本发明涉及微波通信,具体是一种法向集成低剖面双工天线。
背景技术:
1、双工天线被广泛应用于收发系统中。在发射和接收频段相同的情况下,双工天线相较于分别利用两副天线作为接收和发射而言,能够有效减少系统的尺寸并降低其重量。
2、目前无源双工天线的主要实现方式主要为:
3、天线与环行器的一个端口连接,后端收发链路分别与环行器的另外两个端口相连,由此实现天线收发一体化。工程中通常将环行器装配在微波组件内,再通过同轴线、毛纽扣等方式将组件与天线互连。
4、由于环行器面积较大,且通常是沿着其平面装配在微波组件内部,这会导致组件剖面高度增加,进而不利于系统的小型化。发明专利《微带天线与tr组件一体化结构及一体化方法》(申请号:cn202111527186.2,公开号:cn114243288a)将微带天线与tr组件通过射频绝缘子直接相连,这种方式在一定程度上实现了系统体积的小型化及重量的轻质化,却没有解决环行器引起的tr组件较高的本质问题。随着瓦片式tr组件的提出,组件的高度大大降低,但是组件与天线的连接仍然存在一定的空间浪费。
技术实现思路
1、为克服现有技术的不足,本发明提供了一种法向集成低剖面双工天线,解决现有技术存在的tr组件较高、组件与天线的连接仍然存在一定的空间浪费的问题。
2、本发明解决上述问题所采用的技术方案是:
3、一种法向集成低剖面双工天线,包括从上至下依次连接的第一金属面、顶层基板、第二金属面、中层基板、第三金属面、底层基板,第三金属面的表面刻蚀有缝隙,底层基板上设有环行器,环行器电连接有第一枝节。
4、作为一种优选的技术方案,还包括连接于底层基板的铁氧体。
5、作为一种优选的技术方案,环行器包括第四金属面,还包括分别与第四金属面连接的第二枝节、第二端口、第三枝节,还包括与第二枝节连接的第一端口,第一端口为环行器的发射端口,第二端口为环行器的接收端口,第三枝节为环行器的输出端口。
6、作为一种优选的技术方案,还包括接地金属通孔,接地金属通孔将第四金属面与第三金属面连接。
7、作为一种优选的技术方案,第一端口、第二端口、第三枝节均为带状线结构。
8、作为一种优选的技术方案,缝隙为矩形的缝隙。
9、作为一种优选的技术方案,还包括垂直过渡结构,第一端口、第二端口通过垂直过渡结构延伸到第一金属面上方。
10、作为一种优选的技术方案,还包括多功能芯片,垂直过渡结构顶端通过微带线与多功能芯片连接。
11、作为一种优选的技术方案,顶层基板的相对介电常数为2.94,厚度为1.524mm。
12、作为一种优选的技术方案,底层基板的相对介电常数为10.2,厚度为0.635mm。
13、本发明相比于现有技术,具有以下有益效果:
14、(1)本发明将环行器与贴片天线沿各自水平面的法向集成,与将环行器装配在微波组件中,并通过同轴线或毛纽扣等与天线连接的方式相对比,极大地降低了系统的高度;
15、(2)本发明环行器的一个端口直接通过缝隙耦合的方式对贴片天线进行馈电,这能有效降低连接处的损耗;
16、(3)本发明环行器所在的pcb基板选择介电常数较高的材料,这能降低其尺寸;而天线层选择介电常数较低的材料,其优势表现为:一是适当增加贴片天线的尺寸使其能与环行器相匹配,在组阵设计中能降低单元间距,进而增大阵列的扫描角度;二是减小天线与地板之间介质对电磁场的束缚,使其有效地向空间辐射。
1.一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,包括从上至下依次连接的第一金属面(1)、顶层基板(2)、第二金属面(3)、中层基板(4)、第三金属面(5)、底层基板(7),第三金属面(5)的表面刻蚀有缝隙(6),底层基板(7)上设有环行器(8),环行器(8)电连接有第一枝节(9)。
2.根据权利要求1所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,还包括连接于底层基板(7)的铁氧体(11)。
3.根据权利要求2所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,环行器(8)包括第四金属面(10),还包括分别与第四金属面(10)连接的第二枝节(13)、第二端口(15)、第三枝节(16),还包括与第二枝节(13)连接的第一端口(14),第一端口(14)为环行器(8)的发射端口,第二端口(15)为环行器(8)的接收端口,第三枝节(16)为环行器(8)的输出端口。
4.根据权利要求3所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,还包括接地金属通孔(12),接地金属通孔(12)将第四金属面(10)与第三金属面(5)连接。
5.根据权利要求4所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,第一端口(14)、第二端口(15)、第三枝节(16)均为带状线结构。
6.根据权利要求1至5任一项所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,缝隙(6)为矩形的缝隙。
7.根据权利要求1至5任一项所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,还包括垂直过渡结构(21),第一端口(14)、第二端口(15)通过垂直过渡结构(21)延伸到第一金属面(1)上方。
8.根据权利要求7所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,还包括多功能芯片(24),垂直过渡结构(21)顶端通过微带线与多功能芯片(24)连接。
9.根据权利要求1至5任一项所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,顶层基板(2)的相对介电常数为2.94,厚度为1.524mm。
10.根据权利要求9所述的一种法向集成低剖面双工天线,其特征在于,底层基板(7)的相对介电常数为10.2,厚度为0.635mm。