片式电阻器的制作方法

本发明涉及片式电阻器。

背景技术：

1、日本特开2008-277638号公报(专利文献1)公开了包括绝缘基板、上表面电极、下表面电极、端面电极、电阻体、绝缘保护膜和表面覆膜的片式电阻器。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2008-277638号公报。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在专利文献1的片式电阻器中，电阻体的整体被绝缘保护膜覆盖。因此，存在如下问题：在片式电阻器的使用中，片式电阻器的中央的温度过度上升，片式电阻器的短时间过载(stol)特性不充分。本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提高片式电阻器的短时间过载(stol)特性。

3、用于解决问题的技术手段

4、本发明的片式电阻器包括绝缘基板、第1电极、第2电极、电阻体、第1传热层、第2传热层和绝缘保护层。绝缘基板包括第1主面、第1侧面和与第1侧面相反侧的第2侧面。第1侧面和第2侧面分别与第1主面连接。电阻体设置在绝缘基板的第1主面上。第1电极设置于绝缘基板的第1侧面侧。第1电极包括设置在绝缘基板的第1主面上的第1正面电极。第2电极设置于绝缘基板的第2侧面侧，且与第1电极分离。第2电极包括设置在绝缘基板的第1主面上并且与第1正面电极分离的第2正面电极。电阻体与第1正面电极和第2正面电极接触。第1传热层具有比绝缘保护层大的热传导率，且与电阻体和第1正面电极接触。第2传热层与第1传热层分离。第2传热层具有比绝缘保护层大的热传导率，且与电阻体和第2正面电极接触。绝缘保护层设置在电阻体上。绝缘保护层使第1电极与第2电极相互电绝缘，并且使第1传热层与第2传热层相互电绝缘。

5、发明效果

6、根据本发明的片式电阻器，能够提高片式电阻器的短时间过载(stol)特性。

技术特征：

1.一种片式电阻器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的片式电阻器，其特征在于：

3.如权利要求2所述的片式电阻器，其特征在于：

4.如权利要求1至3中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：

5.如权利要求4所述的片式电阻器，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的片式电阻器，其特征在于：

7.如权利要求5或6所述的片式电阻器，其特征在于：

8.如权利要求5至7中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：

9.如权利要求1至8中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：

10.如权利要求1至4中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：

11.如权利要求1至4中任一项所述的片式电阻器，其特征在于：

12.如权利要求11所述的片式电阻器，其特征在于：

13.如权利要求11所述的片式电阻器，其特征在于：

技术总结
片式电阻器(1)包括绝缘基板(10)、第1电极(20)、第2电极(30)、电阻体(16)、第1传热层(40)、第2传热层(41)和绝缘保护层(43)。第1传热层(40)具有比绝缘保护层(43)大的热传导率，且与电阻体(16)和第1正面电极(21)接触。第2传热层(41)与第1传热层(40)分离。第2传热层(41)具有比绝缘保护层(43)大的热传导率，且与电阻体(16)和第2正面电极(31)接触。

技术研发人员：篠浦高德
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/12