一种高散热电磁屏蔽封装结构及其制造方法与流程

本发明涉及半导体芯片封装，特别涉及一种高散热电磁屏蔽封装结构及其制造方法。

背景技术：

1、随着当代电子技术的高速发展，电子封装产品的高散热要求越来越高；现有的封装工艺由于本身结构限制已无法实现更高功耗的散热需求，且容易出现翘曲问题。此外，在高度集成的电路板中，需要电子产品实现电磁屏蔽效果；现有的封装结构中，芯片的电磁屏蔽方式精确度低，电磁屏蔽效果较差。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种高散热电磁屏蔽封装结构及其制造方法。该封装结构具有较优的散热效果和电磁屏蔽效果，并能解决翘曲问题。

2、为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

3、一种高散热电磁屏蔽封装结构，包括：

4、铜载体和电镀铜层，所述电镀铜层设置于所述铜载体上，且所述电镀铜层具有凹槽；

5、芯片，其埋入于所述电镀铜层的凹槽中，且芯片具有导电结构，芯片的导电结构朝向外侧；

6、塑封层，其包裹所述芯片，且芯片的导电结构暴露于塑封层外；

7、至少一层金属线路结构，设置于芯片上方，且与芯片的导电结构电连接；

8、至少一层绝缘介质层，压合于所述金属线路结构上；

9、电性导出结构，其与金属线路结构电连接。

10、进一步的，所述芯片通过导电胶水或导电daf膜贴装于所述电镀铜层的凹槽中。

11、进一步的，该封装结构还包括有位于最外侧的防焊层，该防焊层压合在金属线路结构上。

12、进一步的，所述电性导出结构为焊球。

13、本发明进一步提供了一种高散热电磁屏蔽封装结构的制造方法，包括如下步骤：

14、s1，提供一铜板，作为铜载体，在该铜载体上压合感光膜，通过曝光、显影去除多余膜后，通过电镀工艺形成电镀铜层；电镀铜层中分布有凹槽；

15、s2，将正面具有导电结构的芯片贴装埋入于电镀铜层的凹槽中；芯片的导电结构朝向外侧；

16、s3，通过塑封工艺形成包裹所述芯片的塑封层；

17、s4，对塑封层进行减薄，使芯片的导电结构露出；

18、s5，在芯片上方形成至少一层与芯片的导电结构电连接的金属线路结构，并且在金属线路结构上压合绝缘介质层；

19、s6，在最外层的金属线路结构上形成电性导出结构；

20、s7，经切割获得单颗封装结构。

21、进一步的，步骤s5中，还形成有一层压合在金属线路结构上的位于最外侧的防焊层。

22、进一步的，所述金属线路结构通过依次进行的溅射种子层、曝光、显影、电镀、蚀刻制备而成。

23、本发明的有益效果是：

24、本发明采用铜载体作为衬底，利用铜载体较高的弹性模量可有效改善封装结构的翘曲问题。

25、本发明采用铜载体作为衬底，可以有效提高封装结构的散热性能。

26、本发明采用铜载体作为衬底，并且在铜载体上电镀形成具有凹槽的电镀铜层，芯片埋入于电镀铜层的凹槽中，从而通过铜载体、电镀铜层以及扇出布置的金属线路结构的配合，可以实现较优的电磁屏蔽效果。

27、本发明中的铜载体可以赋予封装结构地或电源网络属性，提高封装产品的整体电源性能。

技术特征：

1.一种高散热电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种高散热电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述芯片通过导电胶水或导电daf膜贴装于所述电镀铜层的凹槽中。

3.根据权利要求1所述的一种高散热电磁屏蔽封装结构，其特征在于，还包括有位于最外侧的防焊层，其压合在金属线路结构上。

4.根据权利要求1所述的一种高散热电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述电性导出结构为焊球。

5.一种高散热电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述的一种高散热电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，步骤s5中，还形成有一层压合在金属线路结构上的位于最外侧的防焊层。

7.根据权利要求5所述的一种高散热电磁屏蔽封装结构的制造方法，其特征在于，所述金属线路结构通过依次进行的溅射种子层、曝光、显影、电镀、蚀刻制备而成。

技术总结
本发明公开了一种高散热电磁屏蔽封装结构及其制造方法，该封装结构包括：铜载体和电镀铜层，所述电镀铜层设置于所述铜载体上，且所述电镀铜层具有凹槽；芯片，其埋入于所述电镀铜层的凹槽中，且芯片具有导电结构，芯片的导电结构朝向外侧；塑封层，其包裹所述芯片，且芯片的导电结构暴露于塑封层外；至少一层金属线路结构，设置于芯片上方，且与芯片的导电结构电连接；至少一层绝缘介质层，压合于所述金属线路结构上；电性导出结构，其与金属线路结构电连接。该封装结构具有较优的散热效果和电磁屏蔽效果，并能解决翘曲问题。

技术研发人员：马晓建,刘卫东,张婕,苏亚兰
受保护的技术使用者：华天科技（西安）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13