基片支承部和等离子体处理装置的制作方法

本发明涉及基片支承部和等离子体处理装置。

背景技术：

1、一直以来，在等离子体处理装置中，为了保持基片而使用进行静电吸附的静电吸盘。在静电吸盘内设置静电吸附用的电极，通过从直流电源对该电极施加电压来吸附静电吸盘上的基片。另外，在等离子体处理装置中，为了供给偏置功率，例如将高频电源连接到支承静电吸盘的电介质膜的基材(专利文献1)。另外，为了供给偏置功率，例如，在电介质膜内部设置内周部电极和外周部电极，将高频电源连接到内周部电极和外周部电极(专利文献2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2019/0295823号说明书

5、专利文献2：美国专利申请公开第2019/0237300号说明书

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的一方面的基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。

5、发明效果

6、依照本发明，能够使偏置功率的低频侧的效率提高。

技术特征：

1.一种能够配置在处理容器内的基片支承部，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：

3.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

4.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

5.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

6.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：

7.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

8.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：

9.根据权利要求5所述的基片支承部，其特征在于：

10.根据权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：

11.根据权利要求1或10所述的基片支承部，其特征在于：

12.根据权利要求10所述的基片支承部，其特征在于：

13.根据权利要求10所述的基片支承部，其特征在于：

14.根据权利要求13所述的基片支承部，其特征在于：

15.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

16.根据权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：

17.根据权利要求7所述的基片支承部，其特征在于：

18.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。

技术研发人员：石川真矢,针生大辉,佐藤隆彦,永井力,津田垒文,丰田启吾
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14