半导体装置的制作方法

实施方式涉及半导体装置。

背景技术：

1、对于开关晶体管，要求高频特性的提高。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于，提供一种提高高频特性的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备绝缘层、半导体层和控制电极。所述半导体层包含：第一导电型的第一半导体区域，设置在所述绝缘层上；所述第一导电型的第二半导体区域，与所述第一半导体区域分离；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。所述第一半导体区域至所述第三半导体区域在沿着所述绝缘层与所述半导体层的界面的第一方向上排列。所述控制电极隔着第一绝缘膜设置在所述半导体层上，通过所述第一绝缘膜与所述半导体层电绝缘，并包含沿所述第一方向排列的第一控制部至第三控制部。所述第一控制部设置在所述第二控制部与所述第三控制部之间，并通过第二绝缘膜而与所述第二控制部及所述第三控制部电绝缘。所述第三半导体区域位于所述绝缘层与所述第一控制部之间。

技术特征：

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，

11.根据权利要求9所述的半导体装置，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.根据权利要求8所述的半导体装置，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，

16.根据权利要求15所述的半导体装置，

17.根据权利要求16所述的半导体装置，

18.根据权利要求16所述的半导体装置，

技术总结
实施方式提供提高高频特性的半导体装置。半导体装置具备绝缘层、半导体层和控制电极。半导体层包含：第一导电型的第一半导体区域，设置在绝缘层上；第一导电型的第二半导体区域，与第一半导体区域分离；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一半导体区域至第三半导体区域在沿着绝缘层与半导体层的界面的第一方向上排列。控制电极隔着第一绝缘膜设置在半导体层上，通过第一绝缘膜与半导体层电绝缘，并包含沿第一方向排列的第一控制部至第三控制部。第一控制部设置在第二控制部与第三控制部之间，并通过第二绝缘膜而与第二控制部及第三控制部电绝缘。第三半导体区域位于绝缘层与第一控制部之间。

技术研发人员：中村光利,长冈正见,西堀一弥,增田敬太
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24