导电结构及其制造方法与流程

本揭露系有关于一种导电结构及其制造方法，尤其是一种导电线路的制造方法。

背景技术：

1、透明显示面板的导电线路的需求包含导电图案的高线宽比(即，细线路)以及透光基板的高透明(即，光穿透度(transmittance))与低雾度(haze)。现行透明显示面板多使用蚀刻铜膜、催化剂镀铜或种子层镀铜等制造方法以形成导电线路。在一些常见的制造方法中，黏着胶(例如，环氧树酯)也配置以供导电线路贴合于透光基板。

2、然而，现行的导电线路的制造方法已经无法满足上述需求。举例来说，通过等向性蚀刻(isotropic etching)图案化铜膜容易使铜膜的截面为梯形而非理想中的矩形，通过水电镀镀铜容易造成形成厚铜膜时的厚度不均，而通过使用黏着胶贴合导电线路于透光基板上则会导致因黏着胶无法去除而劣化透光基板的穿透率并提高雾度。上述制造方法的限制都影响了透明显示面板的质量。

3、因此，如何提出一种可以解决上述问题的导电结构及其制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

技术实现思路

1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可有解决上述问题的导电结构及其制造方法。

2、为了达到上述目的，依据本揭露的一实施方式，一种导电结构包含基板、光敏感黏着层以及导电层。光敏感黏着层设置于基板上并具有第一镂空部。导电层设置于光敏感黏着层上并具有第二镂空部。第二镂空部与第一镂空部在垂直于基板的上表面的方向上对齐。第二镂空部于基板的上表面的正射影区域为透光区。

3、于本揭露的一或多个实施方式中，导电层具有粗糙度不同的第一表面以及第二表面。第二表面接触光敏感黏着层，第一表面位于导电层的远离光敏感黏着层的一侧。

4、于本揭露的一或多个实施方式中，第二表面的粗糙度大于第一表面的粗糙度。

5、于本揭露的一或多个实施方式中，导电层的材料为金属材料，且导电层的材料为铜。

6、于本揭露的一或多个实施方式中，导电层的厚度在8微米与35微米之间。

7、于本揭露的一或多个实施方式中，导电层的宽度小于50微米。

8、于本揭露的一或多个实施方式中，光敏感黏着层为正型光阻。

9、于本揭露的一或多个实施方式中，光敏感黏着层的厚度在2微米与10微米之间。

10、于本揭露的一或多个实施方式中，基板的材料包含聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、环烯烃聚合物(cop)或透明聚酰亚胺(cpi)。

11、于本揭露的一或多个实施方式中，以由导电层往基板的方向观之，透光区的光穿透率大于百分之90。

12、于本揭露的一或多个实施方式中，以由导电层往基板的方向观之，透光区的雾度小于百分之2。

13、依据本揭露的一实施方式，一种导电结构的制造方法包含：依序地形成光敏感黏着层、导电层、光敏感牺牲层以及光罩层于基板上，其中光敏感黏着层形成于导电层与基板之间，光敏感牺牲层形成于导电层上，光罩层形成于光敏感牺牲层上，且基板的材料为透明无色的透光材料；去除位于光罩层下方的光敏感牺牲层的部位，以形成数个第一镂空部于光敏感牺牲层；去除导电层的部位，以利用第一镂空部形成数个第二镂空部于导电层；去除光敏感黏着层的部位，以利用第二镂空部形成数个第三镂空部于光敏感黏着层；以及去除光敏感牺牲层。

14、于本揭露的一或多个实施方式中，去除导电层的部位的步骤使得导电层的剩余部位的宽度在25微米与50微米之间。

15、于本揭露的一或多个实施方式中，去除位于光罩层下方的光敏感牺牲层的部位的步骤使得导电层的上表面暴露。

16、于本揭露的一或多个实施方式中，去除导电层的部位的步骤使得光敏感黏着层的上表面暴露。

17、于本揭露的一或多个实施方式中，去除光敏感黏着层的部位的步骤使得基板的上表面暴露。

18、于本揭露的一或多个实施方式中，光敏感黏着层的镂空部以及导电层的镂空部在垂直于基板的上表面的方向上对齐。

19、于本揭露的一或多个实施方式中，光敏感黏着层为正型光阻，照光可光分解感光剂且切断交联，在碱性溶液中树酯溶解性变得较易移除。

20、于本揭露的一或多个实施方式中，光敏感黏着层的厚度在2微米与10微米之间，光敏感牺牲层的厚度在5微米与20微米之间。

21、综上所述，在本揭露的导电结构及其制造方法中，通过光敏感黏着层将导电层贴合于基板上，在去除导电层的部位而形成导电线路后再将光敏感黏着层的部位去除，以维持基板的高穿透率以及低雾度的性质。在本揭露的导电结构及其制造方法中，通过将光敏感黏着层作为贴合导电层的材料而非使用例如一般黏着胶(例如，环氧树酯或丙烯酸树酯等)材料，可以避免在形成透光区时无法去除黏着胶材料。在本揭露的导电结构及其制造方法中，由于使用经加工后具有第一表面以及第二表面的电解铜箔作为导电层(导电线路)的材料，且导电层的第二表面与光敏感黏着层接触，可以增进导电层与光敏感黏着层之间的附着力以避免导电层在工艺中剥落。

22、以上所述仅系用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本揭露的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。

技术特征：

1.一种导电结构，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电层具有粗糙度不同的第一表面以及第二表面，且所述第二表面接触所述光敏感黏着层，所述第一表面位于所述导电层的远离所述光敏感黏着层的一侧。

3.根据权利要求2所述的导电结构，其特征在于，所述第二表面的粗糙度大于所述第一表面的粗糙度。

4.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电层的材料为金属材料，且所述导电层的所述材料为铜。

5.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电层的厚度在8微米与35微米之间。

6.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述导电层的多个导电线路中的一者的宽度小于50微米。

7.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述光敏感黏着层为正型光阻。

8.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述光敏感黏着层的厚度在2微米与10微米之间。

9.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，所述基板的材料包含聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、环烯烃聚合物(cop)或透明聚酰亚胺(cpi)。

10.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，以由所述导电层往所述基板的方向观之，所述透光区的光穿透率大于百分之90。

11.根据权利要求1所述的导电结构，其特征在于，以由所述导电层往所述基板的方向观之，所述透光区的雾度小于百分之2。

12.一种导电结构的制造方法，其特征在于，包含：

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述去除所述导电层的所述部位的步骤使得所述导电层的剩余部位的宽度在25微米与50微米之间。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述光罩层下方的所述光敏感牺牲层的所述部位的步骤使得所述导电层的上表面暴露。

15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述去除所述导电层的所述部位的步骤使得所述光敏感黏着层的上表面暴露。

16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述去除所述光敏感黏着层的所述部位的步骤使得所述基板的上表面暴露。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述多个第三镂空部以及所述多个第二镂空部在垂直于所述基板的所述上表面的方向上对齐。

18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述光敏感黏着层为正型光阻。

19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述光敏感黏着层的厚度在2微米与10微米之间，所述光敏感牺牲层的厚度在5微米与20微米之间。

技术总结
一种导电结构包含基板、光敏感黏着层以及导电层。光敏感黏着层设置于基板上并具有第一镂空部。导电层设置于光敏感黏着层上并具有第二镂空部。第二镂空部与第一镂空部在垂直于基板的上表面的方向上对齐。第二镂空部于基板的上表面的正射影区域为透光区。本揭露的导电结构可以维持基板的高穿透率以及低雾度的性质。

技术研发人员：蔡缘蓁
受保护的技术使用者：业成科技（成都）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12