半导体装置及其制造方法与流程

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、以往，已知一种半导体装置，该半导体装置出于确保半导体元件与被键合于该半导体元件的电极处的配线之间的绝缘距离等目的，在半导体元件的电极之上形成底座(凸块)，在该底座之上接合有配线(例如，参照日本特开2004-247672号公报)。在日本特开2004-247672号公报中公开了如下半导体装置，即，通过将金属配线多次键合于半导体元件的电极之上，从而形成作为底座的多级凸块，在该多级凸块之上连接有配线。

2、就上述半导体装置而言，为了形成将配线连接于电极之上的底座，针对半导体元件的电极而进行多次键合动作。在这种情况下，由于针对半导体元件施加多次由该键合动作造成的冲击，因此半导体元件有可能破损。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于提供能够抑制半导体元件的破损，并且确保该半导体元件与配线之间的绝缘距离的半导体装置。

2、本发明所涉及的半导体装置具有第1半导体元件、第2半导体元件、第1配线和第2配线。第1半导体元件具有第1主面和第2主面。第2主面位于与第1主面相反侧。在第1主面形成电极。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。第1配线与电极连接。第1配线包含与电极连接的端部。端部包含上表面和切割面。切割面位于与上表面不同的方向上。第2配线将第1半导体元件与第2半导体元件电连接。第2配线的直径小于第1配线的直径。第2配线包含第1端和第2端。第2端位于与第1端相反侧。第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。第2端与第2半导体元件连接。

3、本发明所涉及的半导体装置具有第1半导体元件、第2半导体元件、第1配线和第2配线。第1半导体元件具有第1主面和第2主面。第2主面位于与第1主面相反侧。在第1主面形成电极。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。第1配线与电极连接。第1配线呈带状的形状，并且包含与电极连接的端部。端部包含上表面。第2配线将第1半导体元件与第2半导体元件电连接。第2配线的直径小于第1配线的与延伸方向交叉的方向上的宽度。第2配线包含第1端和第2端。第2端位于与第1端相反侧。第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。第2端与第2半导体元件连接。

4、本发明所涉及的半导体装置的制造方法具有准备第1半导体元件及第2半导体元件的工序。第1半导体元件具有第1主面和第2主面。第2主面位于与第1主面相反侧。在第1主面形成有电极。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。并且，半导体装置的制造方法具有：将第1配线的端部与电极进行连接的工序；以及通过第2配线将第1半导体元件与第2半导体元件进行电连接的工序。端部包含上表面和切割面。切割面位于与上表面不同的方向上。第2配线的直径小于第1配线的直径。第2配线包含第1端和第2端。第2端位于与第1端相反侧。在通过第2配线进行电连接的工序中，第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。第2端与第2半导体元件连接。

5、本发明所涉及的半导体装置的制造方法具有准备第1半导体元件及第2半导体元件的工序。第1半导体元件具有第1主面和第2主面。第2主面位于与第1主面相反侧。在第1主面形成有电极。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。并且，半导体装置的制造方法具有：将第1配线的端部与电极进行连接的工序；以及通过第2配线将第1半导体元件与第2半导体元件进行电连接的工序。第1配线呈带状的形状。端部包含上表面。第2配线的直径小于第1配线的与延伸方向交叉的方向上的宽度。第2配线包含第1端和第2端。第2端位于与第1端相反侧。在通过第2配线进行电连接的工序中，第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。第2端与第2半导体元件连接。

6、通过结合附图进行理解的与本发明相关的以下的详细说明，使本发明的上述及其它目的、特征、方案及优点变得明确。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有第1半导体元件，该第1半导体元件具有第1主面和位于与所述第1主面相反侧的第2主面，在所述第1主面形成有电极，并且，该半导体装置还具有：

2.一种半导体装置，其具有第1半导体元件，该第1半导体元件具有第1主面和位于与所述第1主面相反侧的第2主面，在所述第1主面形成有电极，并且，该半导体装置还具有：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

6.一种半导体装置的制造方法，

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

8.一种半导体装置的制造方法，

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

12.根据权利要求8至11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

技术总结
得到能够抑制半导体元件的破损，并且确保该半导体元件与配线之间的绝缘距离的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有第1半导体元件(1)、第2半导体元件(8)、第1配线(11)和第2配线(7)。第1半导体元件具有第1主面(1a)和第2主面(1b)。在第1主面形成电极(1c)。第2半导体元件在从第1主面朝向第2主面的厚度方向上配置于与第1半导体元件不同的位置处。第1配线包含与电极(1c)连接的端部(11a)。端部包含上表面和切割面。切割面位于与上表面不同的方向上。第2配线的直径(D2)小于第1配线的直径(D1)。第2配线包含第1端(7a)和第2端(7b)。第1端与第1配线的端部的上表面直接连接。

技术研发人员：山口英树
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14