基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序与流程

本发明涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序。

背景技术：

1、作为半导体装置的制造工序的一工序，有进行在基板上形成膜的处理的情形(例如，参照日本特开2013-077805号公报、日本特开2018-137356号公报)。

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、随着半导体装置的细微化，强烈要求形成在基板上的膜的阶梯覆盖率(stepcoverage)的改善。

3、本发明是提供可使形成在基板上的膜的阶梯覆盖率提升的技术。

4、用于解决课题的方法

5、根据本发明的一方式，提供一种技术，将包含以下工序的周期进行预定次数而在基板上形成膜：(a)对基板供给第1原料和添加剂，生成化学上比上述第1原料更稳定的第2原料，使上述第1原料和上述第2原料曝露且吸附于上述基板的表面而形成第1层；(b)对上述基板供给反应体，使上述第1层变化为第2层。

6、发明效果

7、根据本发明，可使形成在基板上的膜的阶梯覆盖率提升。

技术特征：

1.一种基板处理方法，其特征在于，将包含以下工序的周期进行预定次数而在基板上形成膜：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

11.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

12.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，

15.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，

16.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，

17.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，

18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，将包含以下工序的周期进行预定次数而在基板上形成膜：

19.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

20.一种程序，其特征在于，通过计算机使基板处理装置将包含以下步骤的周期进行预定次数而在上述基板上形成膜的步骤：

技术总结
通过将包含以下工序的周期进行预定次数而在基板上形成膜：(a)对基板供给第1原料和添加剂，生成化学上比上述第1原料更稳定的第2原料，使上述第1原料和上述第2原料曝露且吸附于上述基板的表面而形成第1层；(b)对上述基板供给反应体，使上述第1层变化为第2层。

技术研发人员：中谷公彦,陶山渚,长桥知也
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2025/1/20