表面发射激光器及表面发射激光器的制造方法与流程

根据本公开的技术(在下文中也称为“本技术”)涉及表面发射激光器和用于制造表面发射激光器的方法。

背景技术：

1、常规地，在第一多层膜反射器和第二多层膜反射器之间布置有源层的表面发射激光器是已知的。

2、在传统的表面发射激光器中，存在这样的表面发射激光器，其中，在第二多层膜反射器上设置具有相对高的杂质浓度的区域以降低电阻(例如，参见专利文献1)。

3、引用列表

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利申请公开第2005-93634号

技术实现思路

1、本发明要解决的问题

2、然而，在传统的表面发射激光器中，无法在降低电阻的同时抑制可靠性降低。

3、因此，本技术的主要目的是提供一种能够降低电阻同时抑制可靠性降低的表面发射激光器。

4、问题的解决方案

5、本技术提供了一种表面发射激光器，包括：

6、第一结构，包括第一多层膜反射器；

7、第二结构，包括第二多层膜反射器；以及

8、有源层，布置在第一结构与第二结构之间，

9、其中，第二结构在第一表面与第二表面之间的包括第一表面的厚度方向的至少一部分上包括杂质浓度相对高的高浓度杂质区域，第一表面是与有源层的一侧相反的一侧的表面，第二表面是有源层一侧的表面，并且第二结构在第一表面与第二表面之间包括具有至少一个杂质扩散抑制层。

10、第二多层膜反射器可具有一对al组分相对高的高al组分层和al组分相对低的低al组分层，并且

11、高al组分层的光学厚度可以比低al组分层的光学厚度厚。

12、杂质扩散抑制层可以布置在高浓度杂质区域的至少一部分与有源层之间。

13、杂质扩散抑制层可以包含in。

14、杂质扩散抑制层可以由gainp基化合物半导体或gainas基化合物半导体制成。

15、杂质扩散抑制层可以包含al。

16、杂质扩散抑制层的al组分可以为1％以上且15％以下。

17、其中，当表面发射激光器的振荡波长为λ时，杂质扩散抑制层的光学厚度可以为λ/4以上且λ以下。

18、高浓度杂质区域在平面视图中可以具有环形形状，并且高浓度杂质区域的外径和内径之间的差可以是1μm以上。

19、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层。

20、第二结构可以在该第一表面与该第二表面之间包括氧化限制层。

21、杂质扩散抑制层可以布置在第一表面与氧化限制层之间。

22、杂质扩散抑制层可以布置在高浓度杂质区域的至少一部分与氧化限制层之间。

23、杂质扩散抑制层可以布置在氧化限制层与有源层之间。

24、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层，并且多个杂质扩散抑制层中的至少一个可以布置在第一表面与氧化限制层之间。

25、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层，并且多个杂质扩散抑制层中的至少一个可以布置在高浓度杂质区域的至少一部分与氧化限制层之间。

26、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层，并且多个杂质扩散抑制层中的至少一个可以布置在氧化限制层与有源层之间。

27、高浓度杂质区域可以包含zn、b和be中的任何一种。

28、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层，多个杂质扩散抑制层的一部分可以布置在第一表面与氧化限制层之间，并且多个杂质扩散抑制层的另一部分可以布置在氧化限制层和有源层之间。

29、至少一个杂质扩散抑制层可以是多个杂质扩散抑制层，多个杂质扩散抑制层的一部分可以布置在高浓度杂质区域的至少一部分与氧化限制层之间，并且多个杂质扩散抑制层的另一部分可以布置在氧化限制层与有源层之间。

30、本技术还提供了一种用于制造表面发射激光器的方法，该方法包括：按顺序层压包括第一多层膜反射器的第一结构、有源层、以及包括杂质扩散抑制层和第二多层膜反射器的第二结构的过程；以及从第二结构的与有源层的一侧相反的一侧的表面扩散杂质的过程。

技术特征：

1.一种表面发射激光器，包括：

2.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

3.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述高浓度杂质区域的至少一部分与所述有源层之间。

4.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含in。

5.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层由gainp基化合物半导体或gainas基化合物半导体制成。

6.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层包含al。

7.根据权利要求6所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层的al组分为1％以上且15％以下。

8.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

9.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，

10.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述至少一个杂质扩散抑制层是多个杂质扩散抑制层。

11.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述第二结构在所述第一表面与所述第二表面之间具有氧化限制层。

12.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述第一表面与所述氧化限制层之间。

13.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述高浓度杂质区域的至少一部分与所述氧化限制层之间。

14.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，所述杂质扩散抑制层布置在所述氧化限制层与所述有源层之间。

15.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，

16.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，

17.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，

18.根据权利要求1所述的表面发射激光器，其中，所述高浓度杂质区域包含zn、b和be中的任何一种。

19.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，

20.根据权利要求11所述的表面发射激光器，其中，

技术总结
提供了一种能够在抑制可靠性降低的同时实现电阻降低的表面发射激光器。本技术提供了一种表面发射激光器，包括：第一结构，包括第一多层膜反射器；第二结构，包括第二多层膜反射器；以及布置在第一结构和第二结构之间的有源层。第二结构至少在厚度方向上在第一表面和第二表面之间的一部分中具有杂质浓度相对高的高浓度杂质区域，所述第一表面是有源层另一侧的表面，所述第二表面是靠近有源层一侧的表面，该部分包括第一表面，并且在第一表面和第二表面之间具有至少一个杂质扩散抑制层。根据本技术，可以提供一种能够在抑制可靠性降低的同时实现电阻降低的表面发射激光器。

技术研发人员：立川佳照
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/29