半导体装置以及其制造方法与流程

本说明书涉及一种半导体装置以及其制造方法。

背景技术：

1、如专利文献1(日本专利特开2019-102757号公报)所公开，通过将四方无引线扁平封装(quad flat non-leaded package，qfn)封装体基板分割，从而制作qfn型的半导体装置。通过分割而多个微细的电极在半导体装置的端面露出。专利文献1(段落[0003])公开有，在这些电极产生毛边的情形时，有可能电极彼此相连(短路)，或者将半导体装置设置于母基板时无法良好地将半导体装置载置于基板上。

2、专利文献2(日本专利特开2011-077278号公报)所公开的半导体装置中，在引线框架的引线部的与芯片搭载面侧为相反侧的部分，形成有凹部(凹状部)。专利文献1(段落[0062]、段落[0063]等)公开有，通过向凹部照射激光光而将填充于凹部的树脂材料去除，由此使被覆凹部的下表面侧(与芯片搭载面为相反侧)的部分的镀敷膜在外部露出，然后使用刀片沿着凹部将封装体分割，由此可获得半导体装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利特开2019-102757号公报

6、专利文献2：日本专利特开2011-077278号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、向设于引线框架的凹部照射激光光，将填充于凹部的树脂材料全部去除。在所述情形时，在使用刀片沿着凹部将封装体分割时，在引线框架的凹部的底面(形成有凹部的部分的端面)，容易产生毛边。引线框架大多情况下包含铜，在通常的金属材质中，铜具有相对较柔软的性质。包含铜的引线框架中，毛边的高度容易不均一。在qfn等使端子侧面露出的半导体装置中，若在端子部的端面产生具有各种高度的毛边，则有可能根据毛边的高度而各个体中封装高度及平坦度等不均一，或者封装强度降低。

3、本说明书的目的在于公开一种包括下述结构的半导体装置以及其制造方法，即：可抑制在引线框架的凹部的底面产生毛边。

4、解决问题的技术手段

5、基于本公开的半导体装置的制造方法包含：树脂密封工序，于在形成有凹部的引线框架接合有半导体芯片的状态下，利用树脂材料将所述半导体芯片密封；激光光照射工序，向所述凹部照射激光光，以在所述凹部内残留所述树脂材料的一部分的方式通过所述激光光将所述凹部内的所述树脂材料去除；以及切断工序，将所述引线框架中的所述凹部的底面与所述凹部内的所述树脂材料的所述一部分一起切断。

6、基于本公开的半导体装置包括：引线框架，形成有凹部；以及半导体芯片，接合于所述引线框架，由树脂材料进行了树脂密封，且所述半导体装置是通过将所述引线框架中的所述凹部的底面切断而制作，并且所述引线框架的所述凹部的所述底面、与所述凹部内的所述树脂材料在所述引线框架的高度方向上相互重叠。

7、发明的效果

8、根据所述结构，可获得一种包括下述结构的半导体装置以及其制造方法，即：可抑制在引线框架的凹部的底面产生毛边。

技术特征：

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中于在所述切断工序中将所述引线框架切断的状态下，

6.一种半导体装置，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中

技术总结
半导体装置的制造方法包含：树脂密封工序，于在形成有凹部(5)的引线框架(1)接合有半导体芯片(6)的状态下，利用树脂材料(9)将半导体芯片(6)密封；激光光照射工序，向凹部(5)照射激光光，以在凹部(5)内残留树脂材料(9)的一部分(9c)的方式利用激光光将凹部(5)内的树脂材料(9)去除；以及切断工序，将引线框架(1)中的凹部(5)的底面(4v)与凹部(5)内的树脂材料(9)的一部分(9c)一起切断。

技术研发人员：高森雄大,中村圭一,藤原直己,花坂周邦,宫田和志,石桥干司
受保护的技术使用者：东和株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/5/8