一种连接结构及其制备方法与流程

本发明涉及半导体，具体涉及一种连接结构及其制备方法。

背景技术：

1、随着半导体技术的发展，芯片端的输入端口或输出端口的密度越来越高，必须依靠硅通孔工艺才能实现芯片和转接板的最终互连。在转接板的正面实现硅通孔工艺之后，在转接板的正面提供临时键合层对转接板起一定的支撑作用，然后对转接板的背面进行露头，使得硅通孔贯穿转接板。

2、然而，现有的连接结构中，重布线层位于基板层的外侧，无法进一步缩小连接结构的整体尺寸。

技术实现思路

1、因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的连接结构的整体尺寸大的缺陷，从而提供一种连接结构及其制备方法。

2、本发明提供一种连接结构的制备方法包括：提供基板层，所述基板层具有相对设置的第一面和第二面；自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件；自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层，所述重布线层与所述导电件电连接。

3、可选的，自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件的步骤包括：自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成开孔；在所述开孔中形成所述导电件。

4、可选的，在所述开孔中形成所述导电件的步骤包括：在所述开孔的侧壁和底部形成第一阻挡层；形成所述第一阻挡层之后，在所述开孔中形成主导电件。

5、可选的，所述第一阻挡层的材料包括钛。

6、可选的，所述第一阻挡层的厚度为25nm-100nm。

7、可选的，所述开孔的深度为所述基板层的厚度的5％-15％。

8、可选的，自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层的步骤包括：自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成开槽，所述开槽暴露出导电件朝向所述第二面的端面；在所述开槽中形成重布线层。

9、可选的，还包括：在所述开槽中形成重布线层之前，在所述开槽的侧壁和底部形成第二阻挡层，所述第二阻挡层和所述导电件接触。

10、可选的，所述第二阻挡层的材料包括钛。

11、可选的，所述第二阻挡层的厚度为25nm-100nm。

12、可选的，所述开槽的深度为1um-5um。

13、可选的，形成所述开槽的工艺为各向异性干法刻蚀工艺。

14、可选的，所述各向异性干法刻蚀工艺采用六氟化硫和四氟化碳的混合气体，时间为4mi n-5mi n，温度为30℃-50℃。

15、可选的，还包括：提供临时载板；形成导电件之后，自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层之前，将所述临时载板与所述基板层的第一面键合在一起；形成重布线层之后，去除所述临时载板；

16、还包括：在所述开孔中形成导电件之前，在所述开孔的侧壁和底部以及开孔的侧部的第一面形成第一绝缘介质层；将所述临时载板与所述基板层的第一面键合在一起的步骤为：将所述临时载板通过所述第一绝缘介质层与所述基板层键合在一起；将所述临时载板通过所述第一绝缘介质层与所述基板层键合在一起之后，且在形成所述重布线层之前，将所述导电件和所述第二面之间的所述第一绝缘介质层去除。

17、可选的，还包括：在所述开槽的侧壁和底部形成第二阻挡层之前，在所述开槽的侧壁和部分底部形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层暴露出导电件。

18、本发明提供一种连接结构，包括：基板层，所述基板层具有相对设置的第一面和第二面；导电件，自所述第一面延伸至部分厚度的所述基板层中；重布线层，自所述第二面延伸至部分厚度的所述基板层中，所述重布线层与所述导电件电连接。

19、可选的，所述基板层中具有开孔，所述开孔自所述第一面延伸至部分厚度的所述基板层中，所述导电件位于所述开孔中。

20、可选的，所述导电件包括：位于所述开孔中的主导电件；第一阻挡层，位于所述主导电件和所述基板层之间以及所述主导电件朝向重布线层一侧的表面。

21、可选的，所述第一阻挡层的材料包括钛。

22、可选的，所述第一阻挡层的厚度为25nm-100nm。

23、可选的，所述开孔的深度为所述基板层的厚度的5％-15％。

24、可选的，所述基板层中具有开槽，所述开槽自所述第二面延伸至部分厚度的所述基板层中；所述开槽至少与所述导电件朝向所述第二面的端面相对；所述重布线层位于所述开槽中。

25、可选的，还包括：位于所述开槽的侧壁和底部的第二阻挡层，所述第二阻挡层和所述导电件接触。

26、可选的，所述第二阻挡层的材料包括钛。

27、可选的，所述第二阻挡层的厚度为25nm-100nm。

28、可选的，所述开槽的深度为1um-5um。

29、本发明的有益效果在于：

30、本发明提供一种连接结构的制备方法，自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件，能够提高电子元器件之间的集成度；自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层，所述重布线层与所述导电件电连接，所述重布线层嵌入在部分所述基板层中，无需在所述基板层的外侧形成，这样能够减小连接结构的整体尺寸。

技术特征：

1.一种连接结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的连接结构的制备方法，其特征在于，自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件的步骤包括：自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成开孔；在所述开孔中形成所述导电件；

3.根据权利要求1所述的连接结构的制备方法，其特征在于，自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层的步骤包括：自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成开槽，所述开槽暴露出导电件朝向所述第二面的端面；在所述开槽中形成重布线层；

4.根据权利要求3所述的连接结构的制备方法，其特征在于，形成所述开槽的工艺为各向异性干法刻蚀工艺；

5.根据权利要求2所述的连接结构的制备方法，其特征在于，还包括：提供临时载板；形成导电件之后，自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层之前，将所述临时载板与所述基板层的第一面键合在一起；形成重布线层之后，去除所述临时载板；

6.根据权利要求3所述的连接结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述开槽的侧壁和底部形成第二阻挡层之前，在所述开槽的侧壁和部分底部形成第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层暴露出导电件。

7.一种连接结构，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的连接结构，其特征在于，所述基板层中具有开孔，所述开孔自所述第一面延伸至部分厚度的所述基板层中，所述导电件位于所述开孔中；

9.据权利要求7所述的连接结构，其特征在于，所述基板层中具有开槽，所述开槽自所述第二面延伸至部分厚度的所述基板层中；所述开槽至少与所述导电件朝向所述第二面的端面相对；所述重布线层位于所述开槽中；

技术总结
本发明提供一种连接结构及其制备方法，包括：提供基板层，所述基板层具有相对设置的第一面和第二面；自所述第一面在部分厚度的所述基板层中形成导电件；自所述第二面在部分厚度的所述基板层中形成重布线层，所述重布线层与所述导电件电连接。本发明提供的连接结构的制备方法能够减小连接结构的整体尺寸。

技术研发人员：王华,徐成
受保护的技术使用者：上海先方半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12