封装结构、封装方法和电子设备与流程

本申请属于半导体，具体涉及一种封装结构、封装方法和电子设备。

背景技术：

1、芯片是电子设备中的核心部件之一，随着电子设备功能的逐渐增加，芯片的集成度也越来越高，在相关技术中，主要通过方形扁平无引脚封装(quad flat no-leadspackage，qfn)技术对芯片进行封装。

2、在传统的芯片封装结构中，在芯片的边缘设置有焊盘，焊盘通过键合线与基板的引脚电连接。然而，上述焊盘的材质通常为铝，焊盘的面积如果过大则会压缩芯片晶圆的有效空间利用率，即焊盘的面积受限于芯片的晶圆尺寸；且由于焊盘面积较小，因此在一个焊盘上只能焊接一根尺寸较小的键合线。

3、综上所述，在传统的芯片封装技术中，焊盘的焊盘面积受限于芯片的晶圆尺寸，且一个焊盘只能与一根键合线焊接。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种封装结构、封装方法和电子设备，上述封装结构中的rdl焊盘的焊盘面积不受限于芯片的晶圆尺寸，且rdl焊盘可以与多根键合线焊接。

2、为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

3、第一方面，本申请实施例提供了一种封装结构，包括：

4、基板，和设置于所述基板上的芯片；

5、第一rdl焊盘，所述第一rdl焊盘设置在所述芯片远离所述基板的一侧；

6、至少一根第一键合线，所述第一键合线的第一端与所述第一rdl焊盘焊接，所述第一键合线的第二端与所述基板上的至少一个引脚焊接。

7、第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面所述的封装结构。

8、第三方面，本申请实施例提供了一种封装方法，包括：

9、在基板上设置芯片；

10、在所述芯片远离所述基板的一侧设置第一rdl焊盘；

11、设置第一键合线的第一端与所述第一rdl焊盘焊接，且设置所述第一键合线的第二端与所述基板上的至少一个引脚焊接。

12、本申请实施例中的封装结构包括基板，和设置于基板上的芯片；第一rdl焊盘，第一rdl焊盘设置在芯片远离基板的一侧；至少一根第一键合线，第一键合线的第一端与第一rdl焊盘焊接，第一键合线的第二端与基板上的至少一个引脚焊接。本申请实施例提供的封装结构仅限定rdl焊盘的位置，即rdl焊盘设置在芯片远离基板的一侧，并不对rdl焊盘的面积与芯片的晶圆尺寸之间的大小关系进行限定，即上述封装结构中的rdl焊盘的焊盘面积不受限于芯片的晶圆尺寸。本申请实施例中，使用rdl焊盘替换传统的铝焊盘，避免焊盘与键合线之间的键合力过大导致的弹坑效应，以及防止焊盘与键合线之间的结合性变差；且rdl焊盘可以在不压缩晶圆面积的有效空间利用率的基础上，与多根键合线焊接。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片远离所述基板的一侧包括芯片焊盘和钝化层，所述封装结构还包括缓冲层；

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度大于或等于5μm，且小于或等于10μm。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括金属层；

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度大于或等于0.5μm，且小于或等于3μm。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括塑封件：

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二rdl焊盘和至少一根第二键合线；

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二键合线的直径大于所述第一键合线的直径。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二rdl焊盘设置在所述芯片的中心区域，所述第一rdl焊盘设置在所述芯片的边缘区域。

10.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一rdl焊盘的厚度和所述第二rdl焊盘的厚度均大于或等于5μm，且小于或等于20μm。

11.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括散热片；

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述散热片与所述第二键合线的第二端通过导热胶粘接。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述基板与所述芯片粘接。

14.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至13中任一项所述的封装结构。

15.一种封装方法，其特征在于，包括：

技术总结
本申请提供了一种封装结构、封装方法和电子设备。本申请实施例中的封装结构包括基板，和设置于基板上的芯片；第一RDL焊盘，第一RDL焊盘设置在芯片远离基板的一侧；至少一根第一键合线，第一键合线的第一端与第一RDL焊盘焊接，第一键合线的第二端与基板上的至少一个引脚焊接。

技术研发人员：蒙凯
受保护的技术使用者：维沃移动通信有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11