管芯封装件及其形成方法与流程

本发明的实施例涉及管芯封装件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求增长，出现了半导体管芯的更小和更有创意的封装技术的趋势。这种封装系统的示例是叠层封装(pop)技术。在pop器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高集成度和组件密度。pop技术通常使得能够在印刷电路板(pcb)上生产具有增强功能和小占用面积的半导体器件。

2、在一些封装工艺中，器件管芯在封装之前从晶圆上锯切下来，其中形成再分布线以连接至器件管芯。这种封装技术的有利特征是形成扇出封装件的可能性，这意味着可以将管芯上的i/o焊盘再分布到比管芯更大的区域，并且因此可以增大管芯的表面上的i/o焊盘的数量。

技术实现思路

1、本发明的实施例提供了一种形成管芯封装件的方法，包括：在载体上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一金属层，第一金属层包括伪焊盘和有源焊盘；在第一金属层上方形成第二介电层；在第二介电层上方形成第二金属层，其中，第一金属层的伪焊盘物理地耦接至第二金属层；在第二金属层上方形成第三介电层；将器件管芯附接在第三介电层上方；在第一介电层中激光钻孔开口以暴露伪焊盘；以及在激光钻孔开口的同时，通过第一金属层和第二金属层之间的金属连接件将来自激光钻孔的热量分散到第二金属层。

2、本发明的另一实施例提供了一种形成管芯封装件的方法，包括：在载体上方形成第一金属化层，第一金属化层包括第一组焊盘和第二组焊盘，第一组焊盘的每个焊盘是有源焊盘，第二组焊盘的每个焊盘是伪焊盘；在第一金属化层上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第二金属化层，其中，第二组焊盘的每个焊盘通过金属连接件耦接至第二金属化层和/或第一金属化层中的公共金属部件；在第二金属化层上方形成第二介电层；将器件管芯和金属柱密封在密封剂中，密封剂设置在第二介电层上方；在密封剂上方形成前侧互连件；以及在前侧互连件上方形成第一连接件。

3、本发明的又一实施例提供了一种管芯封装件，包括：嵌入式管芯；前侧互连件，设置在嵌入式管芯的前侧上方；背侧互连件，设置在嵌入式管芯的背侧上方；前侧连接件，设置在前侧互连件上；背侧连接件，设置在背侧互连件上；背侧连接件的第一连接件，延伸穿过第一介电层并且附接至第一伪焊盘；背侧连接件的第二连接件，延伸穿过第一介电层并且附接至第二伪焊盘；以及公共金属部件，连接至第一伪焊盘和第二伪焊盘。

技术特征：

1.一种形成管芯封装件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属层包括与所述器件管芯对准的金属网。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一金属层包括形成宽金属，还包括：通过一个或多个桥接金属将所述伪焊盘附接至所述宽金属，所述一个或多个桥接金属将所述伪焊盘的一侧与所述宽金属的一侧物理地耦接。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二金属层包括形成通孔以及形成一个或多个散热部件，所述通孔将所述伪焊盘耦接至所述第二金属层，所述一个或多个散热部件包括金属网、伪互连件、伪路由或金属梳。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二金属层中的所述一个或多个散热部件的第一散热部件物理地耦接至所述第一金属层的第二散热部件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二散热部件是第二金属网或宽金属。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

9.一种形成管芯封装件的方法，包括：

10.一种管芯封装件，包括：

技术总结
本发明的实施里提供了形成管芯封装件的方法，包括：在载体上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一金属层，第一金属层包括伪焊盘和有源焊盘；在第一金属层上方形成第二介电层；在第二介电层上方形成第二金属层，其中，第一金属层的伪焊盘物理地耦接至第二金属层；在第二金属层上方形成第三介电层；将器件管芯附接在第三介电层上方；在第一介电层中激光钻孔开口以暴露伪焊盘；以及在激光钻孔开口的同时，通过第一金属层和第二金属层之间的金属连接件将来自激光钻孔的热量分散到第二金属层。本发明的实施例还涉及管芯封装件。

技术研发人员：陈建宏,邱诚朴,李建成,郭建利,郭婷婷,黄立贤,庄曜群,何军
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13