半导体结构的形成方法与流程

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术：

1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速发展，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精度更高、电路复杂度更高的方向发展。

2、为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如：鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistor，finfet)等。其中，鳍式场效应晶体管中，栅极三面包围鳍状(fin)的沟道，与平面晶体管相比，鳍式场效应晶体管的栅极对沟道的控制能力更强，能够更好的抑制短沟道效应。

3、但这也相应增加了集成电路制造的难度和复杂度，使得鳍式场效应晶体管的形成方法仍有待提高，特别是双栅(dual gate)鳍式场效应晶体管的形成方法。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高半导体结构的性能。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有鳍部，基底包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的基底上的鳍部为第一鳍部，第二区域的基底上的鳍部为第二鳍部；沿鳍部的宽度方向，对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理，以减小第二鳍部和第一鳍部之间的宽度差异。

3、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

4、本发明实施例提供的半导体结构的形成方法中，先形成鳍部之后，沿鳍部的宽度方向，对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理，以减小第二鳍部和第一鳍部之间的宽度差异，并使第二鳍部和第一鳍部的宽度达到目标值，从而提高了鳍部的宽度的均一性，易使得由鳍部所构成的导电沟道的宽度满足设计要求，从而使得形成于第一区域和第二区域的器件性能满足设计要求，进而提高了半导体结构的性能。

技术特征：

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述减薄处理之前，还包括：在所述第一鳍部和第二鳍部侧部的基底上形成隔离层，所述隔离层覆盖第一鳍部和第二鳍部的部分侧壁；

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述第一鳍部的宽度小于所述第二鳍部的宽度；

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述提供基底的步骤中，所述第一鳍部和第二鳍部中的其中一者为待进行减薄处理的待修正鳍部；

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表面处理的工艺包括：湿法处理工艺。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法处理工艺的参数包括：反应溶液包括双氧水、氨水和表面活性剂的混合溶液，反应溶液的ph值范围为0～6，工艺温度为0摄氏度～50摄氏度，工艺时间小于或等于60分钟。

7.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层的工艺包括湿法处理工艺。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法处理工艺的参数包括：反应溶液包括盐酸、双氧水或氢氟酸溶液中的一种或多种，反应溶液的ph值范围为3～8，工艺温度为0摄氏度～50摄氏度，工艺时间小于或等于6分钟。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述提供基底的步骤中，所述第一鳍部和第二鳍部中的其中一者为待进行减薄处理的待修正鳍部，另一者为待保护鳍部；

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄处理采用的工艺包括湿法处理工艺，且在执行所述减薄处理的刻蚀工艺过程中，去除所述第一保护层。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述待保护鳍部被暴露的表面上形成第一保护层的步骤包括：选择性地在所述待保护鳍部被暴露的表面形成第一保护层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层包括自组装单分子层，所述自组装单分子层的官能团包括酚基、巯基、酰基或c链基团中的一种或多种。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一保护层的工艺包括化学浸润工艺。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学浸润工艺的参数包括：浸润溶液包括十六烷基酰胺、苯基硫醇或十五烷基苯酚溶液中的一种或多种，工艺温度为20摄氏度～50摄氏度，工艺时间为1小时～24小时。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述减薄处理之后，还包括：形成覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的的第二保护层。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第二保护层之后，还包括：形成覆盖所述第二保护层的栅氧化层；

17.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二保护层的工艺包括炉管工艺或外延生长工艺中的一种或两种。

18.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括硅或氮化硅中的一种或两种。

19.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部和第二鳍部的材料不同，和/或，所述第一鳍部和第二鳍部的图形密度不同。

20.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的材料包括：锗化硅或硅，所述第二鳍部的材料包括：硅或锗化硅。

技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有鳍部，基底包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的基底上的鳍部为第一鳍部，第二区域的基底上的鳍部为第二鳍部；沿鳍部的宽度方向，对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理，以减小第二鳍部和第一鳍部之间的宽度差异，并使第二鳍部和第一鳍部的宽度达到目标值。本发明先形成鳍部之后，沿鳍部的宽度方向，对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理，以减小第二鳍部和第一鳍部之间的宽度差异，提高了鳍部的宽度的均一性，易使得由鳍部所构成的导电沟道的宽度满足设计要求，从而使得形成于第一区域和第二区域的器件性能满足设计要求，进而提高了半导体结构的性能。

技术研发人员：范义秋,叶南飞,涂武涛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/20