多个指状物,所述一个或多个指状物具有倾斜表面以支撑所述基板的外表面和所述基板的下部外表面。
11.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,其中所述基板是带状框架基板,并且所述基板支撑件包括基底板和所述支撑板,所述支撑板设置在所述基底板上方并且被配置为相对于所述基底板升高。
12.如权利要求11所述的湿式清洁腔室,其中所述支撑板包括多个支撑销和一个或多个钩指,所述多个支撑销被配置为将所述带状框架基板升离所述支撑板,并且所述一个或多个钩指被配置为将所述带状框架基板夹持抵靠所述支撑销。
13.如权利要求1-6中任一项所述的湿式清洁腔室,其中所述静止壳体包括主体和盖,所述盖从所述主体向上且径向向内延伸。
14.如权利要求13所述的湿式清洁腔室,其中所述盖包括可延伸盖。
15.一种双重湿式清洁腔室,包括:
16.一种多腔室处理工具,包括:
17.如权利要求16所述的多腔室处理工具,其中所述一个或多个装载端口包括用于接收晶片的一个或多个装载端口和用于接收带状框架基板的一个或多个装载端口。
18.如权利要求16所述的多腔室处理工具,其中所述基板是带状框架基板,并且所述基板支撑件包括基底板和支撑板,所述支撑板设置在所述基底板上方并且被配置为相对于所述基底板升高以选择性地接触所述带状框架基板。
19.如权利要求16所述的多腔室处理工具,其中所述静止壳体的上部部分对应于所述转子的上部部分的形状。
20.如权利要求16所述的多腔室处理工具,其中所述基板支撑件被配置为支撑晶片,并且所述基板支撑件包括外部环形唇缘,所述外部环形唇缘从所述基板支撑件的外边缘向下延伸。