本发明属于半导体集成电路领域，特别涉及一种适用于常规未久置或久置时间较短的金凸块晶圆返工的工艺。
背景技术：
1、现有技术中，液晶面板广泛存在于我们的日常生活中，例如手机、平板电脑、笔记本电脑和电视等。而液晶面板功能的实现，是通过封装在面板周围的驱动芯片。液晶面板驱动芯片、射频芯片、存储芯片等等在完成集成电路的制作后，一般会需要通过凸块导电结构，将其与印刷电路板或基板等其他组件连接，继而做信号传递。
2、现有技术中，以金凸块工艺为例，现有的常规金凸块制作工艺主要如下：①溅镀→②光阻涂布→③曝光→④显影→⑤电镀金凸块→⑥光阻去除→⑦电浆处理→⑧金蚀刻→⑨钛钨蚀刻→⑩韧化。
3、金凸块工艺完成后，晶圆产品会入库保存，等待客户后续订单进行封装压合工序。但有的时候存在如下问题：一些产品长时间拿不到后续订单，随着入库时间推移，因氧化等问题金凸块与芯片的结合强度会降低，从而影响芯片压合的可靠度，导致芯片及封装产品的不合格率增大，增加了芯片及封装产品的生产成本。
4、特别是针对在仓库中常规未久置或久置时间较短的晶圆，这种晶圆的金凸块完整度较好、并且金凸块位置基本无偏移，急需一种可以将金凸块去除的方法工艺。
技术实现思路
1、本发明的目的是提供一种金凸块晶圆返工的工艺，针对在仓库中常规未久置或久置时间较短的晶圆，这种晶圆的金凸块完整度较好、并且金凸块位置基本无偏移，需要在晶圆上涂布16-25um厚度的光阻后再对金凸块上的光阻曝光显影，将金凸块蚀刻掉进行补救，随后即可重新加工晶圆，避免晶圆报废，降低芯片及封装产品的不合格率。
2、本发明的目的是这样实现的：一种金凸块晶圆返工的工艺，包括如下步骤：
3、（1）pre-clean：先使用电浆机处理晶圆，再用scrubber清洗机来清洗晶圆；
4、（2）去水烘烤：将晶圆放入烘箱，控制烘烤温度为100-120℃，烘烤时间为15-30min，用于去除晶圆表面的水汽；
5、（3）光阻涂布：使用光阻涂布机，在晶圆表面覆盖涂上一层16-25um厚度的光阻，使得光阻的表面高度高于金凸块的表面高度，金凸块位于光阻下方；
6、（4）曝光：使用曝光机，对晶圆上生长金凸块的位置上方的光阻使用350-430nm波长的光进行照射，使之发生光溶解反应形成曝光区；
7、（5）显影及显影后烘烤：用显影机和显影液，通过显影液浸泡晶圆去除掉曝光区的光阻，将需要移除金凸块的位置打开开窗，再用烘箱烘烤晶圆将液体水汽烘干；
8、（6）电浆处理：使用电浆机，利用rf及icp刻蚀技术将o2激发成plasma，处理晶圆表面，增加金凸块表面的亲水性；
9、（7）金蚀刻：用金蚀刻机台和金蚀刻药液，通过金蚀刻药液去除金凸块及底部的金层；
10、（8）光阻去除：用光阻去除机和光阻去除液，通过浸泡晶圆，将光阻溶解去除掉，留下只有钛钨层；
11、（9）钛钨蚀刻：用钛钨蚀刻机和钛钨蚀刻液，钛钨蚀刻液为双氧水，通过浸泡晶圆产生氧化反应，去除掉溅镀在晶圆上的钛钨层；
12、（10）scrubber清洗：使用scrubber清洗机来清洗晶圆，去除晶圆表面上的微尘颗粒。
13、本发明适用于在仓库中常规未久置或久置时间较短的晶圆，这种晶圆的金凸块完整度较好、并且金凸块位置基本无偏移；通过在晶圆上涂布16-25um厚度的光阻，光阻将金凸块淹没，由于金凸块的完整度较好、位置无偏移，只需要再对金凸块上的光阻曝光显影形成天窗，再用金蚀刻药液将天窗下方的金凸块蚀刻掉进行补救，随后即可重新加工晶圆。
14、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉：在原有工艺站点基础上开发，不需要使用新的机台或新的药水；方法简单，工艺步骤操作方便，工艺流程更加省时省力；返工后的良率较高，达99%以上；此工艺可以有效解决晶圆久置后产品的处理问题，减少晶圆的报废率，降低生产成本。
15、作为本发明的进一步改进，还包括步骤（11）aoi扫描：使用aoi扫描机台来扫描晶圆，确认晶圆返工之后的良率表现。
16、作为本发明的进一步改进，所述步骤（3）中涂布的光阻中的酚醛树脂成分为30-40wt%，感光剂成分为1-10wt%。光阻是一种对350-430nm波长的光有光溶解特性的有机物。
17、作为本发明的进一步改进，所述步骤（7）中的金蚀刻药液含有0.5-1.5wt%的铝保护剂。线路层为铝垫，可以起到保护线路层的作用。
18、作为本发明的进一步改进，所述步骤（8）中光阻去除液中的甲基吡咯烷酮成分为40-60wt%，二甲基亚砜成分为5-15wt%。光阻去除原理为极性有机物互溶。
1.一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，还包括步骤（11）aoi扫描：使用aoi扫描机台来扫描晶圆，确认晶圆返工之后的良率表现。
3.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（3）中涂布的光阻中的酚醛树脂成分为30-40wt%，感光剂成分为1-10wt%。
4.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（7）中的金蚀刻药液含有0.5-1.5wt%的铝保护剂。
5.根据权利要求1或2所述的一种金凸块晶圆返工的工艺，其特征在于，所述步骤（8）中光阻去除液中的甲基吡咯烷酮成分为40-60wt%，二甲基亚砜成分为5-15wt%。