半导体器件及其形成方法、存储器与流程

本公开涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体器件及其形成方法、存储器。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)因其体积小、传输数据速度快、集成度高等特点被广泛应用于手机、平板电脑等智能设备上。随着终端设备的尺寸不断减小，存储器的尺寸也不断微缩，因此，对存储器的工艺制程的要求也越来越高。

2、金属导线的连接关系着器件内部元件的连接，由于金属导线的半导体制程中易发生氧化现象，导致导线之间连接不良或者导线之间会存在短路现象，影响器件的质量。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种半导体器件及其形成方法，解决了由于工艺制程导致的金属导线氧化问题，解决了金属导线间连接不良或连接短路的问题。

2、本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

3、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件形成方法，该方法包括：

4、提供一衬底；

5、在所述衬底上形成金属层，所述金属层包括多个间隔分布的导电部；

6、在所述金属层上依次形成绝缘层和掩膜层，所述掩膜层包括多个掩膜图案，所述掩膜图案在所述衬底上的正投影覆盖所述导电部在所述衬底上的正投影；

7、通过所述掩膜层对所述绝缘层进行蚀刻，以形成露出所述导电部的沟槽；

8、采用无氧剥离气体去除所述掩膜层。

9、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述掩膜层包括旋涂硬掩膜，所述无氧剥离气体包含氮气和氢气，所述无氧剥离气体用于去除所述旋涂硬掩膜。

10、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，形成所述沟槽之后，所述方法还包括：

11、在所述沟槽内形成填充层。

12、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述沟槽内形成填充层，所述方法包括：

13、在所述沟槽内填充填充材料，所述填充材料至少填满所述沟槽；

14、对所述填充材料进行平坦化处理，去除位于所述绝缘层表面的所述填充材料，以形成与所述绝缘层表面齐平的所述填充层。

15、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

16、在所述绝缘层和所述掩膜层之间形成保护层。

17、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：

18、通过所述掩膜层对所述绝缘层蚀刻的同时蚀刻所述保护层。

19、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，对所述保护层进行蚀刻之后，所述方法还包括：

20、在所述沟槽内填充填充材料，所述填充材料至少覆盖所述保护层的表面。

21、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，在所述沟槽内填充填充材料之后，所述方法还包括：

22、去除所述保护层以及位于所述保护层的表面之上的所述填充材料，使所述填充材料与所述绝缘层的表面齐平，以形成填充层。

23、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述填充材料为导电材料。

24、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述导电材料为铜、钛、氮化钛、钨中的至少一种。

25、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述无氧剥离气体中氮气和氢气的体积流量比为2:1～4:1。

26、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述无氧剥离气体的工作时间为100s～150s。

27、在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述无氧剥离气体的工作功率为700w-900w，所述无氧剥离气体的工作频率为25mhz-29mhz。

28、根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体器件，该半导体器件运用上述半导体器件形成方法制作而成。

29、根据本公开的另一个方面，提供了一种存储器，该存储器包括上述半导体器件。

30、本公开提供了一种半导体器件形成方法，通过在衬底上形成金属层，金属层上具有多个间隔分布的导电部，在金属层上依次形成绝缘层和掩膜层，通过掩膜层对绝缘层进行蚀刻后，形成露出导电部的沟槽，并通过无氧剥离气体剥离掩膜层，避免了在半导体器件制程中使用剥离气体剥除掩膜层致使金属层发生氧化的现象，保证了金属层的导电性和金属导线之间的接触性，解决了因金属氧化问题导致的金属导线接触不良或者短路的问题，进而提高了器件的良品率；

31、本公开另一方面提供了一种半导体器件，该半导体器件运用上述半导体器件形成方法制作而成，使得半导体器件中的金属导线不会发生氧化现象，器件内的金属导线具有良好的连接性。

32、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括旋涂硬掩膜，所述无氧剥离气体包含氮气和氢气，所述无氧剥离气体用于去除所述旋涂硬掩膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，形成所述沟槽之后，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件形成方法，其特征在于，在所述沟槽内形成填充层，所述方法包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件形成方法，其特征在于，对所述保护层进行蚀刻之后，所述方法还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，在所述沟槽内填充填充材料之后，所述方法还包括：

9.根据权利要求4或7所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述填充材料为导电材料。

10.根据权利要求9所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述导电材料为铜、钛、氮化钛、钨中的至少一种。

11.根据权利要求2所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述无氧剥离气体中氮气和氢气的体积流量比为2:1～4:1。

12.根据权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述无氧剥离气体的工作时间为100s～150s。

13.根据权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述无氧剥离气体的工作功率为700w-900w，所述无氧剥离气体的工作频率为25mhz-29mhz。

14.一种半导体器件，其特征在于，运用如权利要求1-13任一项所述的半导体器件形成方法制作而成。

15.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括如权利要求14所述的半导体器件。

技术总结
本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成金属层，所述金属层包括多个间隔分布的导电部；在所述金属层上依次形成绝缘层和掩膜层，所述掩膜层包括多个掩膜图案，所述掩膜图案在所述衬底上的正投影覆盖所述导电部在所述衬底上的正投影；通过所述掩膜层对所述绝缘层进行蚀刻，以形成露出所述导电部的沟槽；采用无氧剥离气体去除所述掩膜层。本公开提供的半导体器件形成方法，通过掩膜层对绝缘层进行刻蚀后形成露出导电部的沟槽，并采用无氧剥离气体去除掩膜层，避免了在去除掩膜层时剥离气体致使金属层发生氧化反应，从而解决了金属导线因氧化而形成连接不良的现象。

技术研发人员：锁浩,邓贤波,王耀,朱祥,纪刚,张响
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13