本发明的例示的实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。
背景技术:
1、在电子器件的制造中,为了在膜形成凹部,有时对膜进行等离子体蚀刻。为了形成这样的凹部,在蚀刻对象膜上形成掩模。作为掩模,已知有抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模在蚀刻对象膜的等离子体蚀刻中消耗。因此,一直使用硬掩模。作为硬掩模,如专利文献1所记载,已知有从硅化钨(wsi)形成的硬掩模。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2007-294836号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术问题
2、本发明提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。
3、用于解决技术问题的技术方案
4、在一个例示的实施方式中,蚀刻方法包括:(a)提供基片的步骤,其中,上述基片包括第一膜和上述第一膜上的具有开口的第二膜,上述第一膜包含金属元素和非金属元素;和(b)经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤,上述(b)包括:(i)通过供给高频电功率的脉冲,利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体,经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤;(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体,对通过上述(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤;和(iii)反复进行上述(i)和上述(ii)的步骤。
5、发明效果
6、根据一个例示的实施方式,提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。
1.一种蚀刻方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的蚀刻方法,其特征在于:
5.一种蚀刻方法,其特征在于,包括:
6.根据权利要求5所述的蚀刻方法,其特征在于:
7.根据权利要求6所述的蚀刻方法,其特征在于:
8.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
9.根据权利要求8所述的蚀刻方法,其特征在于:
10.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
11.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
12.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
13.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
14.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
15.根据权利要求5~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
16.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
17.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
18.根据权利要求17所述的蚀刻方法,其特征在于:
19.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
20.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
21.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
22.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
23.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
24.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
25.根据权利要求1~7中任一项所述的蚀刻方法,其特征在于:
26.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:
27.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括: