形成半导体装置的方法与流程

本公开实施例是有关于一种半导体装置及其形成方法，且特别关于一种包括自对准导电部件和介电层的半导体装置及其形成方法。

背景技术：

1、半导体装置被使用在各式各样的电子应用中，例如，个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置通常借由依序地在半导体基板上沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体材料层，并利用微影图案化各种材料层以在其上形成电路组件以及元件。

2、半导体产业借由不断减小最小部件尺寸来持续提升各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的整合密度，这允许将更多的组件整合到给定的区域中。

技术实现思路

1、本公开一些实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：在集成电路装置上方形成第一介电层；在第一介电层之中形成第一导电部件；在第一导电部件上方选择性地沉积聚合物层；相邻聚合物层在第一介电层上方选择性地沉积蚀刻停止层；去除聚合物层以形成第一开口；以及在第一开口之中形成第二导电部件，第二导电部件电性耦合至第一导电部件。

2、本公开另一些实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：在第一金属间介电(inter-metal dielectric,imd)层之中形成第一金属部件；在第一金属部件上方沉积阻挡膜，阻挡膜物理地接触第一金属部件；在第一金属间介电层上方沉积蚀刻停止层，蚀刻停止层物理地接触第一金属间介电层；去除阻挡膜；在蚀刻停止层上方形成第二金属间介电层；在第二金属间介电层之中蚀刻开口以露出第一金属部件；以及在开口之中形成第二金属部件。

3、本公开又一些实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：在第一金属部件上方执行分子层沉积制程以选择性地沉积阻挡膜，其中第一金属部件延伸穿过第一绝缘层；在第一绝缘层上方沉积蚀刻停止层，蚀刻停止层与第一绝缘层接触；执行等离子体制程以去除阻挡膜；在蚀刻停止层以及第一金属部件上方沉积第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层以形成第一开口，第一开口露出第一金属部件；以及在第一开口之中形成第二金属部件。

技术特征：

1.一种形成半导体装置的方法，包括：

2.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该聚合物层被选择性地沉积至一第一厚度，其中该蚀刻停止层被选择性地沉积至一第二厚度，并且其中该第一厚度大于该第二厚度。

3.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该聚合物层是由十八烷基膦酸(octadecylphosphonic acid,odpa)前驱物形成。

4.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该聚合物层包含选自羧基(-cooh)以及氨基(-nh2)的多个官能基。

5.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该聚合物层是借由分子层沉积沉积。

6.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该第一导电部件包括一衬层以及在该衬层上方的一导电填充材料，其中该聚合物层选择性地沉积在该导电填充材料上。

7.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该蚀刻停止层包括选自氮化铝(aln)、氮化硼(bn)以及氮化硼碳(bcn)的材料。

8.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其中该聚合物层是借由选自氨基(-nh2)、巯基(-sh)以及膦酸酯基(-po3h2)的官能基接合至该第一导电部件。

9.一种形成半导体装置的方法，包括：

10.一种形成半导体装置的方法，包括：

技术总结
提供一种形成导电部件的改善方法及由所述方法形成的半导体装置。提供用于形成具有不同表面轮廓的凸块下冶金(UBM)结构的方法及由所述方法形成的半导体装置。一种方法包括：在集成电路装置上方形成第一介电层；在第一介电层之中形成第一导电部件；在第一导电部件上方选择性地沉积聚合物层；相邻聚合物层在第一介电层上方选择性地沉积蚀刻停止层；去除聚合物层以形成第一开口；以及在第一开口之中形成第二导电部件，第二导电部件电性耦合至第一导电部件。

技术研发人员：郑柏贤,李资良
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13