半导体装置以及半导体装置的制造方法与流程

本申请说明书中公开的技术涉及半导体装置。

背景技术：

1、在例如专利文献1中公开了反向导通型igbt(reverseconducting insulatedgate bipolar transistor，即rc-igbt)。在此，rc-igbt是在一片半导体基板形成igbt和续流二极管(free-wheeling diode，即fwd)而得到的。

2、在专利文献1所公开的rc-igbt的表面侧，分别在igbt区域形成p型的基极层，在二极管区域形成p型的阳极层，在终端区域形成p型的阱层，igbt区域的p型的基极层以及二极管区域的p型的阳极层是以一样的深度平坦地形成的。

3、专利文献1：日本特开2021-136311号公报

4、在使igbt和二极管成为一体的构造即rc-igbt中，作为载流子的空穴从igbt区域向二极管区域流入。因此，二极管的恢复动作时的电力损耗即恢复损耗增加。

5、另外，在专利文献1所示的rc-igbt中，由于二极管区域的p型的阳极层的杂质浓度与igbt区域的p型的基极层的杂质浓度相同，所以p型的阳极层成为为了igbt特性而恰当化的杂质浓度。因此，由于来自p型的阳极层的空穴的流入变多，从而二极管的恢复损耗也增加。

技术实现思路

1、本申请说明书中公开的技术就是鉴于以上记载的问题而提出的，是一种用于抑制rc-igbt的恢复损耗增加的技术。

2、本申请说明书所公开的技术的第1方式即半导体装置是将作为有源区域的igbt区域以及二极管区域、在俯视观察时围绕所述有源区域的终端区域设置于单一的半导体基板的rc-igbt，在所述半导体基板的上表面设置有第1导电型的漂移层，所述igbt区域具有所述漂移层的表层的第2导电型的基极层，所述二极管区域具有所述漂移层的表层的第2导电型的阳极层，所述终端区域具有所述漂移层的表层的第2导电型的阱层，沿所述漂移层的上表面的方向上的所述基极层的杂质浓度的分布以及所述阳极层的杂质浓度的分布周期性地变动，所述基极层的杂质浓度的分布和所述阳极层的杂质浓度的分布不同。

3、发明的效果

4、根据本申请说明书所公开的技术的至少第1方式，通过设为基极层以及阳极层的杂质浓度的分布周期性地变动的结构，从而能够降低空穴的流入而抑制恢复损耗的增加。

5、另外，与本申请说明书所公开的技术相关联的目的、特征、方案和优点通过以下示出的详细说明和附图而变得更加清楚。

技术特征：

1.一种半导体装置，其是将作为有源区域的igbt区域以及二极管区域、在俯视观察时围绕所述有源区域的终端区域设置于单一的半导体基板的rc-igbt，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.一种半导体装置的制造方法，其中，该半导体装置将作为有源区域的igbt区域以及二极管区域、在俯视观察时围绕所述有源区域的终端区域设置于单一的半导体基板，

技术总结
涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。抑制RC‑IGBT的恢复损耗的增加。关于半导体装置，IGBT区域具有漂移层的表层的第2导电型的基极层，二极管区域具有漂移层的表层的第2导电型的阳极层，终端区域具有漂移层的表层的第2导电型的阱层，沿漂移层的上表面的方向上的基极层的杂质浓度的分布以及阳极层的杂质浓度的分布周期性地变动，基极层的杂质浓度的分布与阳极层的杂质浓度的分布不同。

技术研发人员：本田成人,深田祐介,冈本隼人
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14