本发明涉及供应用于基板处理的有机溶剂的有机溶剂供应装置、基板处理方法、基板处理装置。
背景技术:
1、半导体制造工艺作为用于在基板(例:晶圆)上制造半导体元件的工艺,包括例如曝光、蒸镀、蚀刻、离子注入、清洗等。为了执行各个制造工艺,在半导体制造工厂的无尘室内设置有执行各工艺的半导体制造设备,并执行针对投入到半导体制造设备的基板的工艺处理。
2、在各个的工艺中使用各种处理液、处理气体,在工艺执行中产生颗粒以及工艺副产物。为了将这样的颗粒以及工艺副产物从基板去除,在各个工艺前后执行清洗工艺。
3、通常的清洗工艺是用化学物质以及冲洗液处理基板后进行干燥处理。作为干燥处理的一例,具有将基板高速旋转而去除残留在基板上的冲洗液的旋转干燥工艺。但是,这样的旋转干燥方式存在破环在基板上形成的图案的顾虑。
4、因此,最近正在利用超临界干燥工艺,所述超临界干燥工艺在基板上供应异丙醇(ipa)之类的有机溶剂而将残留在基板上的冲洗液替换为表面张力低的有机溶剂,之后向基板上供应超临界状态的处理流体而去除残留在基板上的有机溶剂。在超临界干燥工艺中向内部密封的工艺腔室供应干燥用气体,将干燥用气体加热以及加压。因此,干燥用气体的温度以及压力都上升至临界点以上且干燥用气体变相为超临界状态。
5、另一方面,随着半导体工艺的精细化,针对在基板处理工艺中产生的颗粒的要求水平正在提升。尤其,通过在包括超临界处理的清洗工艺中使用的化学物质反而会污染基板,因此针对基板的污染防止的要求正在提升。
6、(专利文献1)韩国公开专利第10-2019-0023043号
7、(专利文献2)韩国公开专利第10-2020-0009832号
8、(专利文献3)韩国公开专利第10-2020-0035357号
技术实现思路
1、本发明提供可以防止通过有机溶剂污染基板的有机溶剂供应装置、基板处理方法、基板处理装置。
2、根据本发明,提供一种有机溶剂供应装置,在包括向基板供应有机溶剂的液处理腔室以及将涂布有有机溶剂的基板进行超临界干燥处理的超临界处理腔室的基板处理装置中,向所述液处理腔室供应所述有机溶剂。有机溶剂供应装置包括:供应罐,保管有机溶剂;供应线,连接于所述供应罐和所述液处理腔室;以及冷却模组,设置于所述供应线。
3、另外,可以是,提供所述有机溶剂包括异丙醇(ipa)的有机溶剂供应装置。
4、另外,可以是,提供所述异丙醇以-89℃至0℃之间的温度供应到所述液处理腔室的有机溶剂供应装置。
5、另外,可以是,提供所述供应线构成为连接所述供应罐和所述液处理腔室的喷嘴,所述冷却模组在所述供应线中设置于所述供应罐侧的有机溶剂供应装置。
6、另外,可以是,提供一种有机溶剂供应装置,所述冷却模组包括:热交换器,利用冷媒将所述有机溶剂的温度冷却到预定温度以下;以及冷却器,向所述热交换器供应所述冷媒。
7、另外,可以是,提供一种有机溶剂供应装置,所述冷却模组还包括:温度控制器,控制向所述热交换器提供的所述冷媒的流量。
8、另外,可以是,提供所述温度控制器基于向所述基板供应的所述有机溶剂的温度控制所述冷媒的流量的有机溶剂供应装置。
9、另外,可以是,提供所述有机溶剂的温度通过设置在所述喷嘴的温度传感器进行测量的有机溶剂供应装置。
10、另外,可以是,提供以冷却的状态供应的所述有机溶剂在所述超临界处理腔室中通过超临界流体溶化的有机溶剂供应装置。
11、根据一实施例,提供一种通过基板处理装置执行的基板处理方法。根据本发明的基板处理方法包括:在液处理腔室中向基板供应有机溶剂的步骤;将涂布有所述有机溶剂的基板向超临界处理腔室移送的步骤;以及在所述超临界处理腔室向将用于所述有机溶剂的干燥处理的超临界流体向所述基板供应的步骤。所述有机溶剂以通过冷却模组冷却的状态供应到所述基板供应。
12、另外,可以是,提供所述冷却模组设置在连接于保管所述有机溶剂的供应罐和所述液处理腔室的供应线的基板处理方法。
13、另外,可以是,提供所述基板以涂布有所述有机溶剂的状态通过移送机器人从所述液处理腔室向所述超临界处理腔室移送的基板处理方法。
14、根据一实施例,可以是,提供一种基板处理装置,包括:液处理腔室,向基板供应用于基板的清洗处理的有机溶剂;移送机器人,移送涂布有所述有机溶剂的基板;超临界处理腔室,供应用于涂布有所述有机溶剂的基板的干燥处理的超临界流体;以及有机溶剂供应装置,向所述液处理腔室供应所述有机溶剂,所述有机溶剂供应装置包括:供应罐,保管有机溶剂;以及冷却模组,设置于连接所述供应罐和所述液处理腔室的供应线而冷却从所述供应罐向液处理腔室供应的所述有机溶剂。
15、根据本发明的一实施例的有机溶剂供应装置、基板处理方法、基板处理装置将有机溶剂冷却至一定温度以下而供应,因此具有可以防止基板的污染的效果。
1.一种有机溶剂供应装置,在包括向基板供应有机溶剂的液处理腔室以及将涂布有有机溶剂的基板进行超临界干燥处理的超临界处理腔室的基板处理装置中,向所述液处理腔室供应所述有机溶剂,其中,所述有机溶剂供应装置包括:
2.根据权利要求1所述的有机溶剂供应装置,其中,
3.根据权利要求2所述的有机溶剂供应装置,其中,
4.根据权利要求1所述的有机溶剂供应装置,其中,
5.根据权利要求4所述的有机溶剂供应装置,其中,
6.根据权利要求5所述的有机溶剂供应装置,其中,
7.根据权利要求6所述的有机溶剂供应装置,其中,
8.根据权利要求7所述的有机溶剂供应装置,其中,
9.根据权利要求1所述的有机溶剂供应装置,其中,
10.一种基板处理方法,通过基板处理装置执行,所述基板处理方法包括:
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中,
13.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
14.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中,
15.一种基板处理装置,其中,包括:
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
17.根据权利要求16所述的基板处理装置,其中,
18.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
19.根据权利要求18所述的基板处理装置,其中,
20.根据权利要求19所述的基板处理装置,其中,