一种半导体集成器件及其制作方法与流程

本发明属于半导体，特别涉及一种半导体集成器件及其制作方法。

背景技术：

1、随着半导体器件集成度的不断提高，半导体器件的一个普遍趋势是半导体器件微小化。且往往需要将多种类型的器件集成在一起进行制作，例如同一衬底上制备不同类型的晶体管，不同晶体管之间通过浅沟槽隔离结构进行隔离。但在不同晶体管的制作过程中，制作工艺不同，需要分别对不同区域进行制作，制作工艺复杂，且在不同区域连接处，易出现横向刻蚀等现象，造成晶体管电性衰减，降低半导体器件的性能，从而降低制作良率。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种半导体集成器件及其制作方法，能够提高不同区域之间的界面性能，同时简化制作过程，并获得高质量的半导体集成器件。

2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

3、本发明提供一种半导体集成器件，包括：

4、衬底，且所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；

5、多个阱区，设置在所述衬底内；

6、栅极氧化层，设置在所述阱区上；

7、第一栅极结构，设置在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上，所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；

8、第二栅极结构，设置在所述第二区域上的栅极氧化层上，所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；以及

9、重掺杂区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内。

10、在本发明一实施例中，所述绝缘层为氧化层、氮化层以及氧化层和氮化层的叠层中的一种。

11、在本发明一实施例中，所述栅极氧化层包括第一栅极氧化层，所述第一栅极氧化层设置在所述第一区域上。

12、在本发明一实施例中，所述栅极氧化层包括第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层设置在所述第二区域上，且所述第一栅极氧化层的厚度为所述第二栅极氧化层厚度的1.5倍~2.5倍。

13、在本发明一实施例中，所述阱区包括低压阱区，所述低压阱区设置在所述第二区域上的所述衬底内。

14、在本发明一实施例中，所述阱区包括高压阱区，所述高压阱区设置在所述第一区域上的所述衬底内，且所述高压阱区的掺杂浓度为所述低压阱区的掺杂浓度的1.2倍~1.5倍。

15、本发明还提供一种半导体集成器件的制作方法，至少包括以下步骤：

16、提供一衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；

17、在所述衬底内形成多个阱区；

18、在所述阱区上形成栅极氧化层；

19、在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上形成第一栅极结构，且所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；

20、在所述第二区域上的栅极氧化层上形成第二栅极结构，且所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；以及

21、在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内形成重掺杂区。

22、在本发明一实施例中，所述制作方法包括：

23、在所述阱区上形成第一栅极氧化层；

24、在所述第一栅极氧化层上形成所述第一栅极层，所述第一栅极层覆盖所述闪存区和所述第一区域上的所述阱区；

25、在所述第一栅极层和所述第二区域上形成所述绝缘层；

26、在所述闪存区和所述第一区域上形成光阻层，以及

27、以所述光阻层为掩膜，刻蚀所述第二区域上的所述绝缘层和所述第一栅极氧化层。

28、在本发明一实施例中，所述刻蚀方法包括干法刻蚀，且所述干法刻蚀包括以下步骤：

29、刻蚀所述第二区域上的所述绝缘层，且刻蚀气体包括氩气、氧气、氢气以及氮气中的至少一种；

30、刻蚀所述第一栅极氧化层，且刻蚀气体包括八氟环丁烷、全氟丁二烯以及二氟甲烷中的至少一种。

31、在本发明一实施例中，所述制作方法包括：

32、刻蚀去除所述第一栅极氧化层后，在所述第二区域上形成第二栅极氧化层；以及

33、在所述绝缘层和所述第二栅极氧化层上形成第二栅极层。

34、本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，能够减少不同区域界面出现钻刻现象，提高半导体集成器件的电学性能。在去除绝缘层和第一栅极氧化层时，减少对衬底的损伤，提高不同区域之间的界面完整性，提高半导体器件的性能。同时，通过一次光罩工艺进行刻蚀，不添加光罩数目，简化制作流程，降低成本。且可以提高半导体器件的生产效率，降低生产成本。综上所述，通过本发明提供一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能，提高制备良率。

35、当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种半导体集成器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体集成器件，其特征在于，所述绝缘层为氧化层、氮化层以及氧化层和氮化层的叠层中的一种。

3.根据权利要求1所述的半导体集成器件，其特征在于，所述栅极氧化层包括第一栅极氧化层，所述第一栅极氧化层设置在所述第一区域上。

4.根据权利要求3所述的半导体集成器件，其特征在于，所述栅极氧化层包括第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层设置在所述第二区域上，且所述第一栅极氧化层的厚度为所述第二栅极氧化层厚度的1.5倍~2.5倍。

5.根据权利要求1所述的半导体集成器件，其特征在于，所述阱区包括低压阱区，所述低压阱区设置在所述第二区域上的所述衬底内。

6.根据权利要求5所述的半导体集成器件，其特征在于，所述阱区包括高压阱区，所述高压阱区设置在所述第一区域上的所述衬底内，且所述高压阱区的掺杂浓度为所述低压阱区的掺杂浓度的1.2倍~1.5倍。

7.一种半导体集成器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

9.根据权利要求8所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括干法刻蚀，且所述干法刻蚀包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的半导体集成器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

技术总结
本发明公开了一种半导体集成器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体集成器件包括：衬底，所述衬底包括闪存区、第一区域和第二区域；多个阱区，设置在所述衬底内；栅极氧化层，设置在所述阱区上；第一栅极结构，设置在所述闪存区和所述第一区域上的栅极氧化层上，所述第一栅极结构包括第一栅极层、绝缘层和第二栅极层，且所述绝缘层设置在所述第一栅极层和所述第二栅极层之间；第二栅极结构，设置在所述第二区域上的栅极氧化层上，所述第二栅极结构包括所述第二栅极层；重掺杂区，位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构两侧的所述阱区内。通过本发明提供的一种半导体集成器件及其制作方法，可提高半导体集成器件的性能和制作良率。

技术研发人员：张二冬,赖国文,林子荏,徐钲竤,杨智强
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12