蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

文档序号:40611701发布日期:2025-01-07 20:55阅读:18来源:国知局
蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

本发明的例示的实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。


背景技术:

1、在电子器件的制造中,为了在膜形成凹部,有时对膜进行等离子体蚀刻。为了形成这样的凹部,在蚀刻对象膜上形成掩模。作为掩模,已知有抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模在蚀刻对象膜的等离子体蚀刻中消耗。因此,一直使用硬掩模。作为硬掩模,如专利文献1所记载,已知有从硅化钨(wsi)形成的硬掩模。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2007-294836号公报


技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、在一个例示的实施方式中,蚀刻方法包括:(a)提供基片的步骤,其中,上述基片包括第一膜和上述第一膜上的具有开口的第二膜,上述第一膜包含金属元素和非金属元素;和(b)经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤,上述(b)包括:(i)通过供给高频电功率的脉冲,利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体,经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤;(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体,对通过上述(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤;和(iii)反复进行上述(i)和上述(ii)的步骤。

5、发明效果

6、根据一个例示的实施方式,提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。



技术特征:

1.一种蚀刻方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:

5.一种蚀刻方法,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法,其特征在于:

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法,其特征在于:

8.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法,其特征在于:

10.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

11.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

12.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

13.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

14.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

15.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

16.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

17.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

18.根据权利要求17所述的蚀刻方法,其特征在于:

19.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

20.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

21.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

22.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

23.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

24.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

25.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:

26.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

27.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:


技术总结
本发明的蚀刻方法包括:(a)提供基片的步骤,其中,基片包括第一膜和第一膜上的具有开口的第二膜,第一膜包含金属元素和非金属元素;和(b)经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤。(b)包括:(i)通过供给高频电功率的脉冲,利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体,经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤;(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体,对通过(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤;(iii)反复进行(i)和(ii)的步骤。

技术研发人员:熊仓翔,木村壮一郎,世小弓,小田岛畅洋,真崎祐次,岳本昇,小林真
受保护的技术使用者:东京毅力科创株式会社
技术研发日:
技术公布日:2025/1/6
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1