光检测装置和电子设备的制作方法

文档序号:37808044发布日期:2024-04-30 17:18阅读:17来源:国知局
光检测装置和电子设备的制作方法

本技术(根据本公开的技术)涉及一种光检测装置和电子设备。


背景技术:

1、传统上,例如,已经提出了一种光检测装置,该光检测装置包括排列有多个光电转换器的传感器基板和层叠在传感器基板上的逻辑基板(例如,参见专利文献1)。专利文献1中公开的光检测装置包括逻辑基板和配线层,该逻辑基板包括其上布置有逻辑电路的半导体基板,并且该配线层形成在半导体基板的位于传感器基板侧的表面上。

2、引文列表

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利申请特开第2021-103792号


技术实现思路

1、技术问题

2、然而,在专利文献1中公开的光检测装置中,由于逻辑基板中的配线层的配线和层间绝缘膜之间的物理性质的差异,可能会在配线层中引起应力。此外,包括光电转换器的传感器基板可能会受到应力的影响,并且这可能会导致成像特性水平的降低。

3、本公开的目的是提供一种光检测装置和电子设备,其能够防止成像特性水平的降低。

4、问题的解决方案

5、根据本公开的光检测装置包括:(a)传感器基板,其包括上面布置有多个光电转换器的第一半导体基板;和(b)逻辑基板,其包括上面设置有逻辑电路的第二半导体基板,和第一配线层,其层叠在所述第二半导体基板上,(c)所述传感器基板和所述逻辑基板以所述逻辑基板的所述第一配线层面向所述传感器基板的方式层叠布置,(d)包括配线和绝缘体的第二配线层形成在所述第二半导体基板的内部,所述配线与作为所述第二半导体基板的位于所述第一配线层侧的表面的第一面平行地延伸,所述绝缘体使所述配线与所述第二半导体基板绝缘,并且(e)所述第二配线层中的配线电连接到形成在所述第二半导体基板的所述第一面或者所述第二半导体基板的与所述第一面相反的第二面中的连接对象的特定部分。

6、根据本公开的电子设备包括光检测装置,光检测装置包括:(a)传感器基板,其包括上面布置有多个光电转换器的第一半导体基板,和逻辑基板,其包括(b)上面设置有逻辑电路的第二半导体基板,和(c)第一配线层,其层叠在所述第二半导体基板上,(d)所述传感器基板和所述逻辑基板以所述逻辑基板的所述第一配线层面向所述传感器基板的方式层叠布置,(d)包括配线和绝缘体的第二配线层形成在所述第二半导体基板的内部,所述配线与作为所述第二半导体基板的位于所述第一配线层侧的表面的第一面平行地延伸,所述绝缘体使所述配线与所述第二半导体基板绝缘,并且(e)所述第二配线层中的配线电连接到形成在所述第二半导体基板的所述第一面或者所述第二半导体基板的与所述第一面相反的第二面中的连接对象的特定部分。



技术特征:

1.一种光检测装置,包括:

2.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

3.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

4.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

5.根据权利要求4所述的光检测装置,其中,

6.根据权利要求4所述的光检测装置,其中,

7.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

8.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

9.根据权利要求1所述的光检测装置,其中,

10.一种电子设备,包括:


技术总结
提供了一种光检测装置,其能够防止成像特性水平的降低。第二配线层形成在第二半导体基板的内部。在第二配线层中包括第一配线(配线)和第二配线(配线),其中,第一配线和第二配线与第二半导体基板的背面(第一面)平行地延伸。此外,在第二配线层中包括使第一配线和第二配线与第二半导体基板绝缘的绝缘体。此外,第二配线层中的第一配线和第二配线电连接到形成在第二半导体基板的背面中的晶体管(连接对象)的漏极(特定部分)。

技术研发人员:西冈裕太
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/29
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