蚀刻方法和等离子体处理装置与流程

本发明的例示的实施方式涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、在电子器件的制造中，为了在膜形成凹部，有时对膜进行等离子体蚀刻。为了形成这样的凹部，在蚀刻对象膜上形成掩模。作为掩模，已知有抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模在蚀刻对象膜的等离子体蚀刻中消耗。因此，一直使用硬掩模。作为硬掩模，如专利文献1所记载，已知有从硅化钨(wsi)形成的硬掩模。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2007-294836号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、在一个例示的实施方式中，蚀刻方法包括：(a)提供基片的步骤，其中，上述基片包括第一膜和上述第一膜上的具有开口的第二膜，上述第一膜包含金属元素和非金属元素；和(b)经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤，上述(b)包括：(i)通过供给高频电功率的脉冲，利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体，经由上述开口对上述第一膜进行蚀刻的步骤；(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体，对通过上述(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤；和(iii)反复进行上述(i)和上述(ii)的步骤。

5、发明效果

6、根据一个例示的实施方式，提供一边抑制形状异常一边对膜进行蚀刻的技术。

技术特征：

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

5.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：

8.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于：

10.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

11.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

12.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

13.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

14.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

15.根据权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

16.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

17.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

18.根据权利要求17所述的蚀刻方法，其特征在于：

19.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

20.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

21.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

22.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

23.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

24.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

25.根据权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

26.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

27.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

技术总结
本发明的蚀刻方法包括：(a)提供基片的步骤，其中，基片包括第一膜和第一膜上的具有开口的第二膜，第一膜包含金属元素和非金属元素；和(b)经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤。(b)包括：(i)通过供给高频电功率的脉冲，利用从包含含卤素气体的第一处理气体生成的第一等离子体，经由开口对第一膜进行蚀刻的步骤；(ii)利用从第二处理气体生成的第二等离子体，对通过(i)形成的凹部的侧壁进行改性的步骤；(iii)反复进行(i)和(ii)的步骤。

技术研发人员：熊仓翔,木村壮一郎,世小弓,小田岛畅洋,真崎祐次,岳本昇,小林真
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2025/1/6